專利名稱：利用低頻電磁波制備石墨烯的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種石墨烯的制備方法，尤其指一種利用低頻電磁波制備石墨烯膜的方法。
背景技術(shù)：
石墨烯(Graphene)為一由碳原子所構(gòu)成的二維材料,其碳原子間以SP2鍵結(jié)形式將六顆碳原子結(jié)合成六連環(huán)，再以六連環(huán)形式延伸至整個二維平面。由于其獨特的二維結(jié)構(gòu)，使得石墨烯的電子能以極高的速度傳輸，而得到良好的導(dǎo)電率及熱導(dǎo)率。再者，由于碳原子間的鍵結(jié)極強，使得石墨烯膜具有優(yōu)異的機械特性，并可應(yīng)用在可撓式組件上。另外，石墨烯的化性穩(wěn)定，對環(huán)境的容忍性佳，因此所制備的組件穩(wěn)定性也相當(dāng)優(yōu)異。合成石墨烯的方式有許多，如利用碳化硅(SiC)或銣(Ru)磊晶成長、或利用氧化還原法還原氧化石墨(Graphene Oxide, GO)等方式獲得石墨烯。目前，被視為主流的方式是利用化學(xué)氣相沉 積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)在過渡金屬基板上直接成長石墨烯薄膜，如在銅或鎳箔上。其碳源來自各種含碳的氣體，如甲烷或乙烯等。然而，上述的方法具有下列缺點，如:(I)工藝時間長，化學(xué)氣相沉積法所使用的高溫爐管并不適合快速升降溫，使得整個過程受限于升降溫過程；(2)高耗能，高溫爐管在加熱產(chǎn)品的同時也會加熱整個系統(tǒng)，造成多余的能量消耗；(3)碳源控制困難，由于化學(xué)氣相沉積法的碳源為甲烷或乙烯等氣體，由高溫裂解而得到碳原子，然而氣體在引入的過程中容易在不同位置形成不同大小的渦漩，增加工藝的不可控制性；(4)降溫速率控制困難，由于對整個系統(tǒng)加熱，使得大量熱量被儲存于系統(tǒng)當(dāng)中，因此在降溫的過程需要移除大量熱能而不易得到快速的降溫速率；以及(5)低溫度操作性，由于系統(tǒng)中含大量熱能，因此不易改變系統(tǒng)的溫度，以致于較難以復(fù)雜的溫度曲線對系統(tǒng)做操作。據(jù)此，上述缺點將會阻礙工業(yè)化石墨烯的量產(chǎn)。有鑒于此，目前亟需發(fā)展一種制程時間短、低耗能、易控制碳源、及降溫迅速且高穩(wěn)度操作性的石墨烯的制備方法，且該方法可更進一步降低制作成本并大規(guī)模量產(chǎn)石墨烯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用低頻電磁波制備石墨烯的方法，能以工藝時間短、低耗能，且能控制快速升降溫的改良性方法取代公知的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯，并且能降低制作成本并大規(guī)模量產(chǎn)石墨烯。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的石墨烯的制備方法，包括步驟:
(A)提供一基板；(B)形成一金屬層于該基板上；(C)提供一碳源，用以形成一含碳層，其位于該金屬層上；以及(D)利用低頻電磁波處理該金屬層表面上的該含碳層；其中，該低頻電磁波由一微波場裝置提供，由微波吸收子為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉(zhuǎn)換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使該含碳層的一碳原子獲得動能后于該金屬層的表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層。所述石墨烯的制備方法，其中，該微波場裝置包括:一磁控管，用以產(chǎn)生微波源；一隔離管，允許微波單向通行；一調(diào)整器，用于調(diào)整頻率；一波導(dǎo)管，用于傳導(dǎo)微波；以及，一反應(yīng)腔。所述石墨烯的制備方法,其中，該基板為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、一硅基板、一金屬基板或一陶瓷基板。所述石墨烯的制備方法，其中，當(dāng)該基板為一金屬基板時，該步驟(B)不存在。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層是以蒸鍍、濺渡、電鍍或無電鍍方式形成。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層的材質(zhì)為鎳、銅、釕、鐵、金或其合金。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層的厚度為20nm至25μπι。

