專利名稱：碳納米管設(shè)備、碳納米管制造方法及碳納米管制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及碳納米管設(shè)備、碳納米管制造方法及碳納米管制造裝置。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)I中公開了一種電容器，其具有如下構(gòu)造在基板內(nèi)相互反向的上表面和下表面分別形成有碳納米管。根據(jù)該電容器，形成在基板上表面的碳納米管的長度與形成在基板下表面的碳納米管的長度相同。在專利文獻(xiàn)2中公開了一種碳納米管制造裝置，其設(shè)有在反應(yīng)室設(shè)定基板的設(shè)置部和與設(shè)置在設(shè)置部的基板在上方隔著間隔相對(duì)的管狀的I根氣體供給管。根據(jù)該碳納米管制造裝置，氣體供給管彎曲地形成。在氣體供給管的周壁上形成有多個(gè)吹出口。根據(jù)其，在從氣體供給管的多個(gè)吹出口向基板吹出反應(yīng)氣體時(shí)，將從各吹出口到基板的碳納米管形成面的距離設(shè)定為100毫米以下。在專利文獻(xiàn)3中公開了一種碳納米管制造裝置，其沿著與設(shè)置在反應(yīng)室的平板狀基板的上表面和下表面基本平行的方向供給反應(yīng)氣體，在基板的上表面和下表面形成碳納米管。

專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-48907公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2008-137831號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2004-332093公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)專利文獻(xiàn)1，在基板上第I碳納米管和第2碳納米管以相互朝向相反方向反向的方式形成。對(duì)于第I碳納米管和第2碳納米管，長度等特性基本上是相互相同的。本發(fā)明是鑒于上述實(shí)際情況進(jìn)行的，其課題在于提供一種新型碳納米管設(shè)備，其搭載有相互特性不同的第I碳納米管和第2碳納米管，對(duì)使特性混合化有利。并且，以提供一種新型碳納米管制造方法和碳納米管制造裝置為課題，其在對(duì)象物上的相同的碳納米管形成面中，能夠抑制形成在該相同的碳納米管形成面的碳納米管的差異。本發(fā)明的形態(tài)I所涉及的碳納米管設(shè)備具備碳納米管元件，所述碳納米管元件具備具有第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面的物體、形成在物體的第I碳納米管形成面上的第I碳納米管以及形成在物體的第2碳納米管形成面上并相對(duì)于第I碳納米管特性不同的第2碳納米管。在此，所謂特性是指物理方面特性和/或化學(xué)方面的特性?？梢允翘技{米管(CNT)的長度、直徑、根數(shù)、層數(shù)、結(jié)晶性、缺陷量、官能團(tuán)種類、官能團(tuán)量、密度、重量、分布等中的至少I個(gè)。本發(fā)明所涉及的碳納米管設(shè)備可以兼有由第I碳納米管帶來的性能和由第2碳納米管帶來的性能。有利于使設(shè)備的特性混合化。本發(fā)明所涉及的碳納米管設(shè)備可以應(yīng)用于電雙層電容器、鋰離子電容器、燃料電池、鋰電池、太陽能電池等能量設(shè)備。(2)本發(fā)明的形態(tài)2所涉及的碳納米管制造方法是實(shí)施(i)準(zhǔn)備工序和(ii )碳納米管形成工序，其中，(i )準(zhǔn)備工序(ia)準(zhǔn)備具有用于形成碳納米管的碳納米管形成面的對(duì)象物，并且，準(zhǔn)備(ib)具有反應(yīng)室、氣體供給室以及多個(gè)吹氣口的氣體通路形成構(gòu)件，所述反應(yīng)室用于容納對(duì)象物，所述氣體供給室隔著間隔與容納于反應(yīng)室中的對(duì)象物的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)碳納米管形成面的面方向延設(shè)，所述多個(gè)吹氣口使氣體供給室與反應(yīng)室連通并且向反應(yīng)室吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體，以及，(ic)加熱源，其使對(duì)象物的碳納米管形成面、氣體通路形成構(gòu)件、反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度；(ii )碳納米管形成工序通過在使對(duì)象物的碳納米管形成面、氣體通路形成構(gòu)件、反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度的狀態(tài)下，將反應(yīng)氣體供給到氣體供給室，沿著與反應(yīng)室內(nèi)的延設(shè)對(duì)象物碳納米管形成面的面方向相交的方向，從吹出口向?qū)ο笪锏奶技{米管形成面吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體，在對(duì)象物的碳納米管形成面形成碳納米管。氣體供給室隔著間隔與容納于反應(yīng)室的對(duì)象物的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)碳納米管形成面的面方向延設(shè)。多個(gè)吹出口使氣體供給室與反應(yīng)室連通且向反應(yīng)室內(nèi)的對(duì)象物吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體。因此，在吹出反應(yīng)氣體時(shí)，對(duì)于從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L，使從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L盡可能地均衡化。因此，在對(duì)象物上的相同的碳納米管形成面中，減少在其碳納米管形成面的各部位形成的碳納米管的特性差異。