用于沉積多晶硅的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于沉積多晶硅的方法，包括將包含含硅組分和氫氣的反應(yīng)氣體引入反應(yīng)器中，結(jié)果，多晶硅以棒的形式沉積，所述方法包括在沉積結(jié)束之后將棒遞送至所述反應(yīng)器中，在所述多晶棒和反應(yīng)器內(nèi)壁周圍流動(dòng)的氣體進(jìn)攻硅或硅化合物以溶解含硅顆粒，所述含硅顆粒在沉積過(guò)程中形成，并且在將所述多晶硅棒移出所述反應(yīng)器之前附著在所述反應(yīng)器內(nèi)壁或所述多晶硅棒上。
【專利說(shuō)明】用于沉積多晶硅的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于沉積多晶硅的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高純多晶硅(多晶硅(polysilicon))充當(dāng)原材料用于通過(guò)直拉(CZ)或區(qū)熔(FZ)法生產(chǎn)用于半導(dǎo)體的單晶硅，以及用于通過(guò)不同拉伸和鑄造法生產(chǎn)單晶硅或多晶硅，所述單晶硅或多晶硅用于生產(chǎn)光伏太陽(yáng)能電池。
[0003]通常通過(guò)西門子法來(lái)生產(chǎn)多晶硅。這涉及將包含一種或多種含硅組分的反應(yīng)氣體和可選的氫氣引入包括通過(guò)直接通電流加熱的支持體的反應(yīng)器中，硅以固體形式沉積在支持體上。
[0004]使用的含硅組分優(yōu)選為硅烷(SiH4)、單氯硅烷(SiH3Cl )、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)或所提及的物質(zhì)的混合物。
[0005]西門子法通常在沉積反應(yīng)器中進(jìn)行(也稱為“西門子反應(yīng)器”)。在最常使用的實(shí)施方式中，反應(yīng)器包括金屬基板和置于基板上的可冷卻的鐘罩，以便在鐘罩內(nèi)形成反應(yīng)空間。提供具有用于分離反應(yīng)氣體的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口和一個(gè)或多個(gè)廢氣孔的基板，以及有助于在反應(yīng)空間內(nèi)盛放支持體的容器，并且向它們供應(yīng)電流。EP2077252A2描述了用于生產(chǎn)多晶硅的反應(yīng)器類型的典型結(jié)構(gòu)。
[0006]通常每個(gè)支持體由兩個(gè)細(xì)絲棒(filament rod)和一般在其自由端連接相鄰棒的橋組成。絲棒最常由單晶硅或多晶硅制成；不太通常地，使用金屬、合金或碳。絲棒通過(guò)垂直插入存在于反應(yīng)器基底(base)上的電極連接到電源。高純多晶硅在加熱的絲棒和水平橋上沉積，結(jié)果，其直徑隨時(shí)間增 加。在已達(dá)到期望的直徑之后，通過(guò)停止含硅組分的供應(yīng)而結(jié)束該過(guò)程。
[0007]一般通過(guò)設(shè)置絲棒溫度、反應(yīng)氣體流速或組成來(lái)控制沉積操作。通常在朝向反應(yīng)器壁的絲棒表面上用輻射高溫計(jì)測(cè)定絲棒溫度。通過(guò)控制或調(diào)節(jié)電功率將絲棒溫度以固定方式設(shè)置或設(shè)置成絲棒直徑的函數(shù)。將反應(yīng)氣體的量和組成設(shè)置為時(shí)間或絲棒直徑的函數(shù)。
[0008]利用TCS或其與DCS和/或STC的混合物進(jìn)行沉積，其條件通常為:900 °C至1100°C的絲棒溫度、(總計(jì))0.5至10kmol/h每lm2的絲棒表面積的含硅組分進(jìn)料速率、進(jìn)料氣流中這種組分/這些組分的(總計(jì))10%至50%的摩爾比(余量，通常是氫氣，90%至50%)。
