專利名稱：一種制備石墨烯的設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于離子束和材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制備石墨烯的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
2004年,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的Andre Geim研究小組首次制備出穩(wěn)定的石墨烯,突 破了經(jīng)典的“熱力學(xué)漲落不允許二維晶體在有限溫度下自由存在”的理論限制，引起整個(gè)物理學(xué)和材料學(xué)界的極大震撼，由此引發(fā)了石墨烯的研究熱潮。理想的石墨烯結(jié)構(gòu)可以看作是單原子層石墨，是由Sp2雜化碳原子形成的類六元環(huán)苯單元并無(wú)限擴(kuò)展的二維晶體材料，也是目前世界上最薄的材料一單原子厚度的材料。石墨烯不僅有優(yōu)異的電學(xué)性能、突出的導(dǎo)熱性能和超常的比表面積，而且還具有一些獨(dú)特的性能，如完美的量子隧道效應(yīng)、半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)、永不消失的電導(dǎo)率等一系列性質(zhì)。正是由于石墨烯材料具有如此眾多奇特的性質(zhì)，引起了物理、化學(xué)、材料等不同領(lǐng)域科學(xué)家的極大研究興趣，也使得石墨烯在電子、信息、能源、材料和生物醫(yī)藥等領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用前景。目前，石墨烯的制備方法主要有機(jī)械法和化學(xué)法兩大類。機(jī)械法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱碳化硅法，化學(xué)法包括化學(xué)還原法與化學(xué)解理法等。不管是采用機(jī)械法還是化學(xué)制備石墨烯，都存在尺寸(面積和厚度)難以控制的問(wèn)題。本發(fā)明之前，中國(guó)于2011年5月25日公開(kāi)專利申請(qǐng)《一種石墨烯的制備方法》，申請(qǐng)?zhí)枮?01110057535. 9，該申請(qǐng)的方法是利用乙醇等含碳燃料的火焰在生長(zhǎng)有催化劑金屬納米晶層的基板上制取石墨烯，該方法操作簡(jiǎn)單，但采用該方法難以保證所制備石墨烯的均勻性和連續(xù)性。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提出了一種異于機(jī)械法和化學(xué)法、且可以精確控制尺寸的制備石墨烯的設(shè)備及方法。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案
一、一種制備石墨烯的設(shè)備，包括
負(fù)離子源、分析磁鐵、掃描系統(tǒng)、樣品架、束流積分儀和真空室，負(fù)離子源、分析磁鐵、掃描系統(tǒng)、樣品架處于真空室中，負(fù)離子源用來(lái)產(chǎn)生團(tuán)簇離子；分析磁鐵用來(lái)偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源的團(tuán)簇離子，以從該團(tuán)簇離子中選出所需要的團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)團(tuán)簇離子束流至合適大??；掃描系統(tǒng)用來(lái)掃描來(lái)自分析磁鐵的團(tuán)簇離子；
所述的樣品架包括金屬桿、絕緣體、樣品板、束流插孔和光闌，金屬桿通過(guò)絕緣體與樣品板固定連接，可通過(guò)金屬桿推動(dòng)樣品板左右移動(dòng)，樣品板通過(guò)束流插孔連接束流積分儀，光闌位于樣品板和掃描系統(tǒng)之間、且正對(duì)著樣品板。上述樣品架還具有如下優(yōu)選方案