(3)本發(fā)明的形態(tài)3所涉及的碳納米管制造裝置是在具有用于形成碳納米管的碳納米管形成面的對(duì)象物上制造碳納米管的碳納米管制造裝置，具備(i)基體，(ii)氣體通路形成構(gòu)件，其設(shè)于基體，具有·隔著間隔與對(duì)象物的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)對(duì)象物的碳納米具有管形成面的面方向延設(shè)的對(duì)面壁；在對(duì)面壁以貫通其的方式形成的多個(gè)吹出口 ；以及，利用對(duì)面壁沿著延設(shè)對(duì)象物的碳納米管形成面的面方向延設(shè)且與吹出口連通的氣體供給室和與反應(yīng)室連通的氣體排出通路，(iii)加熱源，其設(shè)于基體，使對(duì)象物的碳納米管形成面、氣體通路形成構(gòu)件、反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度。氣體供給室隔著間隔與容納于反應(yīng)室中的對(duì)象物的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)碳納米管形成面的面方向延設(shè)。多個(gè)吹出口使氣體供給室與反應(yīng)室連通且向反應(yīng)室內(nèi)的對(duì)象物吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體。因此，在吹出反應(yīng)氣體時(shí)，對(duì)于從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L，使從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L盡可能地均衡化。因此，在相同的碳納米管形成面中，減少在其相同的碳納米管形成面上形成的碳納米管的差異。根據(jù)本發(fā)明所涉及的碳納米管設(shè)備，搭載相互特性(例如碳納米管的長度、直徑、每單位面積的根數(shù)、層數(shù)、結(jié)晶性、缺陷量、官能團(tuán)種類、官能團(tuán)量、密度、重量、分布等中的至少一個(gè))不同的第I碳納米管和第2碳納米管，有利于設(shè)備的特性混合化。根據(jù)本發(fā)明所涉及的碳納米管制造方法和碳納米管制造裝置，氣體供給室隔著間隔與容納在反應(yīng)室中的對(duì)象物的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)碳納米管形成面的面方向延設(shè)。多個(gè)吹出口使氣體供給室與反應(yīng)室連通且向反應(yīng)室內(nèi)的對(duì)象物吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體。因此，在吹出反應(yīng)氣體時(shí)，對(duì)于從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L，使從各吹出口到對(duì)象物的碳納米管形成面的最短距離L盡可能地均衡化。因此，在相同的碳納米管形成面中，減少在其相同碳納米管形成面形成的碳納米管的差異。


圖1涉及制造方式1，表示碳納米管制造裝置概念的截面圖。圖2涉及制造方式I，是碳納米管制造裝置沿不同方向的截面圖。圖3涉及制造方式1，是碳納米管制造裝置要部的平面圖。圖4涉及制造方式1，表示第I吹出口和第2吹出口與物體的關(guān)系的截面圖。圖5涉及比較例1，表示形成在物體上的碳納米管特性的電子顯微鏡照片圖。圖6涉及實(shí)施例1，是表示形成在物體上的碳納米管特性的電子顯微鏡照片圖。圖7涉及實(shí)施例2，是表示形成在物體上的碳納米管特性的電子顯微鏡照片圖。圖8涉及制造方式3，是表示碳納米管制造裝置概念的截面圖。圖9涉及制造方式4，是表示碳納米管制造裝置概念的截面圖。圖10涉及制造方式5，是碳納米管制造裝置沿不同方向的截面圖。圖11涉及制造方式6，是表示碳納米管制造裝置概念的截面圖。圖12涉及制造方式7 ，是表示碳納米管制造裝置概念的截面圖。圖13涉及實(shí)施方式2，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。圖14涉及實(shí)施方式2，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。圖15A涉及實(shí)施方式3，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。圖15B涉及實(shí)施方式3，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。圖16涉及實(shí)施方式4，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。圖17涉及實(shí)施方式5，是表示碳納米管設(shè)備概念的截面圖。符號(hào)說明I表示物體(對(duì)象物)，11表示第I碳納米管形成面，12表示第2碳納米管形成面，101表示第I碳納米管，102表示第2碳納米管，108表示碳納米管元件，14表示側(cè)端面，15表示側(cè)端面，2表示裝置主體(基體)，3表示通路形成構(gòu)件，30表示反應(yīng)室，31表示第I對(duì)面壁，32表示第2對(duì)面壁，33表示第I氣體排出通路，34表示第2氣體排出通路，38表示第I出口，39表示第2出口，41表示第I吹出口，42表示第2吹出口，51表示第I氣體供給室，52表示第2氣體供給室，71表示第I加熱源，72表示第2加熱源，81表示第I供給通路，82表示第2供給通路。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行說明。(實(shí)施方式I)概要說明實(shí)施方式I所涉及的碳納米管設(shè)備具有碳納米管元件。碳納米管元件具備具有相互反向的第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面的物體和形成于物體的第I碳納米管形成面的第I碳納米管以及形成于物體的第2碳納米管形成面的第2碳納米管。第I碳納米管和第2碳納米管在物理性質(zhì)(也包括形狀、尺寸)和/或化學(xué)性質(zhì)等方面相互特性不同。在此，特性可以是指碳納米管的長度、直徑(粗細(xì))、每單位面積根數(shù)、總根數(shù)、碳納米管的層數(shù)(碳納米管有I層筒結(jié)構(gòu)、2層等的多層筒結(jié)構(gòu)等)、結(jié)晶性(G/D比拉曼分光分析的G帶與D帶之比)、缺陷量、官能團(tuán)種類、官能團(tuán)量、密度(碳納米管群的密度)、重量、它們的分布等中的至少I個(gè)。