[0009]在此處和別處的絲棒溫度的數(shù)字涉及(除非明確提及)在電極以上至少50cm和橋以下至少50cm的垂直絲棒區(qū)域測(cè)定的值。在其它區(qū)域，溫度可以明顯不同于垂直絲棒區(qū)域。例如，在橋弧內(nèi)測(cè)定的值明顯較高，這是由于電流在該區(qū)域內(nèi)的分布不同。
[0010]用硅烷的沉積在較低溫度(400-900°C)、流速(0.01至0.2kmol/h的硅烷每lm2的絲棒表面積)、以及濃度(在 氫氣中0.5-2%的硅烷)下進(jìn)行。
[0011]沉積棒的形 態(tài)可以改變，從致密且光滑(例如，在US6，350，313B2中所描述的)到非常多孔且開裂的材料(例如，在US2010/219380A1中所描述的)。由于操作進(jìn)程較慢且所需的比能較高，因而生產(chǎn)致密絲棒較昂貴。
[0012]以上所述的基本參數(shù)(絲棒的溫度、比流速、濃度)的增大通常導(dǎo)致沉積速率的增加，從而改善沉積操作的經(jīng)濟(jì)可行性。
[0013]然而，對(duì)這些參數(shù)中的每個(gè)參數(shù)設(shè)置自然極限，其超過(guò)量干擾制造操作(根據(jù)使用的反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)，極限有所不同)。
[0014]如果，例如，選定的含硅組分的濃度過(guò)高，均勻的氣相沉積上升至過(guò)度的程度并且干擾沉積操作。
[0015]通常，在通過(guò)西門子法沉積多晶硅(Si)中，兩種競(jìng)爭(zhēng)過(guò)程處于均衡狀態(tài):硅沉積在絲棒表面(CVD過(guò)程)和形成游離顆粒(氣相反應(yīng)或積塵)。
[0016]根據(jù)沉積操作的條件、沉積反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)、以及形成的位置所形成的顆粒的性質(zhì)不同，并且它們的組成可以變化，從純Si (無(wú)定形至晶體)到通式為SixClyHz的復(fù)雜硅化合物。
[0017]塵粒隨氣流分布在整個(gè)反應(yīng)器空間內(nèi)，并且沉積在絲棒和反應(yīng)器內(nèi)壁(以鐘罩覆蓋的形式)上。同時(shí)，沉積在絲棒上的顆粒被連續(xù)沉積的新形成層覆蓋，從而整合在材料(SixClyHz，通常在熱絲棒 下反應(yīng)并轉(zhuǎn)化為純Si)中，沉積在冷鐘罩壁上的固體顆?；蚨嗷蛏俚匾运鼈兊脑夹问綉腋≡谄渖现钡匠练e循環(huán)結(jié)束，使得鐘罩覆蓋層隨著進(jìn)行的沉積操作
變得更厚。
[0018]這要求沉積反應(yīng)器內(nèi)壁潔凈，在所述反應(yīng)器中將鐘罩覆蓋層除去。
[0019]這通常是在將厚沉積棒拆卸之后，但仍在用于下一批顆粒的細(xì)絲棒充電之前進(jìn)行。
[0020]US5108512A描述了用于清潔反應(yīng)器的方法，在所述方法中使二氧化碳顆粒與硅碰撞并沉積在反應(yīng)器內(nèi)表面以除去硅沉積。
[0021]通過(guò)顯著增加沉積過(guò)程中進(jìn)料氣體中H2的含量，一般可以改變基本朝向CVD操作一側(cè)的化學(xué)反應(yīng)的平衡狀態(tài)。然而，由于在這些條件下沉積進(jìn)行得較緩慢并且能量需求較高，因而出于經(jīng)濟(jì)原因，這不是優(yōu)選的。結(jié)果，在多晶硅的工業(yè)生產(chǎn)中在一定程度上可允許進(jìn)行氣相反應(yīng)。
