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      用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法及其運(yùn)用的制作方法

      文檔序號:3446662閱讀:405來源:國知局
      專利名稱:用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法及其運(yùn)用的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及制備單壁碳納米管薄膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法及其運(yùn)用。
      背景技術(shù)
      碳納米管是一種新型材料,由日本研究人員Iijima于1991年發(fā)現(xiàn)。碳納米管具有優(yōu)異的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)等性質(zhì)。根據(jù)管壁石墨層數(shù)的不同,碳納米管分為單壁、雙壁和多壁碳納米管。單壁碳納米管擁有更小的尺寸,在電子器件等特定應(yīng)用中較雙壁或多壁碳納米管擁有更優(yōu)異的性能表現(xiàn)。
      目前,制備單壁碳納米管的主要方法是化學(xué)氣相沉積法,它包括催化劑制備和碳納米管生長兩部分。在催化劑制備的階段,現(xiàn)主流方法包括電子束蒸鍍、磁控濺射等氣相沉積法,以及浸潰提拉、旋轉(zhuǎn)涂覆等液相沉積法。氣相沉積法所用到的儀器設(shè)備復(fù)雜、能耗大且生產(chǎn)成本較高。對單壁碳納米管的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)是不利的。液相法對設(shè)備要求低,成本低廉,但用現(xiàn)有方法還不易得到大尺寸樣品。同時(shí),因受限于催化劑前軀體濃度,浸潰提拉法不易制備直徑大范圍可調(diào)的催化劑顆粒。最后,現(xiàn)有的液相制備催化劑的方法,不適用于一些形狀不規(guī)則的襯底(比如纖維等)制備催化劑。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的發(fā)明目的是針對現(xiàn)有單壁碳納米管生產(chǎn)的技術(shù)不足,提供一種用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,擴(kuò)大單壁碳納米管的應(yīng)用材料。進(jìn)一步地,提供一種簡單高效的用該催化劑制備單壁碳納米管的方法。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為
      提供一種催化劑制備方法,該制備方法通過噴霧裝置進(jìn)行,所述噴霧裝置包括通過管道連接的液體輸運(yùn)器與超聲起霧噴嘴;制備過程包括以下步驟
      1)準(zhǔn)備襯底通過物理或化學(xué)清洗去除襯底表面的有機(jī)物雜質(zhì);
      2)配制催化劑溶液采用鈷、鐵、鎳、鑰、金、鋁或鉬中的一種或一種以上形成的可溶鹽作為原料,將可溶鹽中的一種或一種以上溶于水或有機(jī)溶劑中,得到一種或一種以上催化劑前軀體溶液;
      3)超聲噴霧處理將襯底置于噴霧裝置的超聲起霧噴嘴下;
      當(dāng)步驟I)制得一種催化劑前軀體溶液時(shí),將上述催化劑前軀體溶液置入噴霧裝置的液體輸運(yùn)器內(nèi),該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,煅燒溫度為200C-500°C,煅燒時(shí)間為I min -20min,至可溶鹽分解,得到催化劑,該催化劑附著在襯底上;
      或當(dāng)步驟2)制得一種以上催化劑前軀體溶液時(shí),先選取其中一種催化劑前軀體溶液置于噴霧裝置的液體輸運(yùn)器內(nèi),該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,至可溶鹽分解,得到初步處理襯底;然后將液體輸運(yùn)器內(nèi)的催化劑前軀體溶液更換成剩余催化劑前軀體溶液中的其中一種,該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到初步處理襯底上;將再經(jīng)過噴霧處理的初步處理襯底進(jìn)行煅燒,至可溶鹽分解;直至依次或循環(huán)更換完畢;其中,煅燒溫度為200C-500°C,煅燒總時(shí)間為I min _20min,得到催化劑,該催化劑附著在襯底上。優(yōu)選地,所述襯底的物理清洗為高溫煅燒;所述化學(xué)清洗為等離子體清洗或紫外光清洗。優(yōu)選地,所述襯底為硅片、石英片、纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒;所述纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒的材料為玻璃、石英、氧化鋁或氧化鋯及其混合物。