如果碳納米管的長度長，則一般來說電極表面積大、擔(dān)載性好。如果碳納米管的直徑粗，則一般來說擔(dān)載性好。如果碳納米管的直徑細(xì)，則一般來說電解液的浸滲性高，電解液所含有的離子傳導(dǎo)性高。如果碳納米管的根數(shù)多，則一般來說電極表面積大，擔(dān)載性好。如果碳納米管的根數(shù)少，則鄰接的碳納米管間的間隙增大，一般來說，電解液的浸滲性增高，電解液所含有的離子傳導(dǎo)性增高。如果碳納米管的結(jié)晶性低，則由于石墨烯片的缺損部而擔(dān)載性變好。如果碳納米管的結(jié)晶性高，則石墨烯片變良好，導(dǎo)電性增高。如果碳納米管的密度高，則一般來說電極表面積大，擔(dān)載性好。如果碳納米管的密度低，則一般來說電解液的浸滲性增高，電解液所含有的離子傳導(dǎo)性增高。如果碳納米管的重量大，則擔(dān)載性高。碳納米管的分布對(duì)擔(dān)載性有影響。在此所謂擔(dān)載性好是指容易將粒子等功能材料附著于碳納米管。例如，Li離子電容器時(shí)，由于鈦酸鋰粒子(電位控制粒子)擔(dān)載性良好而使負(fù)極電位降低，使容量性能增加。高分子型燃料電池時(shí)，由于鉬粒子(催化劑粒子)擔(dān)載性良好而促進(jìn)電極中的氧化反應(yīng)或還原反應(yīng)，使輸出性能增加。這樣為了在第I碳納米管和第2碳納米管中使特性變更，優(yōu)選使基板等物體的表面粗糙度、擔(dān)載于物體的第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面的催化劑擔(dān)載量、催化劑組成、催化劑密度、催化劑的直徑、反應(yīng)氣體每單位時(shí)間的流量、第I碳納米管形成面與第2碳納米管形成面上的反應(yīng)氣體的流量比、流速、反應(yīng)氣體種類、反應(yīng)氣體的溫度、反應(yīng)氣體流方向、反應(yīng)氣體導(dǎo)入口的大小、間距、第I碳納米管形成面與第2碳納米管形成面的溫度、加熱源的輸出等因素中的至少I個(gè)變更。如果使物體的溫度和/或反應(yīng)氣體的溫度相對(duì)地降低，則可以使石墨烯片(多個(gè)碳原子結(jié)合而形成的網(wǎng))上的缺損部相對(duì)地增加，并使碳納米管的結(jié)晶性相對(duì)地降低。如果在制造時(shí)調(diào)整保持在基板上的催化劑的粒徑，則可以調(diào)整碳納米管的直徑或調(diào)整碳納米管的層數(shù)。碳納米管的密度易受碳納米管的層數(shù)和/或每單位面積的碳納米管的根數(shù)的影響。如果層數(shù)和/或根數(shù)增加，則密度增加。碳納米管的重量易受碳納米管的密度和/或碳納米管的長度的影響。如果密度高、長度長，則碳納米管的重量增加。例如，圖13，圖14、圖16所示，可以以如下方式并列設(shè)置多個(gè)碳納米管元件S卩，配置成鄰接的二個(gè)碳納米管 元件的第I碳納米管彼此對(duì)峙且鄰接的二個(gè)碳納米管元件的第2碳納米管彼此對(duì)峙。另外，如圖15、圖17所示，可以以如下方式并列設(shè)置多個(gè)碳納米管元件S卩，配置成鄰接的二個(gè)碳納米管元件的第I碳納米管和第2碳納米管彼此對(duì)峙。在設(shè)備為電部件或電子部件時(shí)，物體優(yōu)選具有導(dǎo)電性，可以例示銅、銅合金、鐵、鐵合金(也包括不銹鋼)、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金。在設(shè)備不是電部件時(shí)，也可以不具有導(dǎo)電性。作為該碳納米管設(shè)備，不限于電容器，對(duì)于燃料電池、鋰電池、太陽能電池、金屬-空氣電池等設(shè)備也可以適用。根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供搭載有相互特性不同的第I碳納米管和第2碳納米管，有利于設(shè)備的特性混合化的新型碳納米管設(shè)備。(實(shí)施方式2)長度不同的CNT的并列連接圖13和圖14表示實(shí)施方式2所涉及的碳納米管設(shè)備。碳納米管設(shè)備構(gòu)成使電荷進(jìn)行蓄電的電容器，以使長度不同的CNT并列連接的方式組裝多個(gè)碳納米管元件108而構(gòu)成。如圖14所示，單個(gè)碳納米管元件108具備(i)具有相互反向的平坦的第I碳納米管形成面11和第2碳納米管形成面12的物體I (對(duì)象物)，(ii)以立設(shè)于物體I的第I碳納米管形成面11的方式大致垂直于第I碳納米管形成面11地延伸的、并行形成的多個(gè)第I碳納米管101，和(iii)以立設(shè)于物體I的第2碳納米管形成面12的方式大致垂直于第2碳納米管形成面12延伸的、并行形成的多個(gè)第2碳納米管102。這樣的碳納米管元件108與電解液205 —起密閉在箱體200中。作為電解液205，可以采用電容器中使用的公知的電解液。物體I呈板狀，由鐵、鐵合金、銅、銅合金等導(dǎo)電性金屬形成，具有導(dǎo)電性。第I碳納米管101 (CNT)和第2碳納米管102 (CNT)除去長度以為基本上是相同的特性。其中，第I碳納米管101的長度比第2碳納米管102的長度長。長度長的第I碳納米管101的表面積大，擔(dān)載物質(zhì)的擔(dān)載量也大。長度短的第2碳納米管102能夠?qū)崿F(xiàn)提高了離子傳導(dǎo)率的電極。 如圖13所示，碳納米管元件108沿著箭頭EA方向多個(gè)并列設(shè)置。圖13所示的碳納米管元件108由多個(gè)正極用碳納米管元件108p和多個(gè)負(fù)極用碳納米管元件108n構(gòu)成，所述正極用碳納米管元件108p以形成在共用物體I上的第I碳納米管101和第2碳納米管102為正極側(cè)，所述負(fù)極用碳納米管元件108n以形成在共用物體I上的第I碳納米管101和第2碳納米管102為負(fù)極側(cè)。