所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該含碳層是以蒸鍍、濺渡、或涂布方式形成。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該碳源為有序碳、無序碳或碳基高分子。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該含碳層的厚度為5nm至lOOnm。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波為單頻模式或多頻模式。所述石墨烯的制備方法，其中，該低頻電磁波的單頻模式的頻率為945Hz或2450Hz ο所述石墨烯的制備方法，其中，該低頻電磁波的多頻模式的波長為945±50Hz或2450±50Hz。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波的功率為200瓦至1200 瓦。所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波的熱處理溫度為300。。至 1200。。。所述石墨烯的制備方法，其中，于步驟(D)后包括一步驟(E):關(guān)閉該微波場裝置，經(jīng)過降溫后，再次開啟該微波場裝置以形成第二層石墨烯層，由重復(fù)步驟(E)，獲得多層的石墨稀層。本發(fā)明提供的石墨烯的制備方法中，由于形成微波場的主要媒介是電磁波，因此可以快速地將電磁能傳遞至目標(biāo)中，且微波場可被控制在特定的空間而不需以材料障蔽作為包覆，故可直接對目標(biāo)進行加熱，快速的達到目標(biāo)溫度。再者，因為微波工藝不須對系統(tǒng)(設(shè)備)加熱，進而減少無謂的能量消耗。因此，相較于一般的高溫爐管，微波工藝不需要考慮設(shè)備的部分，總熱容量遠小于公知以高溫爐管加熱的系統(tǒng)。


圖1是本發(fā)明的石墨烯的制備流程的剖面示意圖。圖2是本發(fā)明的微波場裝置的示意圖。圖3A是所形成的背向石墨烯層及正向石墨烯層的放大示意圖。圖3B是為背向石墨烯層的局部(圖3A的A區(qū)域)放大結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是使用不同微波功率所得的正向石墨烯拉曼圖譜。圖5是使用不同含碳層層厚度所得的正向石墨烯拉曼圖譜。圖6是使用不同金屬層厚度所得的石墨烯拉曼圖譜。圖7是制得的石墨烯以微波再處理所能承受的不同功率的拉曼圖譜。附圖中主要組件符號說明:10基板，11金屬層，12含碳層，13低頻電磁波，141背向石墨烯層，142正向石墨烯層，20微波場裝置，201磁控管，202隔離管，203調(diào)整器，204波導(dǎo)管，205反應(yīng)腔，d背向石墨烯層的厚度，d'正向石墨烯層的厚度。
具體實施例方式本發(fā)明提供了一種石墨烯的制備 方法，包括步驟:(A)提供一基板；(B)形成一金屬層于該基板上；(C)提供一碳源，用以形成一含碳層，其位于該金屬層上；以及(D)利用低頻電磁波處理該金屬層表面上的該含碳層。其中，該低頻電磁波是由一微波場裝置提供，由微波吸收子(例如，SiC)為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉(zhuǎn)換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使該含碳層的一碳原子獲得動能后于該金屬層的表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層，其分為正向石墨烯層及背向石墨烯層。由于形成微波場的主要媒介是電磁波，因此可以快速地將電磁能傳遞至目標(biāo)中，且微波場可被控制在特定的空間而不需以材料障蔽作為包覆，故可直接對目標(biāo)進行加熱，快速的達到目標(biāo)溫度。再者，因為微波工藝不須對系統(tǒng)(設(shè)備)加熱，進而減少無謂的能量消耗。因此，相較于一般的高溫爐管，微波工藝不需要考慮設(shè)備的部分，總熱容量遠小于公知以高溫爐管加熱的系統(tǒng)。此外，如同上述，由于升溫所需的整體熱容量較低，使得整個系統(tǒng)能快速的升降溫。相較于一般高溫爐管無法直接控制降溫的部分且熱能大量儲存在系統(tǒng)中而無法移除，微波系統(tǒng)一旦關(guān)閉微波供應(yīng)源，微波場隨之崩潰，能量即可此快速的消散。再者，亦可由改變微波輸出的功率大小以符合所需的溫度曲線。因此，本發(fā)明的石墨烯的制備方法能達成工藝時間短、低耗能、快速升降溫控制的目的。本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該微波場裝置可包括:一磁控管，可用以產(chǎn)生微波源；一隔離管，可允許微波單向通行而不反射，以作為一保護裝置；一調(diào)整器，可用于調(diào)整頻率，以達到最大功率的應(yīng)用；一波導(dǎo)管，系用于傳導(dǎo)微波；以及，一反應(yīng)腔。其中，該反應(yīng)腔可為橢圓形，并具有兩個焦點，分別為發(fā)散微波及聚集微波的焦點，另外，該波導(dǎo)管可傳遞微波至該反應(yīng)腔內(nèi)。