樣品架包括金屬桿、絕緣體、樣品板、束流插孔、抑制電極和電壓插孔，金屬桿通過(guò)絕緣體與樣品板固定連接，可通過(guò)金屬桿推動(dòng)樣品板左右移動(dòng)，抑制電極是由帶孔的金屬底板和兩相對(duì)金屬板所圍成的凹面，其位于樣品板和掃描系統(tǒng)之間、且其開(kāi)口將樣品板正面包住，抑制電極與電壓插孔連接，樣品板通過(guò)束流插孔連接束流積分儀。上述抑制電極通過(guò)絕緣體與真空室內(nèi)壁固定連接。上述構(gòu)成抑制電極的金屬板為鋁板或不銹鋼板。上述抑制電極底面的孔為正方形孔，孔的尺寸為10x10 mm2。上述抑制電極為一梯形凹面。
二、采用上述設(shè)備制備石墨烯的方法，包括步驟
51、以高密度石墨棒為濺射靶，利用上述負(fù)離子源產(chǎn)生碳團(tuán)簇離子；
52、通過(guò)分析磁鐵偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源的碳團(tuán)簇離子，以從碳團(tuán)簇離子中選出所需團(tuán)簇大小的碳團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)碳團(tuán)簇離子束流至合適大??；
53、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描來(lái)自分析磁鐵的碳團(tuán)簇離子；
54、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描的碳團(tuán)簇離子經(jīng)光闌或抑制電極底板上的孔注入到置于樣品板上的襯底上；
55、取下注入碳團(tuán)簇離子的襯底，將其進(jìn)行退火處理，即在襯底上得到石墨烯。上述襯底為Ni/Si02/Si、單晶銅、多晶銅、單晶鎳或多晶鎳。作為優(yōu)選，Ni/Si02/Si襯底中Ni膜厚度50nm，SiO2厚度為300nm。上述退火處理的優(yōu)選工藝為在900°C保持50分鐘后，以5-20°C /min的速度使溫度從900°C降至725°C。對(duì)注入碳團(tuán)簇離子的襯底進(jìn)行退火處理的目的是利用不同溫度下碳在金屬襯底中溶解度的不同，使注入到金屬襯底中的碳從表面析出形成石墨烯。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果
1、本發(fā)明所制備的石墨烯雜質(zhì)少，缺陷少、層數(shù)少、面積大、產(chǎn)率高，適合工業(yè)化生產(chǎn)；
2、采用本發(fā)明可對(duì)所制備石墨烯的尺寸進(jìn)行精確控制，通過(guò)控制注入劑量來(lái)控制石墨烯的厚度，通過(guò)控制光闌的大小來(lái)控制石墨烯的面積；
3、本發(fā)明方法制備出的多層石墨烯可用作鋰離子電池、超級(jí)電容器的電極材料，為石墨烯在鋰電池、電容器等工業(yè)化產(chǎn)品中的大規(guī)模應(yīng)用提供了一種新的途徑。


圖I為本發(fā)明設(shè)備的俯視示意圖，其中，I-負(fù)離子源，2-分析磁鐵，3-掃描系統(tǒng)，
4-樣品架；
圖2為本發(fā)明樣品架的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，5-金屬桿，6-絕緣體，7-樣品板，8-束流插孔，9-抑制電極，10-絕緣體，11-電壓插孔，12-孔；