如圖13所示，多個(gè)正極用碳納米管元件108p的物體I通過第I電導(dǎo)通路If與正極側(cè)(+)電連接。多個(gè)負(fù)極用碳納米管元件108n的物體I通過第2電導(dǎo)通路Is與負(fù)極側(cè)(_)電連接。根據(jù)本實(shí)施方式，如圖13所示，基于相互鄰接的二個(gè)碳納米管元件108，第I碳納米管101和第2碳納米管102介由隔尚件300f、300s對(duì)稱地配置。[!卩，如圖13所不,根據(jù)相互鄰接的二個(gè)碳納米管元件108 (108n，108p)，相互鄰接的物體I與相互不同的極電連接。因此，相互鄰接的元件108 (108n，108p)分別與不同的極電連接。并且，元件108n的第I碳納米管101 (負(fù)極)與鄰接于元件108n的元件108p的第I碳納米管101 (正極)介由隔離件300f互相對(duì)峙。同樣地元件108p的第2碳納米管102 (正極)與鄰接于元件108p的元件108n的第2碳納米管102 (負(fù)極)介由隔離件300s互相對(duì)峙。因此，如圖13所示，在多個(gè)元件108并列設(shè)置的方向(箭頭EA方向)上，依次配置有第I碳納米管101、第I碳納米管101、第2碳納米管102，第2碳納米管102、第I碳納米管101、第I碳納米管101、第2碳納米管102、第2碳納米管102……。換言之，如圖13、圖14所示，相同特性(基本上相同長度)的第I碳納米管101，101彼此介由隔離件300f作為異極元件彼此對(duì)峙。相同特性(基本上相同長度)的第2碳納米管102、102彼此介由隔離件300s作為異極元件彼此對(duì)峙。換言之，在鄰接的彼此為異極的元件108n、108p中，相同特性(相同長度)且彼此為異極的第I碳納米管101、101彼此介由隔離件300f相對(duì)峙。在鄰接的異極元件108n、108p上，相同特性(相同長度)且彼此為異極的第2碳納米管102、102彼此介由隔離件300s相對(duì)峙。這樣形成長度不同的碳納米管101，102的并列連接。如圖13所示，第I碳納米管101的長度比第2碳納米管102的長度長。長度長的第I碳納米管101彼此介由第I隔離件300f互相對(duì)峙，且因表面積相對(duì)地大，構(gòu)成高容量單組件。與之相對(duì)，長度短的第2碳納米管102彼此介由第2隔離件300s互相對(duì)峙，因電阻低，構(gòu)成高輸出單組件。此外，隔離件300f、300s具有對(duì)溶解于電解液的陰離子和陽離子的透過性，并且具有高的電絕緣性。
根據(jù)這樣的本實(shí)施方式，能使利用短碳納米管(低電阻)的高輸出單組件和利用長碳納米管(高表面積)的高容量單組件并列層疊，因此，能夠在組件水平上使輸出功能與容量功能雙方混合化。即，如圖14所示，能夠使具有高輸出功能的碳納米管元件108和具有高容量功能的碳納米管元件108混合化。這樣根據(jù)本實(shí)施方式,能夠提供一種新型的碳納米管設(shè)備，其可搭載相互特性不同的第I碳納米管101和第2碳納米管102，有利于使設(shè)備的特性混合化。優(yōu)選通常負(fù)荷時(shí)由高容量電池放電，高負(fù)荷時(shí)由高輸出電池放電。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，可以采用沿著對(duì)于物體I的面方向基本垂直方向使反應(yīng)氣體流入的方法來形成第I碳納米管101和第2碳納米管102?；蛘咭部梢圆捎醚刂矬wI的面方向使反應(yīng)氣體流入的方法來形成第I碳納米管101和第2碳納米管102。(實(shí)施方式3)結(jié)晶性不同的CNT的串聯(lián)連接圖15A、圖15B表示實(shí)施方式3所涉及的碳納米管設(shè)備。碳納米管設(shè)備構(gòu)成對(duì)電荷進(jìn)行蓄電的電容器，組裝多個(gè)碳納米管元件108而構(gòu)成。如圖15A所示，碳納米管元件108具備(i)具有相互反向的平坦的第I碳納米管形成面11和第2碳納米管形成面12的物體1，(ii)以立設(shè)于物體I的第I碳納米管形成面11的方式大致垂直于第I碳納米管形成面11延伸地形成的第I碳納米管101，以及(iii)以立設(shè)于物體I的第2碳納米管形成面12的方式大致垂直于第2碳納米管形成面12延長地形成的第2碳納米管102。如圖15A所示，對(duì)于鄰接的碳納米管元件108而言，第I碳納米管101和第2碳納米管102介由省略圖示的隔離件，作為相互非對(duì)稱的配置被配置。因此，對(duì)于鄰接的碳納米管元件108而言，特性不同且相互為異極的第I碳納米管101和第2碳納米管102，介由省略圖示的隔離件串聯(lián)配置。這樣形成結(jié)晶性不同的碳納米管的串聯(lián)連接。所以，如圖15A所示，在并列設(shè)置有多個(gè)元件108的方向(箭頭EA方向)上，依次配置有第2碳納米管102、第I碳納米管101，第2碳納米管102、第I碳納米管101，第2碳納米管102、第I碳納米管101。如圖15B所示，并列設(shè)置有多個(gè)碳納米管元件108。圖15B所示的碳納米管元件108以在共用物體I上形成的第I碳納米管101為負(fù)極，以第2碳納米管102為正極。通過將多 個(gè)碳納米管元件108在箱體200的內(nèi)部串聯(lián)連接，能夠獲取高的電動(dòng)勢(shì)。物體I是形成基板的板狀，由鐵、鐵合金、銅、銅合金、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金等導(dǎo)電性金屬形成，呈導(dǎo)電性。第I碳納米管101和第2碳納米管102基本上是相同的特性。其中，第I碳納米管101的結(jié)晶性比第2碳納米管102的結(jié)晶性低。這樣第I碳納米管101具有低結(jié)晶性。對(duì)于低結(jié)晶性的碳納米管而言，構(gòu)成碳納米管的筒形狀石墨烯片的缺損部多，由此認(rèn)為電位控制粒子的擔(dān)載性高。對(duì)于高結(jié)晶性的碳納米管而言，構(gòu)成碳納米管的筒形狀石墨烯片的缺損部少，可得到高的導(dǎo)電性。這樣根據(jù)本實(shí)施方式，在單面分別形成高結(jié)晶性的碳納米管正極(以導(dǎo)電性為目標(biāo))和低結(jié)晶性碳納米管負(fù)極，由此能夠兼得高輸出和高容量化。尤其是在應(yīng)用于鋰離子電容器時(shí)，在單面分別形成長的碳納米管正極(以導(dǎo)電性為目標(biāo))和低結(jié)晶性碳納米管負(fù)極，能夠兼得高輸出和高容量化。而且，根據(jù)本制造方式，通過使碳納米管正極和碳納米管負(fù)極同時(shí)形成而能夠使生產(chǎn)率提高。根據(jù)本實(shí)施方式，第I碳納米管101的結(jié)晶性比第2碳納米管102的結(jié)晶性低，但相反也可以。在圖15A中，省略箱體200、電解液205的圖示。(實(shí)施方式4)結(jié)晶性不同的CNT的并列連接