      優(yōu)選地,所述纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒的直徑范圍在lOnm-lOmm。優(yōu)選地,所述催化劑前軀體溶液中的金屬原子質(zhì)量濃度為10ppm-20%。優(yōu)選地,所述有機(jī)溶劑為醇、酮、苯或環(huán)烷及其混合物形成的溶劑。優(yōu)選地,所述噴霧裝置的超聲功率為IW -5000W,噴霧沉積時(shí)間為ls_300s。優(yōu)選地,所述霧化氣體的形狀為點(diǎn)狀、線狀、面狀、扇形或錐形。優(yōu)選地,步驟3)中,所述噴霧裝置的噴嘴或置于噴嘴下的襯底進(jìn)行二維或三維移動(dòng)。一種用于制備單壁碳納米管的催化劑的運(yùn)用,將附著有催化劑的襯底通過化學(xué)氣相沉積法制備得到單壁碳納米管。具體方法如下
      使用上述催化劑制備單壁碳納米管的方法,該方法中通過碳納米管生長裝置進(jìn)行,碳納米管生長裝置包括貫穿管式爐的石英管,所述石英管的一端接有氣體質(zhì)量流量計(jì),另一端接有真空泵;所述石英管和真空泵之間接有閥門,所述石英管和調(diào)節(jié)閥門之間接有真空計(jì);另,所述管式爐通過溫度控制器加熱;其特征在于包括如下步驟
      (1)將附著有催化劑的襯底放到石英管的中間;開啟真空泵;并分別設(shè)置氣體質(zhì)量流量計(jì)中的氬氣的流量為lO-lOOOsccm,氫氣的流量為1-100 sccm,向石英管中輸入兩種氣體;調(diào)節(jié)閥門,從而調(diào)節(jié)石英管中的壓強(qiáng);
      (2)設(shè)置溫度控制器將管式爐的溫度從室溫先升到750°C;再接著從750°C升到SOO0C ;此后,管式爐的溫度保持在800°C ;按如上方式加熱管式爐,且石英管內(nèi)的壓強(qiáng)保持在 10-120 KPa ;
      (3)當(dāng)管式爐溫度達(dá)到800°C后,等待至管式爐溫度穩(wěn)定;之后,停止輸入氬氣與氫氣;待真空計(jì)顯示壓強(qiáng)已經(jīng)降到10 Pa以下時(shí),向石英管中輸入氣體質(zhì)量流量計(jì)中的乙醇?xì)怏w,使之在附著有催化劑的襯底上進(jìn)行生長,并設(shè)置該乙醇?xì)怏w的流量為1-lOOOsccm;同時(shí),調(diào)節(jié)閥門,使真空計(jì)壓強(qiáng)穩(wěn)定在IOOPa-IO KPa,進(jìn)行生長;
      (4)停止輸入乙醇?xì)怏w;接著,向石英管中輸入氬氣,并設(shè)置氬氣的流量為1-1000sccm ;關(guān)閉溫度控制器,停止加熱管式爐,使管式爐自然降溫;
      (5)當(dāng)管式爐自然降溫到200°C以下時(shí),關(guān)閉閥門;當(dāng)真空計(jì)顯示石英管內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到
      I.OX IO5Pa時(shí),關(guān)閉真空泵;并停止輸入氬氣,取出經(jīng)過生長襯底,即為單壁碳納米管;至此,單壁碳納米管生長結(jié)束。
      本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù),具有以下有益效果
      1)本發(fā)明通過噴霧的方法,可以快速、高效、大規(guī)模的制備催化劑并進(jìn)行碳納米管生
      長;
      2)在催化劑的制備方法中,利用通過噴霧時(shí)間的長短來大范圍調(diào)控催化劑合金的成分比例的特點(diǎn)達(dá)到調(diào)控單壁碳納米管產(chǎn)物結(jié)構(gòu)的目的,如實(shí)驗(yàn)所用的催化劑是Co/Mo合金,通過噴霧時(shí)間長短,可以大范圍調(diào)控Co/Mo的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比,從而調(diào)控單壁碳納米管的結(jié)構(gòu);
      3)在催化劑的制備方法中,利用噴霧的方法,解決在一些形狀不規(guī)則襯底(比如Al2O3纖維或形狀不規(guī)則的沙粒)上便于制備催化劑,從而擴(kuò)大單壁碳納米管的應(yīng)用領(lǐng)域。


      圖I為噴霧裝置的結(jié)構(gòu) 圖2為碳納米管生長裝置結(jié)構(gòu) 圖3為以Si片為襯底,Co =Mo的噴霧時(shí)間都為5s時(shí)生長出來的單壁碳納米管的掃描電鏡圖(圖上標(biāo)尺為5微米);