本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該基板可為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、一硅基板、一金屬基板、或一陶瓷基板，較佳為硅基板。本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，當(dāng)該基板為一金屬基板時，該步驟(B)可不存在。亦即，直接以作為催化金屬層的金屬塊或金屬片為基板，因此不需再鍍上一層金屬層，即可直接形成含碳層于其上，并接著進行成長石墨烯的程序。另外，本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該步驟(B)中，將金屬層形成于基板上的方式可為蒸鍍、濺渡、電鍍、或無電鍍(氧化還原法)，較佳可為蒸鍍及濺鍍方式。另外，金屬層的材質(zhì)可為鎳、銅、釕、鐵、金、或其合金，較佳可為鎳及銅。其中，金屬層的厚度為20nm至25 μ m,較佳為50至300nm。當(dāng)金屬層厚度小于20nm時,金屬薄膜穩(wěn)定性不佳,易在工藝過程中形成分離的金屬島(Metal Island);反之，當(dāng)金屬層厚度大于25 μ m時,擴散距離太長且含碳層固溶量過大，使得碳原子不易到達表面而被捕捉于金屬層中。本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該步驟(C)中，將含碳層形成于金屬層上的方式可為蒸鍍、濺渡、或涂布等方式，較佳可為濺鍍方式。其中，該碳源可為有序碳、無序碳、或碳基高分子，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅膠(PDMS)、聚碳酸酯(PC)、或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等，不論是固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)碳源皆可使用。再者，含碳層的厚度為5nm至IOOnm,較佳為5至20nm。當(dāng)含碳層的厚度小于5nm時,形成的碳膜連續(xù)性較差,無法形成大面積連續(xù)薄膜；反之，當(dāng)含碳層的厚度大于IOOnm時，碳量過多使碳膜無法完全被融入金屬層，而殘留在表面形成析出障礙。此外，由于系統(tǒng)的含碳層為固體，因此不需考慮流體所造成的渦漩效應(yīng)，使得工藝機制較為簡單且容易控制。本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該步驟(D)中，該低頻電磁波可為單頻模式、或多頻模式。當(dāng)?shù)皖l電磁波為單頻模式時，其波長可為945、或2450Hz。而當(dāng)?shù)皖l電磁波為多頻模式，其波長可為945 (±50)、或2450 (+50) Hz0再者，低頻電磁波的功率可為200至1200瓦，較佳為700瓦。當(dāng)?shù)皖l電磁波的功率小于200瓦時，碳原子無法獲得足夠動能離開位置而進入金屬基材中；反之，當(dāng)?shù)皖l電磁波的功率大于1200瓦時,碳原子動能過大而傾向離開表面逸散。此外，本 發(fā)明的石墨烯的制備方法中，該步驟(D)中，該低頻電磁波的熱處理溫度為300至1200°C，較佳為750°C。當(dāng)?shù)皖l電磁波的熱處理溫度小于300°C時，碳原子無法離開原來的位置進入金屬基材中；反之，當(dāng)?shù)皖l電磁波的熱處理溫度大于1200°C時，金屬粒子會開始蒸發(fā)而消失。本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，于步驟(D)后還包括一步驟(E)，可關(guān)閉該微波場裝置，經(jīng)過降溫后，再次開啟該微波場裝置以形成第二層石墨烯層，由重復(fù)步驟(E)，獲得多層的石墨烯層。利用上述由微波的開啟/關(guān)閉而使系統(tǒng)升溫/降溫，進而一層一層地成長石墨烯層的方式，可獲得大面積且質(zhì)量良好的石墨烯層，減少劣化的石墨烯產(chǎn)生，且可依據(jù)實際應(yīng)用上所需的石墨烯層的厚度加以制備。另外，本發(fā)明的石墨烯的制備方法中，背向石墨烯層的厚度可為2至50nm，且正向石墨烯層的厚度可為I至5nm，此兩石墨烯層皆可再調(diào)整不同參數(shù)而做層數(shù)上的改變，然而，本發(fā)明在層數(shù)并無特別限制。本發(fā)明主要是在一微波裝置的反應(yīng)腔中制造一個適當(dāng)大小的微波場，并以微波吸收子為媒介將微波場所含的電磁能轉(zhuǎn)換成高密度熱能量，直接加熱試片，使碳原子獲得足夠的動能后在基材表面生成單層、雙層或多層石墨烯膜。
以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可由其他不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)亦可針對不同觀點與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。實施例1:制備石墨烯層首先，如圖1A所不,提供一基板10,于本實施例中，基板10為一娃基板,并于基板10上蒸鍍一金屬層11于基板10上(如圖1B所不),于本實施例中，金屬層11的材料為鎳，且其厚度約為50nm。另外，形成金屬層的蒸鍍法工藝條件，其包括:真空度為5X10_6torr，以及蒸鍍速率為0.3 A/s。接著，如圖1C所不,形成一含碳層層12于金屬層11上。于本實施例中，以一無序碳作為碳源，利用電子束蒸鍍方式進行沉積，以形成一含碳層12于金屬層11上，其厚度為約為20nm。另外，形成該含碳層的工藝條件，其包括:真空度為5xl0_6torr，以及蒸鍍速率為