圖16表示實(shí)施方式4所涉及的碳納米管設(shè)備。碳納米管設(shè)備構(gòu)成對(duì)電荷進(jìn)行蓄電的電容器，組裝多個(gè)碳納米管元件108而構(gòu)成。如圖16所示，碳納米管元件108具備(i)具有相互反向的平坦的第I碳納米管形成面11和第2碳納米管形成面12的物體1，(ii)以立設(shè)于物體I的第I碳納米管形成面11的方式大致垂直于第I碳納米管形成面11延伸地形成的第I碳納米管101，以及(iii)以立設(shè)于物體I的第2碳納米管形成面12的方式大致垂直于第2碳納米管形成面12延伸地形成的第2碳納米管102。在本實(shí)施方式中，如圖16所示，對(duì)于鄰接的碳納米管元件108而言，低結(jié)晶性的第I碳納米管101和高結(jié)晶性的第2碳納米管102介由省略圖示的隔離件作為相互對(duì)稱的配置被配置。因此，如圖16所示，在元件108的并列設(shè)置方向(箭頭EA方向)上，依次配置有第2碳納米管102、第I碳納米管101、第I碳納米管101、第2碳納米管102、第2碳納米管102……。因此，如圖16所示，低結(jié)晶性的第I碳納米管101、101彼此相對(duì)，高結(jié)晶性的第2碳納米管102、102彼此相對(duì)。低結(jié)晶性的第I碳納米管101 —般表面積大。與此相對(duì)，高結(jié)晶性的第2碳納米管102形成良好的筒狀石墨烯片，因此相對(duì)而言導(dǎo)電性好。因此，如圖16所示，以低結(jié)晶性的第I碳納米管101彼此相對(duì)，高結(jié)晶性的第2碳納米管102彼此的方式層疊而并列連接，由此能使高輸出功能與高容量功能混合化。這樣根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供搭載有在結(jié)晶性方面相互特性不同的第I碳納米管101和第2碳納米管102的，有利于使設(shè)備特性混合化的新型碳納米管設(shè)備。根據(jù)本實(shí)施方式，第I碳納米管101的結(jié)晶性比第2碳納米管102的結(jié)晶性低，但相反也可以。在圖16中，省略箱體200、電解液205的圖示。(實(shí)施方式5)粗細(xì)不同的CNT的串聯(lián)連接 圖17表示實(shí)施方式5所涉及的碳納米管設(shè)備。直徑大的粗第I碳納米管101 —般來說擔(dān)載性好，因此易于通過擔(dān)載鈦酸鋰粒子等粒子來作為負(fù)極發(fā)揮功能。與此相對(duì)，直徑小的細(xì)第2碳納米管102相對(duì)而言電解液的浸滲性好，可以用作離子傳導(dǎo)優(yōu)異的正極。如圖17所示，通過以粗第I碳納米管101和細(xì)第2碳納米管102相對(duì)的方式進(jìn)行層疊而串聯(lián)連接，從而能夠以高生產(chǎn)率制造高電動(dòng)勢(shì)的電容器。如圖17所示，對(duì)于鄰接的碳納米管元件108而言，粗第I碳納米管101和細(xì)第2碳納米管102介由省略圖示的隔離件相互作為非對(duì)稱的配置被配置。因此，如圖17所示，在元件108的并列設(shè)置方向(箭頭EA方向)上，依次配置有細(xì)第2碳納米管102、粗第I碳納米管101、細(xì)第2碳納米管102、粗第I碳納米管101、細(xì)第2碳納米管102……。根據(jù)本實(shí)施方式，第I碳納米管101的結(jié)晶性比第2碳納米管102的結(jié)晶性低，但相反也可以。在圖16中，省略箱體200、電解液205的圖示。(制造方法的例示)在形成上述具有特性不同的碳納米管的碳納米管元件108時(shí)，可以例示下面的制
造方法。(i)實(shí)施準(zhǔn)備工序準(zhǔn)備具有用于形成碳納米管的碳納米管形成面的物體(對(duì)象物)，并且準(zhǔn)備氣體通路形成構(gòu)件和加熱源，所述氣體通路形成構(gòu)件具有反應(yīng)室、氣體供給室和多個(gè)吹出口，所述反應(yīng)室用于容納物體，所述氣體供給室隔著間隔與容納于反應(yīng)室中的物體的碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)碳納米管形成面的面方向延設(shè)，所述吹出口使氣體供給室與反應(yīng)室連通并且對(duì)反應(yīng)室吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體，所述加熱源將物體的碳納米管形成面、氣體通路形成構(gòu)件、反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度。接著，(ii)實(shí)施碳納米管形成工序在使物體的碳納米管形成面、氣體通路形成構(gòu)件、反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度的狀態(tài)下，將反應(yīng)氣體供給到氣體供給室，從而沿著與反應(yīng)室內(nèi)的延設(shè)物體的碳納米管形成面的面方向相交的方向，從吹出口向物體的碳納米管形成面吹出氣體供給室的反應(yīng)氣體，在物體的碳納米管形成面形成碳納米管。在該制造方法中，優(yōu)選的是在吹出反應(yīng)氣體時(shí)，將從各吹出口到物體的共同的碳納米管形成面的最短距離L作為100相對(duì)表示時(shí)，在各吹出口上設(shè)定為75 125的范圍內(nèi)，使從各吹出口到物體的碳納米管形成面的最短距離L均衡化。這種情況下，減少第I碳納米管的全體的差異。同樣地減少第2碳納米管的差異。優(yōu)選的是物體的碳納米管形成面具有第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面，獨(dú)立地控制在第I碳納米管形成面上形成碳納米管的第I操作和在第2碳納米管形成面上形成碳納米管的第2操作。