      圖4為未進(jìn)行噴霧處理生長出來的Al2O3纖維碳納米管的掃描電鏡 圖5為Al2O3纖維噴霧Co/Mo合金催化劑并進(jìn)行碳納米管生長后的掃描電子顯微鏡(SEM)圖(標(biāo)尺都為200納米)。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明的發(fā)明目的作進(jìn)一步詳細(xì)地描述,實(shí)施例不能在此一一贅述,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不因此限定于以下實(shí)施例。除非特別說明,本發(fā)明采用的材料和加工方法為本技術(shù)領(lǐng)域常規(guī)材料和加工方法。實(shí)施例I
      如圖I所示,噴霧裝置包括通過管道2連接的超聲起霧噴嘴3和液體輸運(yùn)器4。當(dāng)制備催化劑時(shí),催化劑溶液置于液體疏運(yùn)器4內(nèi),襯底I置于超聲起霧噴嘴3的下方。如圖2所示,碳納米管生長裝置包括貫穿管式爐7的石英管6,石英管6的一端接有氣體質(zhì)量流量計(jì)5,另一端接有真空泵12 ;石英管6和真空泵12之間接有閥門11,石英管6和閥門11之間接有真空計(jì)10 ;另,管式爐7通過溫度控制器8加熱。在硅片襯底上生長高質(zhì)量單壁碳納米管;
      1)準(zhǔn)備襯底襯底I為硅片,將硅片切成lcmX2cm;依次經(jīng)過丙酮、酒精、去離子水等化學(xué)試劑清洗5 min,然后用氮?dú)?N2)槍吹干,最后置于紫外線表面處理設(shè)備下照射10 min以去除硅片表面的有機(jī)物雜質(zhì);
      2)配制催化劑溶液將0.0169g四水醋酸鈷溶于50g乙醇中得到四水醋酸鈷溶液;將0. 0090g鑰醋酸二聚體溶于50g乙醇中得到鑰醋酸二聚體溶液;并將四水醋酸鈷溶液和鑰醋酸二聚體溶液均進(jìn)行超聲處理,超聲時(shí)間為30 min ;
      3)超聲噴霧處理將襯底置于噴霧裝置的噴嘴下;將鑰醋酸二聚體溶液置入噴霧裝置內(nèi),按下噴霧裝置開始開關(guān),在液體輸運(yùn)器的作用下,鑰醋酸二聚體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;噴霧5s后,將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,煅燒溫度為400°C,煅燒時(shí)間為5min,使鑰醋酸二聚體分解成氧化鑰(MoO3);將經(jīng)過煅燒處理的襯底重新放到噴嘴下,將噴霧裝置里的催化劑前軀體溶液更換為四水醋酸鈷溶液進(jìn)行再噴霧處理;按下噴霧裝置開始開關(guān),在液體輸運(yùn)器的作用下,四水醋酸鈷溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;噴霧5s ;將經(jīng)過再噴霧處理的襯底進(jìn)行再煅燒,煅燒溫度為400°C,煅燒時(shí)間5 min,使四水醋酸鈷分解成氧化鈷(CoO);至此,催化劑制作完成。取出附著有催化劑的硅片,接著進(jìn)行如下步驟
      (1)將附著有催化劑的硅片放到石英管的中間;開啟真空泵12;并分別設(shè)置氣體質(zhì)量流量計(jì)5中的氬氣的流量為500 sccm,氫氣的流量為20 sccm,向石英管中輸入兩種氣體;調(diào)節(jié)閥門11,使真空計(jì)10顯示為40 Kpa ;
      (2)設(shè)置溫度控制器8:管式爐7的溫度在25min后從室溫升到750°C ;接著,在5 min后從750°C升到800°C ;此后,管式爐的溫度保持在800°C ;按如上方式加熱管式爐7 ;
      (3)當(dāng)管式爐7溫度達(dá)到800°C后,等待5min使管式爐7溫度穩(wěn)定;之后,停止輸入氬氣與氫氣;待真空計(jì)10顯示壓強(qiáng)已經(jīng)降到10 Pa以下時(shí),向石英管6中輸入氣體質(zhì)量流量5計(jì)中的乙醇?xì)怏w,使之在襯底9上進(jìn)行生長,并設(shè)置該乙醇?xì)怏w的流量為500 sccm;同時(shí),調(diào)節(jié)閥門11,使真空計(jì)10壓強(qiáng)穩(wěn)定在I. 4 Kpa,生長時(shí)間為10 min ;
      (4)生長IOmin后,停止輸入乙醇?xì)怏w;接著,向石英管6中輸入氬氣,并設(shè)置氬氣的流量為500 sccm;關(guān)閉溫度控制器8,停止加熱管式爐7,使管式爐7自然降溫;
      (5)當(dāng)管式爐7自然降溫到200°C以下時(shí),關(guān)閉閥門11;當(dāng)真空計(jì)10顯示石英管6內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到I. OXlO5Pa時(shí),關(guān)閉真空泵12 ;并停止輸入氬氣,取出經(jīng)過生長的硅片,即為單壁碳納米管;至此,單壁碳納米管生長結(jié)束。硅片單壁碳納米管優(yōu)點(diǎn)與效果如圖3所示,以Si片為襯底,Co =Mo的噴霧時(shí)間都為5s時(shí)生長出來的單壁碳納米管的掃描電鏡圖