0.3 I Α/s。此時，形成一硅基板/鎳金屬層/無序碳組合的試片，用以成長石墨烯。而后，如圖1D所示，提供一低頻電磁波13處理金屬層11表面上的含碳層層12，其中，低頻電磁波13是由一微波場裝置提供，由微波吸收子(例如，SiC)為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉(zhuǎn)換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使含碳層的碳原子獲得動能后擴散進入鎳金屬基材并于冷卻過程中，于金屬層的表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層，其分別為正向石墨烯層142及背向石墨烯層141。再者，本實施例中，低頻電磁波40為多頻模式的微波，且頻率為2450 (±50)Hz、功率為600瓦，以及熱處理溫度為750_850°C。請參照圖2，為上述微波場裝置的示意圖。微波場裝置20可包括:一磁控管201，可用以產(chǎn)生微波源；一隔離管202，可允許微波單向通行而不反射，以作為一保護裝置；一調(diào)整器203，可用于調(diào)整頻率，以達到最大功率的應(yīng)用；一波導(dǎo)管204，用于傳導(dǎo)微波；以及，一反應(yīng)腔205。其中，反應(yīng) 腔205可為橢圓形，并具有兩個焦點(圖未示)分別為發(fā)散微波及聚集微波的焦點，另外，波導(dǎo)管204可傳遞微波至該反應(yīng)腔內(nèi)。本實施例的石墨烯制備方法，還包括一步驟，可于微波加熱于上述試片，并在金屬層12兩面上各形成一層石墨烯層后，關(guān)閉微波場裝置20，經(jīng)過降溫后，可再次開啟微波場裝置20以形成第二層石墨烯層，由重復(fù)上述步驟，而獲得多層的石墨烯層，其中，如圖3A所示，背向石墨烯層141的厚度d可為2至50nm，且正向石墨烯層142的厚度d'可為I至5nm,另外，圖3B為圖3A的A區(qū)域放大圖，其中，正向石墨烯層141是呈現(xiàn)層狀結(jié)構(gòu)，即為多層石墨烯層，本實施例的背向石墨烯層可達43層。上述實施例中，是使用硅基板作為一基板；鎳金屬作為金屬層材質(zhì)；以及，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為含碳層。然而，可依實際需要，選擇使用塑料基板、玻璃基板、石英基板、金屬基板、或陶瓷基板等作為基板；銅層、釕層、鎳層、金層、鐵層，或其合金層等作為金屬層材質(zhì)；以及，其他有序碳、無序碳、或碳基高分子的碳源等作為含碳層。本發(fā)明并不局限于各層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)，公知可作為上述的基板、金屬層、及含碳層的碳源亦可包括于本發(fā)明的范疇內(nèi)。另外，本實施例中將金屬層沉積于基板的方式為蒸鍍，亦可以實際需要，選擇使用濺渡、電鍍、或無電鍍(氧化還原)等形成方式。再者，本實施例中將含碳層層沉積于金屬層的方式為蒸鍍，亦可以實際需要，選擇使用濺渡、或涂布等形成方式。此外，根據(jù)上述實施例的制備方法，由調(diào)整不同工藝參數(shù)，并使用拉曼光譜技術(shù)，針對所生成的石墨烯進行測試實驗，其結(jié)果分析如下列試驗例所述:試驗例I請參考圖4，是使用不同微波功率所得的正向石墨烯拉曼圖譜。當(dāng)未提供任何微波處理及功率為200瓦時，光譜上僅顯示非結(jié)晶形碳結(jié)構(gòu)的波帶(約1200-18000^1左右)，表示未有足夠熱能轉(zhuǎn)變成動能以成長石墨烯；當(dāng)微波功率為400瓦時，非結(jié)晶形碳結(jié)構(gòu)的波帶不存在，碳原子在擴散進入金屬基材中即被大氣中氧原子消耗，顯示此時動能尚未足夠；當(dāng)微波功率為600瓦時，可見拉曼光譜圖中石墨烯的特征峰分別為D-帶(約1360CHT1)、G-帶(約1580CHT1)及2D-帶(約2700CHT1)，以確認石墨烯結(jié)構(gòu)的存在；然而，當(dāng)微波功率為800瓦時，碳原子擴散進入速度過快導(dǎo)致留下的金屬表面被大氣中氧原子長時間侵蝕而形成氧化層，阻隔碳原子的析出而使峰值相對下降。試驗例2請參考圖5，是使用不同含碳層層厚度所得的正向石墨烯拉曼圖譜。由圖可知，當(dāng)隨著含碳層層的厚度增加，其石墨烯的特征峰分別為D-帶(約1360CHT1)、G-帶(約1580CHT1)及2D-帶(約2700CHT1)越明顯，顯示在相同的金屬基材厚度下，含碳層厚度越高所析出的石墨烯也越多。試驗例3請參考圖6，是使用不同金屬層厚度所得的石墨烯拉曼圖譜。顯示在相同的碳源厚度下，若金屬層厚度增加則可固溶的碳量也增加，因此析出的碳量將相對減少。試驗例4請參考圖7，為制得的石墨烯以微波再處理所能承受的不同功率的拉曼圖譜。從圖顯示，利用此法所成長的石·墨烯可以承受200W的輸出功率的處理，若功率高于400W則此石墨烯會遭到破壞。上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請的權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實施例。