這種情況下，如果分別獨(dú)立地控制第I操作和第2操作，則能夠改變?cè)诘贗碳納米管形成面上由第I操作形成的碳納米管的特性和在第2碳納米管形成面上由第2操作形成的碳納米管的特性。另外，生產(chǎn)上優(yōu)選同時(shí)實(shí)施第I操作和第2操作，但也可以時(shí)間上不重疊的方式錯(cuò)開時(shí)間地實(shí)施。并且，第I操作和第2操作也可以時(shí)間上一部分重疊地錯(cuò)開時(shí)間實(shí)施。優(yōu)選的是從多個(gè)吹·出口的中心線向物體延伸的延長線以如下方式設(shè)定對(duì)于延設(shè)物體的碳納米管形成面的面方向在規(guī)定角度(相當(dāng)于圖4所示的0 1、0 2，0 1、0 2 =7(T110° )以內(nèi)相交。這種情況下，在第I碳納米管形成面上減少第I碳納米管的全體的差異。在第2碳納米管形成面上減少第2碳納米管的全體的差異。優(yōu)選的是(a)物體的碳納米管形成面具有設(shè)在互相不同的位置(例如，物體作為基板時(shí)的表面、背面或側(cè)面)的第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面，(b)對(duì)面壁具有隔著第I間隔與物體的第I碳納米管形成面相對(duì)峙的第I對(duì)面壁和隔著第2間隔與物體的第2碳納米管形成面相對(duì)峙的第2對(duì)面壁，(c)吹出口具有形成在第I對(duì)面壁上的第I吹出口和形成在第2對(duì)面壁上的第2吹出口，(d)氣體供給室具有與第I氣體供給源連接并且與第I吹出口連通的第I氣體供給室和與第2氣體供給源連接并且與第2吹出口連通的第2氣體供給室，Ce)加熱源具有第I加熱源和第2加熱源，所述第I加熱源將用于在第I碳納米管形成面上形成碳納米管的第I反應(yīng)氣體、物體的第I碳納米管形成面、第I氣體供給室中的至少一個(gè)加熱到第I碳納米管形成溫度，所述第2加熱源將用于在第2碳納米管形成面上形成碳納米管的第2反應(yīng)氣體、物體的第2碳納米管形成面、第2氣體供給室中的至少一個(gè)加熱到第2碳納米管形成溫度。這種情況下，能夠獨(dú)立地控制在第I碳納米管形成面上形成碳納米管的第I操作和在第2碳納米管形成面上形成碳納米管的第2操作。這種情況下，如果分別獨(dú)立地控制第I操作和第2操作，則能夠容易地改變?cè)诘贗碳納米管形成面上由第I操作形成的碳納米管的特性和在第2碳納米管形成面上由第2操作形成的碳納米管的特性。第I操作和第2操作可以如前所述地在時(shí)間上同時(shí)進(jìn)行，也可以時(shí)間上錯(cuò)開進(jìn)行。優(yōu)選的是在形成碳納米管時(shí)，可以用一對(duì)第I設(shè)置部夾持物體的一端側(cè)，并且用一對(duì)第2設(shè)置部夾持物體的另一端側(cè)。然后，通過使第I設(shè)置部與第2設(shè)置部在沿著物體的面方向相對(duì)分離的方向位移，對(duì)物體的面方向提供張力，抑制物體過度的撓曲變形。這種情況下，對(duì)于每單位時(shí)間而言，即使從第I吹出口吹出的第I反應(yīng)氣體每單位時(shí)間的流量、與從第2吹出口吹出的第2反應(yīng)氣體每單位時(shí)間的流量不相等的情況下，也可以抑制物體的碳納米管形成面向物體的厚度方向位移。也可以如此地對(duì)物體的面方向提供張力的同時(shí)在物體上形成碳納米管。優(yōu)選的是氣體通路形成構(gòu)件的氣體排出通路的出口配置在與物體的側(cè)端面相對(duì)峙的位置。這種情況下，與物體的碳納米管形成面接觸的反應(yīng)氣體能夠在使碳納米管形成后迅速地從氣體排出通路排出。因此，可以抑制形成碳納米管后的反應(yīng)完的氣體殘留于反應(yīng)室。這種情況下，能夠?qū)π纬闪己玫奶技{米管有貢獻(xiàn)。在碳納米管形成反應(yīng)中，對(duì)碳源和工藝條件沒有特別限定。作為供給形成碳納米管的碳的碳源，可以例示烷烴、烯烴、炔烴等脂肪族烴、醇、醚等脂肪族化合物、芳香族烴等芳香族化合物。因此，可以例示作為碳源使用醇系原料氣體、烴系原料氣體的CVD法(熱CVD，等離子體CVD、遠(yuǎn)程等離子體CVD法等)。作為醇系原料氣體，可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等的氣體。并且，作為烴系原料氣體，可以例示甲烷氣體、乙烷氣體、乙炔氣體、丙烷氣體等。(制造方式I)圖廣圖4表示制造方式I。用于形成碳納米管的物體1(對(duì)象物)具有互相反向的第I碳納米管形成面11和第I碳納米管形成面12。碳納米管制造裝置在第I碳納米管形成面11上形成第I碳納米管，在第2碳納米管形成面12上形成第2碳納米管。在此，如圖r圖3所示，物體I呈平坦的基板狀，其具有相互反向的、二維方式延設(shè)的平坦的第I碳納米管形成面11和二維方式并列設(shè)置的平坦的第2碳納米管形成面12。對(duì)物體I的材質(zhì)沒有特別限定，可以例示硅、金屬等。作為金屬，可以例示鐵、鈦、銅、鋁、鐵合金(包括不銹鋼)、鈦合金、銅合金、鋁合金等?？蓮膱D3理解，第I碳納米管形成面11和第2碳納米管形成面12形成為在二維方向上延伸的平坦?fàn)?，在作為一個(gè)方向的X方向(長度方向)和作為與其相交(直交)的另一方向的Y方向(寬度`方向)上延伸。在物體I的碳納米管形成面11、12上優(yōu)選存在催化劑。作為催化劑，通常使用過渡金屬。特別優(yōu)選V 珊族的金屬。根據(jù)碳納米管集合體密度的目標(biāo)值等，例如可以例示鐵、鎳、鈷、鑰、銅、鉻、釩、鎳釩、鈦、鉬、鈀、銠、釕、銀、金以及它們的合金。催化劑優(yōu)選為A-B系的合金。在此，A優(yōu)選鐵、鈷、鎳之中的至少I種，B優(yōu)選鈦、釩、鋯、鈮、鉿、鉭之中的至少I種。這種情況下，優(yōu)選含有鐵-鈦系合金、鐵-釩系合金之中的至少I種。并且，可以舉出鈷_鈦系合金、鈷-f凡系合金、鎳-鈦系合金、鎳-f凡系合金、鐵-錯(cuò)系合金、鐵-銀系合金。在為鐵-鈦系合金時(shí)，可以例示以質(zhì)量比計(jì)鈦為10%以上、30%以上、50%以上、70%以上(其余為鐵)、90%以下。在為鐵-釩系合金時(shí)，可以例示以質(zhì)量比計(jì)釩為10%以上、30%以上、50%以上、70%以上(其余為鐵)、90%以下。