專利名稱：多晶硅還原爐電極棒分布結構的制作方法
技術領域：
本實用新型專利涉及一種電極棒分布結構，尤其涉及一種用于多晶硅還原爐上的電極棒分布結構。
背景技術：
目前在太陽能多晶硅領域應用最普遍的工藝路線是西門子法，作為西門子法生產多晶硅的核心設備，多晶硅還原爐內主要進行的反應如下SiHCl3+H2-Si+3HC12SiHCl3-Si+SiCl4+2HCl上述反應實質上是氣相沉積反應，反應所需的溫度為1080度左右，沉積硅的載體就是硅棒，硅棒安裝在電極棒頂部，通過向硅棒通電，使得硅棒發(fā)熱，在硅棒外表面溫度為 1080度左右時進行硅的沉積。當硅棒數量較多時，硅棒間的輻射和硅棒對多晶硅還原爐內部氣體流場的影響就非常明顯?，F有技術普遍采用同心圓的方式進行硅棒的分布，這種布棒形式中心對稱，對于流場和熱場的均布起到一定的作用，但是實際使用情況證明，同心圓布棒形式內圈硅棒和外圈硅棒生長不均勻，并且最外圈硅棒的偏心現象很明顯。另外，隨著設備制造技術的不斷進步，多晶硅還原爐的大型化已經成為了趨勢，從早期的9對棒(18根硅棒)還原爐發(fā)展到現在的36對棒(72根硅棒)、甚至48對棒(96根硅棒)還原爐，如果繼續(xù)采用同心圓的布棒方式，那么多晶硅還原爐的直徑會很大，不利于設備的制造。

實用新型內容本實用新型提供的多晶硅還原爐電極棒分布結構，目的在于使得多晶硅還原爐內硅棒生長更加均勻，并且在多晶硅棒數量相同的情況下，減小多晶硅還原爐的直徑，降低設備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。為解決上述問題，本實用新型提供的多晶硅還原爐電極棒分布結構，包括底盤；所述底盤上設有進氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述電極座與其相鄰電極座的間距為 200mnT400mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述多晶硅棒通過頂部橫梁連接，形成一對多晶硅棒，所述一對多晶硅棒之間的間距為200mnT400mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述電極座與其相鄰電極座的間距為 220140mm，所述多晶硅棒之間的距離為220140mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述進氣口位于正多邊形的中心。本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結構，通過電極座、電極體、多晶硅棒的正多邊形分布，以及進氣口位于正多邊形的中心位置，使得混合氣進氣均勻，流場穩(wěn)定，進而使得還原爐內硅棒的生長均勻。同時，相同的多晶硅棒數量的前提下，可以有效減小多晶硅還原爐的直徑，減小設備體積，降低設備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。

圖1為本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結構的示意圖。圖2為本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結構的底盤俯視圖。附圖標記。
權利要求1.多晶硅還原爐的電極棒分布結構，其特征在于，包括 底盤，所述底盤上設有進氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，其特征在于所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。
2.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結構，其特征在于所述電極座與其相鄰電極座的間距為200mnT400mm。
3.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結構，其特征在于所述多晶硅棒通過頂部橫梁連接，形成一對多晶硅棒，所述一對多晶硅棒之間的間距為200mnT400mm。
4.根據權利要求2或3所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結構，其特征在于所述電極座與其相鄰電極座的間距為22(T240mm。
5.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結構，其特征在于所述進氣口位于正多邊形的中心。
專利摘要本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結構，包括底盤，所述底盤上設有進氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結構，通過電極座、電極體、多晶硅棒的正多邊形分布，以及進氣口位于正多邊形的中心位置，使得混合氣進氣均勻，流場穩(wěn)定，進而使得還原爐內硅棒的生長均勻。同時，相同的多晶硅棒數量的前提下，可以有效減小多晶硅還原爐的直徑，減小設備體積，降低設備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。
文檔編號C01B33/035GK202131105SQ201120229699
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權日2011年7月1日
發(fā)明者程佳彪, 茅陸榮, 許國文, 鄭飛龍 申請人:上海森松新能源設備有限公司