權(quán)利要求
1.一種石墨烯的制備方法，包括步驟: (A)提供一基板； (B)形成一金屬層于該基板上； (C)提供一碳源，用以形成一含碳層，其位于該金屬層上；以及 (D)利用低頻電磁波處理該金屬層表面上的該含碳層； 其中，該低頻電磁波由一微波場裝置提供，由微波吸收子為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉(zhuǎn)換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使該含碳層的一碳原子獲得動能后于該金屬層的表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層。
2.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該微波場裝置包括:一磁控管，用以產(chǎn)生微波源；一隔離管，允許微波單向通行；一調(diào)整器，用于調(diào)整頻率；一波導(dǎo)管，用于傳導(dǎo)微波；以及，一反應(yīng)腔。
3.如權(quán)利要求1所述 石墨烯的制備方法，其中，該基板為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、一硅基板、一金屬基板或一陶瓷基板。
4.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，當(dāng)該基板為一金屬基板時，該步驟(B)不存在。
5.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層是以蒸鍍、濺渡、電鍍或無電鍍方式形成。
6.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層的材質(zhì)為鎳、銅、釕、鐵、金或其合金。
7.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(B)中，該金屬層的厚度為20nm至 25 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該含碳層是以蒸鍍、濺渡、或涂布方式形成。
9.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該碳源為有序碳、無序碳或碳基高分子。
10.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(C)中，該含碳層的厚度為5nm至 lOOnm。
11.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波為單頻模式或多頻模式。
12.如權(quán)利要求11所述石墨烯的制備方法，其中，該低頻電磁波的單頻模式的頻率為945Hz 或 2450Hz。
13.如權(quán)利要求11所述石墨烯的制備方法，其中，該低頻電磁波的多頻模式的波長為945±50Hz 或 2450±50Hz。
14.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波的功率為200瓦至1200瓦。
15.如權(quán)利要求1所述 石墨烯的制備方法，其中，該步驟(D)中，該低頻電磁波的熱處理溫度為300°C至1200°C。
16.如權(quán)利要求1所述石墨烯的制備方法，其中，于步驟(D)后包括一步驟(E):關(guān)閉該微波場裝置，經(jīng)過降溫后，再次開啟該微波場裝置以形成第二層石墨烯層，由重復(fù)步驟(E)，獲得多層的石墨烯 層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種石墨烯的制備方法，包括步驟(A)提供一基板；(B)形成一金屬層于該基板上；(C)提供一碳源，用以形成一含碳層，其位于該金屬層上；以及(D)利用低頻電磁波處理該金屬層表面上的該含碳層。其中，該低頻電磁波是由一微波場裝置提供，由微波吸收子(例如，SiC)為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉(zhuǎn)換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使含碳層的碳原子獲得動能后于該金屬層的表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層。
文檔編號C01B31/04GK103241729SQ20121005566
公開日2013年8月14日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者闕郁倫, 顏文群, 林宏橋 申請人:闕郁倫