圖3為本發(fā)明設(shè)備所產(chǎn)生的碳團(tuán)簇離子的質(zhì)譜 圖4為本發(fā)明所制備石墨烯的拉曼光譜 圖5為本發(fā)明所制備石墨烯的拉曼光譜圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。參見(jiàn)圖1，本發(fā)明設(shè)備主要包括負(fù)離子源1，用來(lái)產(chǎn)生團(tuán)簇離子；分析磁鐵2，用來(lái)偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源I的團(tuán)簇離子，以從該團(tuán)簇離子中選出所需要的團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)團(tuán)簇離子束流至合適大小；掃描系統(tǒng)3用來(lái)掃描來(lái)自分析磁鐵2的團(tuán)簇離子束，使離子束重復(fù)地均勻掃過(guò)置于樣品板上的襯底的表面，以保證注入的均勻性；樣品架4，用來(lái)接收來(lái)自掃描系統(tǒng)3的團(tuán)簇離子，并使團(tuán)簇離子注入到放置在樣品板上的襯底中。上述負(fù)離子源I、分析磁鐵2、掃描系統(tǒng)3、樣品架4均位于一真空室內(nèi)。負(fù)離子源主要包括銫爐、離化器、濺射靶(具體為碳濺射靶)和吸極，其工作原理是銫爐中的液態(tài)金屬銫經(jīng)加熱產(chǎn)生銫蒸汽，銫蒸汽到達(dá)用大電流加熱的鎧裝鉭絲繞成的凹面型離化器的表面，冷的銫氣體分子遇到熱鉭絲而電離，產(chǎn)生的銫離子在負(fù)的靶電壓作用下加速運(yùn)動(dòng)至濺射靶，將濺射靶中的碳原子以團(tuán)簇負(fù)離子的形式濺出，即，產(chǎn)生碳團(tuán)簇離子，產(chǎn)生的碳團(tuán)簇離子在一個(gè)高于靶電位的吸極負(fù)電壓作用下加速向吸極運(yùn)動(dòng)，最終由吸極引出。當(dāng)負(fù)離子源產(chǎn)生的碳團(tuán)簇離子運(yùn)動(dòng)至分析磁鐵，分析磁鐵對(duì)碳團(tuán)簇離子進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，可通過(guò)預(yù)先調(diào)節(jié)分析磁鐵的輸出電流來(lái)選擇所需的團(tuán)簇離子，并將碳團(tuán)簇離子束流調(diào)至合適大小，本發(fā)明優(yōu)選的束流大小為0. 5^5 u A0分析磁鐵是利用不同荷質(zhì)比的離子在磁 場(chǎng)中具有不同偏轉(zhuǎn)半徑的原理來(lái)選擇所需的碳團(tuán)簇離子，通過(guò)改變分析磁鐵的電流大小來(lái)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)大小，從而達(dá)到選擇所需團(tuán)簇離子。對(duì)本發(fā)明而言，每次負(fù)離子源都會(huì)產(chǎn)生各種不同的碳團(tuán)簇離子，在相同的吸極電壓和磁場(chǎng)強(qiáng)度下，不同的碳團(tuán)簇離子具有不同的運(yùn)動(dòng)路徑，但對(duì)同種碳團(tuán)簇離子而言，改變吸極電壓或磁場(chǎng)強(qiáng)度均可改變碳團(tuán)簇離子的運(yùn)動(dòng)路徑，因此，可通過(guò)對(duì)負(fù)離子源的吸極電壓和分析磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使所需要的一種碳團(tuán)簇離子能順利通過(guò)分析磁鐵到達(dá)掃描系統(tǒng)。掃描系統(tǒng)是為了保證碳團(tuán)簇離子大面積注入襯底時(shí)的均勻性，通過(guò)在垂直于團(tuán)簇離子前進(jìn)的方向、水平和豎直方向分別加上隨時(shí)間作線性變化的電場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，可通過(guò)調(diào)節(jié)水平掃描方向的電壓大小，使到達(dá)樣品板的束流降低到原來(lái)的70%，再調(diào)節(jié)豎直掃描方向的電壓大小，使到達(dá)樣品板的束流降低到開(kāi)始時(shí)的50%，丟失掉的50%束流是掃描軌跡非線性的束斑邊界的部分，最后可得到掃描均勻的高品質(zhì)碳團(tuán)簇離子束。