圖1所示的裝置主體2 (基體)形成碳納米管制造裝置的基體。供給反應(yīng)氣體的氣體通路形成構(gòu)件3設(shè)在裝置主體2上。如圖1和圖2所示，氣體通路形成構(gòu)件3具有具有容納物體I的容積的反應(yīng)室30，隔著第I間隔El (最短間隔)與物體I的第I碳納米管形成面11相對(duì)峙的第I對(duì)面壁31，以及隔著第2間隔E2與物體I的第2碳納米管形成面12相對(duì)峙的第2對(duì)面壁32。可以使El = E2或E1^E2(例如E1/E2 = 0. 85 1. 15)。并且，根據(jù)情況，對(duì)于第I碳納米管101和第2碳納米管102，在使特性(碳納米管的長度、直徑、每單位面積的根數(shù)、層數(shù)、結(jié)晶性、缺陷量、官能團(tuán)種類、官能團(tuán)量、密度、重量、分布等中的至少一個(gè))變化時(shí)，可以為El < E2，也可以為El > E2。如圖1和圖2所示，第I對(duì)面壁31，與物體I的第I碳納米管形成面11基本平行，沿著延設(shè)物體I的第I碳納米管形成面11的第I面方向(箭頭SI方向)以二維方式延設(shè)，在上述X方向和Y方向上延設(shè)。這種情況下，有利于抑制形成在物體I的第I碳納米管形成面11的第I碳納米管101的全體的差異。第2對(duì)面壁32，與物體I的第2碳納米管形成面12基本平行，沿著延設(shè)物體I的第2碳納米管形成面12的面方向(箭頭S2方向)以二維方式延設(shè)，在上述X方向和Y方向上延設(shè)。這種情況下，有利于減少形成在物體I的第2碳納米管形成面12的第I碳納米管101的全體的差異。如圖1和圖2所示，氣體通路形成構(gòu)件3具有多個(gè)第I吹出口 41、多個(gè)第2吹出口 42、第I氣體供給室51、第2氣體供給室52、第I氣體排出通路33和第2氣體排出通路34，其中，所述第I吹出口 41在第I對(duì)面壁31上以在厚度方向貫通其的方式形成，所述第2吹出口 42在第2對(duì)面壁32上以在厚度方向貫通其的方式形成，所述第I氣體供給室51是利用第I對(duì)面壁31沿著延設(shè)物體I的第I碳納米管形成面11的第I面方向(SI方向)延設(shè)的，并且與第I吹出口 41連通，所述第2氣體供給室52是利用第2對(duì)面壁32沿著延設(shè)物體I的第2碳納米管形成面12的第2面方向(S2方向)延設(shè)的，并且與第2吹出口 42連通，所述第I氣體排出通路33與反應(yīng)室30介由它的第I出口 38連通(參照?qǐng)D2)，所述第2氣體排出通路34與反應(yīng)室30介由它的第2吹出口 39連通(參照?qǐng)D2)。第I吹出口 41與物體I的第I碳納米管形成面11相對(duì)。第2吹出口 42與物體I的第2碳納米管形成面12相對(duì)。

如圖2所示，第I氣體供給室51，以相對(duì)于物體I的第I碳納米管形成面11的方式形成，呈箱狀通路，具有比物體I的寬度尺寸D2大的寬度尺寸D20。第2氣體供給室52，以相對(duì)于物體I的第I碳納米管形成面11的方式形成，呈箱狀通路，具有比物體I的寬度尺寸D2大的寬度尺寸D20。如圖2所示，箱狀通路呈在二維方向(X方向，Y方向)上延設(shè)的扁平的箱狀通路。這是為了盡可能垂直且均勻地對(duì)第I碳納米管形成面11噴射第I反應(yīng)氣體，從而盡可能均勻地形成第I碳納米管101。并且，為了盡可能垂直且均勻地對(duì)第2碳納米管形成面12噴射第2反應(yīng)氣體，從而盡可能均勻地形成第2碳納米管102。此外，將第I氣體供給室51的流路橫截面積為SAl、第2氣體供給室52的流路橫截面積為SA2時(shí)，可以為SAl = SB2，SA1 4SB權(quán)利要求
1.一種碳納米管設(shè)備，具備碳納米管元件，所述碳納米管元件具備 具有第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面的物體， 形成在所述物體的所述第I碳納米管形成面的第I碳納米管，和 形成在所述物體的所述第2碳納米管形成面且相對(duì)于所述第I碳納米管特性不同的第2碳納米管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管設(shè)備，其中，所述特性是所述碳納米管的長度、直徑、每單位面積的根數(shù)、層數(shù)、結(jié)晶性、缺陷量、官能團(tuán)種類、官能團(tuán)量、密度、重量、分布等中的至少I個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米管設(shè)備，其中，并列設(shè)置有多個(gè)所述碳納米管元件，并以如下方式配置鄰接的所述碳納米管元件的所述第I碳納米管彼此互相對(duì)峙，并且鄰接的所述碳納米管元件的所述第2碳納米管彼此互相對(duì)峙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米管設(shè)備，其中，并列設(shè)置有多個(gè)所述碳納米管元件，并以如下方式配置互相鄰接的所述碳納米管元件的所述第I碳納米管和所述第2碳納米管相互對(duì)峙。
5.一種碳納米管制造方法，其特征在于，實(shí)施如下的(i )準(zhǔn)備工序和(ii )碳納米管形成工序， (i)準(zhǔn)備工序準(zhǔn)備具有用于形成碳納米管的碳納米管形成面的對(duì)象物， 