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      還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):3471535閱讀:221來(lái)源:國(guó)知局
      還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu)的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括底盤上面板(1)、底盤中面板(2)、底盤下面板(3)、導(dǎo)流板(4)、加強(qiáng)板(5)、冷卻水進(jìn)水管(6)、冷卻水出水管(7)、假管(8)和電極座(9),底盤中面板(2)將底盤冷卻腔分為上、下兩個(gè)腔體(10、11),導(dǎo)流板(4)呈螺旋狀設(shè)置于上腔體(10)內(nèi),冷卻水進(jìn)水管(6)接入上腔體(10),加強(qiáng)板(5)設(shè)置于下腔體(11)內(nèi),加強(qiáng)板(5)將所有的電極座(9)拉撐在一起,冷卻水出水管(7)由下腔體(11)接出。本發(fā)明采用了雙層冷卻結(jié)構(gòu),將導(dǎo)流與加強(qiáng)分設(shè)于兩個(gè)腔體,并且利用上腔體升溫后的冷卻水加熱底盤下面板,從而減小上下面板溫差,改善底盤溫差變形。
      【專利說(shuō)明】還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu)
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及多晶硅還原爐,具體涉及一種多晶硅行業(yè)大型還原爐底盤的冷卻及其加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]改良西門子法生產(chǎn)多晶硅,其方法主要是利用氫氣還原三氯氫硅,從而生成多晶硅,這個(gè)氫還原設(shè)備就是我們所說(shuō)的還原爐。
      [0003]目前國(guó)際多晶硅價(jià)格已滑落至20$/kg,各生產(chǎn)企業(yè)的成本壓力越來(lái)越大,為了降低還原電耗,所以目前還原爐也越來(lái)越大型化,36對(duì)棒還原爐已成為目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的主流。
      [0004]目前多晶硅行業(yè)大型還原爐大多采用上下兩塊面板(如圖4),由于底盤直徑較大,且冷卻腔深度較深,冷卻水經(jīng)過(guò)底盤冷卻腔時(shí),往往上層的冷卻水與下層的冷卻水有較大溫差,而且現(xiàn)有結(jié)構(gòu)只有一個(gè)冷卻腔,其腔內(nèi)的導(dǎo)流板無(wú)法兼顧加強(qiáng)作用,所以運(yùn)行過(guò)程中往往由于上下面板的溫差,造成底盤發(fā)生溫差變形。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于克服上述不足,提供一種既能有效冷卻底盤且能加固底盤的新型冷卻結(jié)構(gòu),保證設(shè)備的安全運(yùn)行的還原爐底盤雙層冷卻結(jié)構(gòu)。
      [0006]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括底盤上面板、底盤中面板、底盤下面板、導(dǎo)流板、加強(qiáng)板、冷卻水進(jìn)水管、冷卻水出水管、假管和電極座,底盤中面板介于底盤上面板與底盤下面板之間,底盤中面板將底盤冷卻腔分為上、下兩個(gè)腔體,這樣能避免冷卻水溫度分層;假管將上、下兩個(gè)腔體和相連通,導(dǎo)流板呈螺旋狀設(shè)置于上腔體內(nèi),螺旋導(dǎo)流保證底盤上面板的冷卻無(wú)死區(qū);冷卻水進(jìn)水管接入上腔體,加強(qiáng)板設(shè)置于下腔體內(nèi),加強(qiáng)板將所有的電極座拉撐在一起,增加底盤整體強(qiáng)度、剛度;冷卻水出水管由下腔體接出。另外底盤冷卻水先通過(guò)上腔體,升溫后的冷卻水再通入下腔體,此時(shí)升溫后的冷卻水將對(duì)底盤下面板加熱,這樣就能有效降低底盤上、下面板的溫差,改善溫差變形。
      [0007]本發(fā)明的有益效果是:
      本發(fā)明采用了雙層冷卻腔,在結(jié)構(gòu)上將導(dǎo)流與加強(qiáng)分開(kāi),減小了還原爐底盤上下面板的溫差,改善了其由溫差引起的變形。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0008]圖1為本發(fā)明還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0009]圖2為本發(fā)明的上腔室俯視圖。
      [0010]圖3為本發(fā)明的下腔室俯視圖。
      [0011]圖4為以往還原爐底盤的冷卻結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0012] 圖中附圖標(biāo)記:底盤上面板1、底盤中面板2、底盤下面板3、導(dǎo)流板4、加強(qiáng)板5、冷卻水進(jìn)水管6、冷卻水出水管7、假管8、電極座9、上腔體10、下腔體11。
      【具體實(shí)施方式】[0013]參見(jiàn)圖1,圖1為本發(fā)明還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu)示意圖。從圖1可以看出,本發(fā)明還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu),包括底盤上面板1、底盤中面板2、底盤下面板3、導(dǎo)流板
      4、加強(qiáng)板5、冷卻水進(jìn)水管6、冷卻水出水管7、假管8和電極座9,底盤中面板2介于底盤上面板I與底盤下面板3之間,底盤中面板2將底盤冷卻腔分為上、下兩個(gè)腔體10和11,假管8將上、下兩個(gè)腔體10和11相連通,導(dǎo)流板4呈螺旋狀設(shè)置于上腔體10內(nèi),如圖2,冷卻水進(jìn)水管6接入上腔體10,加強(qiáng)板5設(shè)置于下腔體11內(nèi),加強(qiáng)板5將所有的電極座9拉撐在一起,呈井字形布置,如圖3,提高底盤的強(qiáng)度、剛度,冷卻水出水管7由下腔體11接出。底盤冷卻水通過(guò)冷卻水進(jìn)水管6進(jìn)入上腔體,然后順著導(dǎo)流板4螺旋導(dǎo)流,有效冷卻底盤上面板I,然后順著假管8進(jìn)入底盤冷卻腔的下腔體,下腔體的冷卻水對(duì)底盤下面板3加熱后就順著冷卻水出水管7流出了還原爐冷卻腔。
      【權(quán)利要求】
      1.一種還原爐底盤的雙層冷卻結(jié)構(gòu),其特征在于所述結(jié)構(gòu)包括底盤上面板(I)、底盤中面板(2)、底盤下面板(3)、導(dǎo)流板(4)、加強(qiáng)板(5)、冷卻水進(jìn)水管(6)、冷卻水出水管(7)、假管(8)和電極座(9),底盤中面板(2)介于底盤上面板(I)與底盤下面板(3)之間,底盤中面板(2)將底盤冷卻腔分為上、下兩個(gè)腔體(10、11),假管(8)將上、下兩個(gè)腔體(10、11)相連通,導(dǎo)流板(4)呈螺旋狀設(shè)置于上腔體(10)內(nèi),冷卻水進(jìn)水管(6)接入上腔體(10),加強(qiáng)板(5 )設(shè)置于下腔體(11)內(nèi),加強(qiáng)板(5 )將所有的電極座(9 )拉撐在一起,冷卻水出水管(7)由下腔體(1 1)接出。
      【文檔編號(hào)】C01B33/03GK103896272SQ201210589117
      【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月31日
      【發(fā)明者】趙建, 盛斌, 董黎明, 王中華, 徐辰盛 申請(qǐng)人:江蘇雙良新能源裝備有限公司
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