圖2為本發(fā)明樣品架4的一種實(shí)施例，如圖所示，樣品架4包括金屬桿5、絕緣體6、樣品板7、束流插孔8、抑制電極9、絕緣體10、電壓插孔11，金屬桿5通過(guò)真空接頭穿過(guò)真空室外壁，其一端在真空室外，另一端通過(guò)絕緣體6與樣品板7固定連接，操作人員可通過(guò)推拉金屬桿5在真空室外的一端來(lái)左右移動(dòng)樣品板7，以調(diào)整碳團(tuán)簇離子的注入位置。樣品板7還通過(guò)束流插孔8連接束流積分儀，束流積分儀用來(lái)對(duì)注入到樣品板7上襯底中的團(tuán)簇離子進(jìn)行計(jì)數(shù)，以判斷是否注入所需的劑量，從而決定是繼續(xù)注入，還是停止注入。絕緣體6將金屬桿5和樣品板7隔開(kāi)，是為了計(jì)數(shù)的準(zhǔn)確性。抑制電極9通過(guò)絕緣體10固定于真空室內(nèi)壁，且位于樣品板7前面，絕緣體10將抑制電極9和真空室內(nèi)壁隔開(kāi)。抑制電極9是由帶孔12的鋁底板和上下相對(duì)的兩鋁板所圍成的梯形凹面，其中，鋁底板的外側(cè)(即圖2中抑制電極9的上表面)朝向掃描系統(tǒng)，抑制電極9的開(kāi)口朝向位于其后方的樣品板并將樣品板的正面包圍住，抑制電極9通過(guò)電壓插孔11與外部的一能提供300V電壓的電壓源連接，電壓源用來(lái)給抑制電極9提供負(fù)電壓；抑制電極9的金屬底板上的孔為正方形孔，其尺寸為10x10mm2。接負(fù)電壓后的抑制電極9可以阻擋大部分的二次電子，來(lái)自掃描系統(tǒng)的碳團(tuán)簇離子通過(guò)抑制電極9金屬底板上的孔12到達(dá)樣品板7，該孔12起到光闌的作用，可通過(guò)調(diào)整孔的形狀和尺寸來(lái)控制樣品板上襯底上的束斑形狀和尺寸，從而達(dá)到控制所得石墨烯面積的目的；束流插孔8和電壓插孔11均為真空接頭，可以保證真空室不漏氣。相應(yīng)地，利用上述設(shè)備制備石墨烯的方法包括以下步驟
SI、以高密度石墨棒為濺射靶，利用上述負(fù)離子源產(chǎn)生碳團(tuán)簇離子 本發(fā)明中的負(fù)離子源可以提供5 30keV范圍的能量。S2、通過(guò)分析磁鐵偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源的碳團(tuán)簇離子，以從該碳團(tuán)簇離子中選出所需要團(tuán)簇大小的碳團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)碳團(tuán)簇離子束流至合適大小，本發(fā)明的優(yōu)選束流大小為 0. 5 5 ii A ;
S3、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描來(lái)自分析磁鐵的碳團(tuán)簇離子束，使經(jīng)掃描后的碳團(tuán)簇離子能均勻注入到置于樣品板上的襯底中；
本發(fā)明中的掃描系統(tǒng)可提供0-1000V掃描電壓，可通過(guò)分別調(diào)節(jié)水平和豎直掃描方向的電壓大小來(lái)控制碳團(tuán)簇離子的掃描面積，使掃描后的碳團(tuán)簇離子能均勻注入到放置在樣品板上的襯底中。S4、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描后的碳團(tuán)簇離子經(jīng)光闌或抑制電極底板上的孔注入到置于樣品板上的襯底中；
本具體實(shí)施中采用Ni/Si02/Si襯底，碳團(tuán)簇離子注入Ni膜中，該襯底采用如下方法獲
得
利用熱蒸發(fā)技術(shù)在清洗過(guò)的Si02/Si晶片上蒸鍍一層50nm厚的鎳膜，得到Ni/Si02/Si襯底，其中，Si02/Si晶片上SiO2層厚度為300nm。此外，襯底也可以采用單晶銅、多晶銅、單晶鎳或多晶鎳等金屬薄膜。S5、取下注入碳團(tuán)簇離子的襯底，將其進(jìn)行退火處理，即在襯底層上得到石墨烯。將注入了碳團(tuán)簇離子的襯底放入真空退火爐中進(jìn)行熱退火處理，本具體實(shí)施中所采用的退火工藝為在900°C保持50分鐘，使碳在襯底的金屬鎳膜中擴(kuò)散，然后，以