      實(shí)施例2
      本實(shí)施例除下述特征外,其他均與實(shí)施例相同在氧化鋁纖維襯底上生長高質(zhì)量單壁碳納米管
      1)準(zhǔn)備襯底將氧化鋁纖維切成IX Icm大小,將氧化鋁纖維置于500°C下退火5min,以去除襯底表面的雜質(zhì);
      2)配制催化劑溶液將0.0169g四水醋酸鈷與0. 0090g醋酸鑰溶于50g乙醇進(jìn)行超聲處理,超聲時(shí)間為60 min,隨后將混合溶液用乙醇稀釋100倍。3)超聲噴霧處理將襯底置于噴霧裝置的噴嘴下;將鑰醋酸二聚體溶液置入噴霧裝置內(nèi),按下噴霧裝置開始開關(guān),在液體輸運(yùn)器的作用下,鑰醋酸二聚體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;噴霧5s后,將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,煅燒溫度為400°C,煅燒時(shí)間為5min,使鑰醋酸二聚體分解成氧化鑰(MoO3);將經(jīng)過煅燒處理的襯底重新放到噴嘴下,將噴霧裝置里的催化劑前軀體溶液更換為四水醋酸鈷溶液進(jìn)行再噴霧處理;按下噴霧裝置開始開關(guān),在液體輸運(yùn)器的作用下,四水醋酸鈷溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;噴霧5s ;將經(jīng)過再噴霧處理的襯底進(jìn)行再煅燒,煅燒溫度為400°C,煅燒時(shí)間5 min,使四水醋酸鈷分解成氧化鈷(CoO);至此,催化劑制作完成。
      取出附著有催化劑的Al2O3纖維,接著進(jìn)行如下步驟
      (1)將附著有催化劑的Al2O3纖維放到石英管的中間;開啟真空泵12;并分別設(shè)置氣體質(zhì)量流量計(jì)5中的氬氣的流量為1000 sccm,氫氣的流量為40 sccm,向石英管中輸入兩種氣體;調(diào)節(jié)閥門11,使真空計(jì)10顯示為80 Kpa ;
      (2)設(shè)置溫度控制器8:管式爐7的溫度在30 min后從室溫升到800°C ;接著,在5min后從800°C升到850°C ;此后,管式爐的溫度保持在850°C ;按如上方式加熱管式爐7 ;
      (3)當(dāng)管式爐7溫度達(dá)到850°C后,等待5min使管式爐7溫度穩(wěn)定;之后,停止輸入氬氣與氫氣;待真空計(jì)10顯示壓強(qiáng)已經(jīng)降到10 Pa以下時(shí),向石英管6中輸入氣體質(zhì)量流量5計(jì)中的乙醇?xì)怏w,使之在襯底9上進(jìn)行生長,并設(shè)置該乙醇?xì)怏w的流量為1000 sccm;同時(shí), 調(diào)節(jié)閥門11,使真空計(jì)10壓強(qiáng)穩(wěn)定在3. 0 Kpa,生長時(shí)間為10 min ;
      (4)生長10min后,停止輸入乙醇?xì)怏w;接著,向石英管6中輸入氬氣,并設(shè)置氬氣的流量為1000 sccm ;關(guān)閉溫度控制器8,停止加熱管式爐7,使管式爐7自然降溫;
      (5)當(dāng)管式爐7自然降溫到200°C以下時(shí),關(guān)閉閥門11;當(dāng)真空計(jì)10顯示石英管6內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到I. OXlO5Pa時(shí),關(guān)閉真空泵12 ;并停止輸入氬氣,取出經(jīng)過生長氧化鋁纖維,即為單壁碳納米管;至此,單壁碳納米管生長結(jié)束。氧化鋁纖維單壁碳納米管的優(yōu)點(diǎn)與效果
      圖4為未進(jìn)行噴霧處理生長的Al2O3纖維碳納米管的掃描電鏡圖。圖5為Al2O3纖維噴霧Co/Mo合金催化劑并進(jìn)行碳納米管生長后的掃描電子顯微鏡(SEM)圖(圖4與圖5的標(biāo)尺都為200納米)。對比圖4與圖5,可以很明顯的看到在原本沒有碳納米管的纖維上生長了一層碳納米管。上述實(shí)施例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。即凡依本發(fā)明內(nèi)容所作的均等變化與修飾,都為本發(fā)明權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。
      權(quán)利要求