并且準(zhǔn)備具有反應(yīng)室、氣體供給室和多個(gè)吹出口的氣體通路形成構(gòu)件以及加熱源，所述反應(yīng)室用于容納所述對(duì)象物，所述氣體供給室隔著間隔與容納于所述反應(yīng)室中的所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面相對(duì)峙且沿著延設(shè)所述碳納米管形成面的面方向延設(shè)，所述多個(gè)吹出口使所述氣體供給室與所述反應(yīng)室連通并且向所述反應(yīng)室吹出所述氣體供給室的反應(yīng)氣體，所述加熱源使所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面、所述氣體通路形成構(gòu)件、所述反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度， (ii)碳納米管形成工序在使所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面、所述氣體通路形成構(gòu)件、所述反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度的狀態(tài)下，將所述反應(yīng)氣體供給到所述氣體供給室，從而沿著與所述反應(yīng)室內(nèi)的延設(shè)所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的面方向相交的方向，從所述吹出口向所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面吹出所述氣體供給室的所述反應(yīng)氣體，在所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面上形成所述碳納米管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管制造方法，其中，在吹出所述反應(yīng)氣體時(shí)，將從所述吹出口到所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的最短距離L相對(duì)表示為100時(shí)，對(duì)于各所述吹出口而言，最短距離L設(shè)定為75 125的范圍內(nèi)，對(duì)于各所述吹出口使從各所述吹出口到所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的最短距離L均衡化。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的碳納米管制造方法，其中，所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面具有第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面，并且，獨(dú)立地控制在所述第I碳納米管形成面上形成所述碳納米管的第I操作、和在所述第2碳納米管形成面上形成所述碳納米管的第2操作。
8.—種碳納米管制造裝置，是在具有用于形成碳納米管的碳納米管形成面的對(duì)象物上制造碳納米管的碳納米管制造裝置，具備 (i)基體，( )氣體通路形成構(gòu)件，其設(shè)于所述基體，具有隔著間隔與所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面相對(duì)峙并且沿著延設(shè)所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的面方向延設(shè)的對(duì)面壁，在所述對(duì)面壁以貫通所述對(duì)面壁的方式形成的多個(gè)吹出口，利用所述對(duì)面壁沿著延設(shè)所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的面方向延設(shè)且與所述吹出口連通的氣體供給室，以及與所述反應(yīng)室連通的氣體排出通路， (iii)加熱源，其設(shè)于所述基體，使所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面、所述氣體通路形成構(gòu)件、所述反應(yīng)氣體中的至少一個(gè)加熱到碳納米管形成溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳納米管制造裝置，其中，將從各所述吹出口的中心線向所述對(duì)象物延伸的延長線以如下方式設(shè)定對(duì)于延設(shè)所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面的面方向以規(guī)定角度Θ以內(nèi)進(jìn)行相交，其中，θ =7(Γ110°。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的碳納米管制造裝置，其中，所述對(duì)象物的所述碳納米管形成面具有設(shè)于相互不同位置的第I碳納米管形成面和第2碳納米管形成面， 所述對(duì)面壁具有隔著第I間隔與所述對(duì)象物的所述第I碳納米管形成面相對(duì)峙的第I對(duì)面壁和隔著第2間隔與所述對(duì)象物的所述第2碳納米管形成面相對(duì)峙的第2對(duì)面壁， 所述吹出口具有形成在所述第I對(duì)面壁的第I吹出口和形成在所述第2對(duì)面壁的第2吹出口， 所述氣體供給室具有與第I氣體供給通路連接并且與所述第I吹出口連通的第I氣體供給室和與第2氣體供給通路連接并且與所述第2吹出口連通的第2氣體供給室， 所述加熱源具有第I加熱源和第2加熱源，所述第I加熱源使在所述第I碳納米管形成面上形成所述碳納米管的第I反應(yīng)氣體、所述對(duì)象物的所述第I碳納米管形成面、所述第I氣體供給室中的至少一個(gè)加熱到第I碳納米管形成溫度，所述第2加熱源使在所述第2碳納米管形成面上形成碳納米管的第2反應(yīng)氣體、所述對(duì)象物的第2碳納米管形成面、所述第2氣體供給室中的至少一個(gè)加熱到第2碳納米管形成溫度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8 10中任一項(xiàng)所述的碳納米管制造裝置，其中，所述氣體通路形成構(gòu)件的所述反應(yīng)室的出口配置于與所述對(duì)象物的側(cè)端面相對(duì)峙的位置。
全文摘要
本發(fā)明提供搭載有相互特性不同的第1碳納米管和第2碳納米管的新型碳納米管設(shè)備。碳納米管設(shè)備具備具有第1碳納米管形成面(11)和第2碳納米管形成面(12)的物體(1)、形成在第1碳納米管形成面(11)的第1碳納米管(101)以及形成于第2碳納米管形成面(12)并相對(duì)于第1碳納米管特性不同的第2碳納米管(102)。
文檔編號(hào)C01B31/02GK103052593SQ20118003796
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者古池陽祐 申請(qǐng)人:愛信精機(jī)株式會(huì)社