5-200C /min的速度將溫度從900°C降到725°C，在該過(guò)程中隨溫度降低，碳在鎳膜中的溶解度也隨之降低，碳從鎳膜表面析出，從而在鎳膜表面形成石墨烯。參見(jiàn)圖3，圖3 (a)、3 (b)、3 (c)為分別在lOkeV、15keV、20keV能量條件下調(diào)節(jié)C1-C10團(tuán)簇離子的束流大小、所得到的C1-Cltl團(tuán)簇離子的質(zhì)譜圖，該質(zhì)譜圖的數(shù)據(jù)采用上述設(shè)備中的束流積分儀測(cè)量得到，該質(zhì)譜圖可以證明本發(fā)明設(shè)備是可以提供不同的碳團(tuán)簇離子，并且得到的束流合適，能夠滿足石墨烯的制備需求需要。采用上述方法制備3組石墨烯樣品a — C，該3組樣品的面積為10x10mm2，樣品a和b均是在20keV能量條件下、分別選擇C2和C4團(tuán)簇離子注入到Ni/Si02/Si襯底上、經(jīng)退火后得到的石墨烯，注入劑量均為8X1015atomS/Cm2，樣品a和b中單個(gè)碳原子的注入能量分別為IOkeV和5keV ;樣品c是在IOkeV能量條件下、選擇C1團(tuán)簇離子注入到Ni/Si02/Si 襯底上、經(jīng)退火后得到的石墨烯，注入劑量為8X1015atomS/cm2，其單個(gè)碳原子的注入能量為IOkeV0上述Ni/Si02/Si襯底均采用如下方法獲得利用熱蒸發(fā)技術(shù)在清洗過(guò)的Si02/Si晶片上蒸鍍一層50nm厚的鎳膜，得到Ni/Si02/Si襯底，其中，Si02/Si晶片上SiO2層厚度為300nmo對(duì)樣品a、b和c進(jìn)行拉曼光譜表征,結(jié)果如圖4和圖5所示，圖4中，1353 cnT1處的D峰為缺陷峰，反應(yīng)石墨烯的無(wú)序性15810^1處的G峰是碳sp2結(jié)構(gòu)的特征峰，反應(yīng)石墨烯的對(duì)稱性和結(jié)晶程度，2705 2712 cnT1處的2D峰源于兩個(gè)雙聲子的非彈性散射。Id/Ie值越小，代表石墨烯中缺陷越少、I2D/Ie以及2D峰的位置和半高寬代表石墨烯的層數(shù)，其中，ID、IG> I2d分別表示上述拉曼光譜圖中D峰、G峰、2D峰的強(qiáng)度。從圖4中可以看出，樣品a和b大約2-3層石墨，并且缺陷較少，而且隨離子團(tuán)簇大小增大和注入能量減小，所形成石墨烯的缺陷有減少趨勢(shì)，但是2D峰位置右移，所以層數(shù)并沒(méi)有減少。因此大的團(tuán)簇離子是否有利于石墨烯的形成還沒(méi)有得到證明。從圖5中可以看出，樣品a和c的層數(shù)基本相等，但樣品a的缺陷大大減少，因此在相同的能量條件下，大的碳團(tuán)簇離子更有利于較高質(zhì)量石墨烯的形成。權(quán)利要求
1.一種制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于，包括 負(fù)離子源、分析磁鐵、掃描系統(tǒng)、樣品架、束流積分儀和真空室，負(fù)離子源、分析磁鐵、掃描系統(tǒng)、樣品架處于真空室中，負(fù)離子源用來(lái)產(chǎn)生團(tuán)簇離子；分析磁鐵用來(lái)偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源的團(tuán)簇離子，以從該團(tuán)簇離子中選出所需要的團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)團(tuán)簇離子束流至合適大?。