      1.一種用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,該制備方法通過噴霧裝置進(jìn)行,所述噴霧裝置包括通過管道連接的液體輸運(yùn)器與超聲起霧噴嘴;其特征在于制備過程包括以下步驟 1)準(zhǔn)備襯底通過物理或化學(xué)清洗去除襯底表面的有機(jī)物雜質(zhì); 2)配制催化劑溶液采用鈷、鐵、鎳、鑰、金、鋁或鉬中的一種或一種以上形成的可溶鹽作為原料,將可溶鹽中的一種或一種以上溶于水或有機(jī)溶劑中,得到一種或一種以上催化劑前軀體溶液; 3)超聲噴霧處理將襯底置于噴霧裝置的超聲起霧噴嘴下; 當(dāng)步驟2)制得一種催化劑前軀體溶液時(shí),將上述催化劑前軀體溶液置入噴霧裝置的液體輸運(yùn)器內(nèi),該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,煅燒溫度為200C-500°C,煅燒時(shí)間為I min -20min,至可溶鹽分解,得到催化劑,該催化劑附著在襯底上; 或當(dāng)步驟2)制得一種以上催化劑前軀體溶液時(shí),先選取其中一種催化劑前軀體溶液置于噴霧裝置的液體輸運(yùn)器內(nèi),該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到襯底上;將經(jīng)過噴霧處理的襯底進(jìn)行煅燒,至可溶鹽分解,得到初步處理襯底;然后將液體輸運(yùn)器內(nèi)的催化劑前軀體溶液更換成剩余催化劑前軀體溶液中的其中一種,該催化劑前軀體溶液經(jīng)過噴霧裝置的管道傳輸?shù)匠暺痨F噴嘴上,在超聲波的作用下霧化成霧化氣體,最后由噴嘴噴到初步處理襯底上;將再經(jīng)過噴霧處理的初步處理襯底進(jìn)行煅燒,至可溶鹽分解;直至依次或循環(huán)更換完畢;其中,煅燒溫度為200C-500°C,煅燒總時(shí)間為I min _20min,得到催化劑,該催化劑附著在襯底上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述襯底的物理清洗為高溫煅燒;所述化學(xué)清洗為等離子體清洗或紫外光清洗。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述襯底為硅片、石英片、纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒;所述纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒的材料為玻璃、石英、氧化鋁或氧化鋯及其混合物。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述纖維或不規(guī)則的多邊形沙粒的直徑范圍在lOnm-lOmm。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述催化劑前軀體溶液中的金屬原子質(zhì)量濃度為10 ppm-20%。
      6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述有機(jī)溶劑為醇、酮、苯或環(huán)烷及其混合物形成的溶劑。
      7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述噴霧裝置的超聲功率為IW -5000W,噴霧沉積時(shí)間為ls-300s。
      8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于所述霧化氣體的形狀為點(diǎn)狀、線狀、面狀、扇形或錐形。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法,其特征在于步驟3)中,所述噴霧裝置的噴嘴或置于噴嘴下的襯底進(jìn)行二維或三維移動(dòng)。
      10.一種根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的用于制備單壁碳納米管的催化劑的運(yùn)用,其特征在于將附著有催化劑的襯底通過化學(xué)氣相沉積法制備得到單壁碳納米管。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種用于制備單壁碳納米管的催化劑的制備方法及其運(yùn)用。通過噴霧法沉積,將催化劑簡便、有效地附著于襯底上,用于生長單壁碳納米管。本發(fā)明利用噴霧的方法,解決在大面積、低成本制備單壁碳納米管催化劑的方法并提供了一種在形狀不規(guī)則襯底(比如Al2O3纖維或形狀不規(guī)則的沙粒)上制備催化劑、生長單壁碳納米管的方法,拓寬了單壁碳納米管的應(yīng)用范圍。
      文檔編號C01B31/02GK102728414SQ20121023347
      公開日2012年10月17日 申請日期2012年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月7日
      發(fā)明者曾海強(qiáng), 湯子康, 蘇宇泉, 項(xiàng)榮 申請人:中山大學(xué)
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