專利名稱：多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高壓絕緣隔熱組件，是多晶硅還原爐中對電極棒及聚四氟起到絕緣、隔熱的專用新材料產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
氮化硅、95氧化鋁和99氧化鋁等具有絕緣性好、韌性高、耐高溫和抗震性好的特點，能滿足多晶硅還原爐的環(huán)境使用要求，已廣泛應(yīng)用于多晶硅還原爐的高壓絕緣環(huán)護(hù)套材料，然而，隨著多晶硅還原爐不斷向大型化發(fā)展，對還原爐電極的絕緣隔熱環(huán)護(hù)套產(chǎn)品的絕緣性、抗熱震性等技術(shù)要求越來越高，特別是采用高壓擊穿的還原爐須兼顧高壓性、絕緣性，現(xiàn)有一體式的高壓絕緣隔熱環(huán)護(hù)套產(chǎn)品的絕緣性和耐熱沖擊的效果不太理想，不僅常常出現(xiàn)破裂和出現(xiàn)電擊穿現(xiàn)象，同時在生產(chǎn)過程中炸裂造成電極聚四氟乙烯絕緣套燒損， 嚴(yán)重影響多晶硅生產(chǎn)效率，造成重大損失。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、絕緣性和耐熱沖擊性更好的多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件。本實用新型提供的一種多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，由波紋環(huán)和直筒環(huán)組成， 其特征在于該絕緣隔熱組件采用分體式設(shè)計，波紋環(huán)套裝在直筒環(huán)外，波紋環(huán)外壁設(shè)計成波紋狀結(jié)構(gòu)，底部設(shè)有凹槽。所述的直筒環(huán)的長度可以根據(jù)電壓及電極情況進(jìn)行選定。直筒環(huán)的兩端可以從波紋環(huán)的兩端伸出各露出一段筒體，或者僅使直筒環(huán)的下端從波紋環(huán)的下端伸出露出一段筒體，而直筒環(huán)的上端與波紋環(huán)的上端齊平。本實用新型可以采用氧化鋁陶瓷或氮化硅陶瓷或石英材料，主要起隔熱、絕緣作用，波紋環(huán)外壁設(shè)計成波紋狀結(jié)構(gòu)，有利于在設(shè)計中盡可能保證爬電距離，并防止在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生硅粉短路；波紋環(huán)外壁的波紋數(shù)量可以設(shè)計成1至6個，最好是設(shè)計成2個。這種結(jié)構(gòu)的組件由于波紋環(huán)和直筒環(huán)為分體式設(shè)計，與現(xiàn)有一體式產(chǎn)品相比，前者結(jié)構(gòu)更簡單，容易燒制得更精巧，同時具有更好的絕緣性能和耐熱沖擊性能，可以很好的保護(hù)聚四氟乙烯絕緣環(huán)，使之不受熱碳化，造成電極擊穿。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本實用新型所述的多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，由一個波紋環(huán)2和一個直筒環(huán) 1組成，直筒環(huán)1和波紋環(huán)2的材質(zhì)可以采用氧化鋁陶瓷或氮化硅陶瓷或石英材料。直筒環(huán) 1的外徑略小于波紋環(huán)2內(nèi)徑，使得直筒環(huán)1能夠套入波紋環(huán)2 ；直筒環(huán)1的長度可以根據(jù)電壓及電極情況進(jìn)行選定，直筒環(huán)1的長度大于波紋環(huán)2的長度；直筒環(huán)1的兩端從波紋環(huán) 2的兩端伸出各露出一段筒體，或者直筒環(huán)1的下端從波紋環(huán)2的下端伸出露出一段筒體， 直筒環(huán)1的上端與波紋環(huán)2的上端齊平；波紋環(huán)2外壁設(shè)計有二個或三個或四個或五個或六個波紋狀結(jié)構(gòu)3，波紋環(huán)2底部有凹槽4。上述多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件中，為便安裝，直筒環(huán)1比電極棒的直徑略大，裝配時將直筒環(huán)1套在多晶硅還原爐電極外，波紋環(huán)2 再套在直筒環(huán)外，底部凹槽4正好把聚四氟乙烯絕緣環(huán)罩住。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，由波紋環(huán)(2)和直筒環(huán)(1)組成，其特征在于 該絕緣隔熱組件采用分體式設(shè)計，波紋環(huán)(2)套裝在直筒環(huán)(1)外，波紋環(huán)(2)外壁設(shè)計成波紋狀結(jié)構(gòu)(3)，底部設(shè)有凹槽(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，其特征在于直筒環(huán)(1)的兩端從波紋環(huán)(2)的兩端伸出各露出一段筒體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，其特征在于直筒環(huán)(1)的下端從波紋環(huán)(2)的下端伸出露出一段筒體，直筒環(huán)(1)的上端與波紋環(huán)(2)的上端齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，其特征在于波紋環(huán) (2)外壁波紋狀結(jié)構(gòu)(3)的數(shù)量為1至6個。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，其特征在于波紋環(huán)(2)外壁波紋狀結(jié)構(gòu)(3)的數(shù)量為2個。
專利摘要本實用新型涉及一種多晶硅還原爐用絕緣隔熱組件，由波紋環(huán)(2)和直筒環(huán)(1)組成，其特征在于該絕緣隔熱組件采用分體式設(shè)計，波紋環(huán)(2)套裝在直筒環(huán)(1)外，波紋環(huán)外壁設(shè)計成波紋狀結(jié)構(gòu)(3)，底部設(shè)有凹槽(4)。本實用新型采用波紋環(huán)和直筒環(huán)分體式組合設(shè)計，使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單易造，使用時具有更好的絕緣性能和耐熱沖擊性能，不易破裂，可以很好地保護(hù)聚四氟乙烯絕緣環(huán)，使之不受熱碳化，造成電極擊穿。
文檔編號C01B33/035GK202246097SQ20112040929
公開日2012年5月30日 申請日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者何姍, 何建和, 李嘉連, 李斌杰, 程佳彪, 羅奕惠, 陳家潤 申請人:景德鎮(zhèn)晶達(dá)新材料有限公司