粧呙柘到y(tǒng)用來(lái)掃描來(lái)自分析磁鐵的團(tuán)簇離子；所述的樣品架包括金屬桿、絕緣體、樣品板、束流插孔和光闌，金屬桿通過(guò)絕緣體與樣品板固定連接，可通過(guò)金屬桿推動(dòng)樣品板左右移動(dòng)，樣品板通過(guò)束流插孔連接束流積分儀，光闌位于樣品板和掃描系統(tǒng)之間、且正對(duì)著樣品板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于 所述的樣品架還可以為 樣品架包括金屬桿、絕緣體、樣品板、束流插孔、抑制電極和電壓插孔，金屬桿通過(guò)絕緣體與樣品板固定連接，可通過(guò)金屬桿推動(dòng)樣品板左右移動(dòng)，抑制電極是由帶孔的金屬底板 和兩相對(duì)金屬板所圍成的凹面，其位于樣品板和掃描系統(tǒng)之間、且其開(kāi)口將樣品板正面包住，抑制電極與電壓插孔連接，樣品板通過(guò)束流插孔連接束流積分儀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于 所述的抑制電極通過(guò)絕緣體與真空室內(nèi)壁固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于 構(gòu)成所述的抑制電極的金屬板為鋁板或不銹鋼板。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于 所述的抑制電極底面的孔為正方形孔，孔的尺寸為IOxlO mm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備石墨烯的設(shè)備，其特征在于 所述的抑制電極為一梯形凹面。
7.采用權(quán)利要求I一 6中任一項(xiàng)所述的設(shè)備制備石墨烯的方法，其特征在于，包括步驟 Si、以高密度石墨棒為濺射靶，利用上述負(fù)離子源產(chǎn)生碳團(tuán)簇離子； 52、通過(guò)分析磁鐵偏轉(zhuǎn)來(lái)自負(fù)離子源的碳團(tuán)簇離子，以從碳團(tuán)簇離子中選出所需團(tuán)簇大小的碳團(tuán)簇離子，并調(diào)節(jié)碳團(tuán)簇離子束流至合適大??； 53、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描來(lái)自分析磁鐵的碳團(tuán)簇離子； 54、通過(guò)掃描系統(tǒng)掃描的碳團(tuán)簇離子經(jīng)光闌或抑制電極底板上的孔注入到置于樣品板上的襯底中； 55、取下注入碳團(tuán)簇離子的襯底，將其進(jìn)行退火處理，即在襯底上得到石墨烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備石墨烯的方法，其特征在于 所述的襯底為Ni/Si02/Si、單晶銅、多晶銅、單晶鎳或多晶鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備石墨烯的方法，其特征在于 所述的Ni/Si02/Si襯底中Ni膜厚度50nm，SiO2厚度為300nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備石墨烯的方法，其特征在于 所述的退火處理工藝為在900°C保持50分鐘后，以5-20°C /min的速度使溫度從900°C 降至 725 °C。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備石墨烯的設(shè)備和方法，該設(shè)備主要包括負(fù)離子源、分析磁鐵、掃描系統(tǒng)、樣品架、束流積分儀和真空室，采用上述設(shè)備能在能量為5-30keV的范圍內(nèi)進(jìn)行碳團(tuán)簇離子在襯底中的注入，然后利用不同溫度下碳在襯底中溶解度的不同，經(jīng)退火處理，使碳從襯底表面析出形成石墨烯。采用本發(fā)明設(shè)備和方法可以制備面積大、缺陷少、層數(shù)少且層數(shù)分布均勻的石墨烯，所制備的石墨烯可用作鋰離子電池、超級(jí)電容器的電極材料，為石墨烯在鋰電池、電容器等工業(yè)化產(chǎn)品中的大規(guī)模應(yīng)用提供了一種新的途徑。
文檔編號(hào)C01B31/04GK102659098SQ201210157870
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者付德君, 張?jiān)珂? 王澤松 申請(qǐng)人:武漢大學(xué)