[0022]例如，在西門子法中工業(yè)生產(chǎn)的多晶硅棒總是被疏松的含硅顆粒或硅塵不同程度地污染。沉積操作結(jié)束之后，一部分立即從氣相到達(dá)絲棒。當(dāng)沉積結(jié)束時(shí)，最后到達(dá)的顆粒不再通過(guò)覆蓋新層而整合在絲棒中，從而在表面上保持疏松。第二部分不可避免地從反應(yīng)器壁到達(dá)絲棒，其中部分通過(guò)凈化氣體轉(zhuǎn)移，部分由于在拆卸過(guò)程中反應(yīng)器的振動(dòng)或移動(dòng)引起的材料脫落。
[0023]即使少量塵粒對(duì)產(chǎn)品性能具有很強(qiáng)的負(fù)面影響。
[0024]US6916657披露了外來(lái)顆?？梢越档途w冷卻過(guò)程中的產(chǎn)率。
[0025]現(xiàn)有技術(shù)嘗試通過(guò)向反應(yīng)器空間中引入冷卻元件來(lái)降低氣相反應(yīng)的程度(例如，DE19502865A1)。然而，除了非常有限的影響之外，這接近意味著相當(dāng)大的額外結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，并且由于能量通過(guò)冷卻元件從反應(yīng)器中散失，因而通常需要增加能量。
[0026]此外，現(xiàn)有技術(shù)中存在幾種已知的方法，通過(guò)所述方法粉碎成小塊的多晶Si是無(wú)塵的。為了獲得用于CZ或太陽(yáng)能的大塊硅，將絲棒用工具如錘、破碎機(jī)或研磨器機(jī)械粉碎，然后按大小分類。此處，硅塊的尺寸范圍為約Imm至150_以上。硅塊的形狀通常不應(yīng)明顯不同于球體形狀。
[0027]W02009/003688A2描述了，例如，通過(guò)篩掉附著在表面上的材料，從材料混合物中分離導(dǎo)電粗顆粒，并且從材料混合物中除去視覺可識(shí)別的雜質(zhì)以及高度氧化的硅材料來(lái)處理存在于材料混合物中的表面污染的硅材料的方法。然而，這只能除去疏松且相對(duì)較大的顆粒。
[0028]DE102010039751A1提出通過(guò)壓縮空氣或干冰對(duì)多晶硅除塵。除相當(dāng)大的技術(shù)復(fù)雜性之外，在多孔且開裂的材料的情況下，這種方法具有并不能除去所有顆粒的缺點(diǎn)。
[0029]此外，存在幾種已知的濕法化學(xué)清潔方法，所述方法通常利用一種或多種酸或者酸混合物(參見，例如，US6，309，467B1)。這種通常非常不方便且昂貴的清潔，同樣不能完全除去存在具有多孔和裂紋結(jié)構(gòu)的情況下的材料中的顆粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0030]本發(fā)明的目的是尋找用于生產(chǎn)多晶硅的新型廉價(jià)方法，所述方法使反應(yīng)器和多晶硅棒不含形成在沉積和鐘罩覆蓋層上的疏松顆粒或灰塵。
[0031]通過(guò)用于沉積多晶硅的方法達(dá)到了本發(fā)明的目的，所述方法包括將包含含硅組分和氫氣的反應(yīng)氣體引入反應(yīng)器中，結(jié)果，多晶硅以棒的形式沉積，所述方法包括在沉積結(jié)束之后將多晶硅棒遞送至反應(yīng)器中，在多晶硅棒以及反應(yīng)器內(nèi)壁周圍流動(dòng)的氣體進(jìn)攻硅或硅化合物以溶解含硅顆粒，所述含硅顆粒在沉積過(guò)程中形成，并且在將多晶硅棒移出反應(yīng)器之前附著在反應(yīng)器內(nèi)壁或多晶硅棒上。
[0032]硅化合物是通式為SixClyHz的化合物。
[0033]優(yōu)選地，引入進(jìn)攻硅或硅化合物的氣體，隨后用氫氣或惰性氣體(例如，氮或氬)吹洗反應(yīng)器，吹洗反應(yīng)器以使其不含有氣體反應(yīng)產(chǎn)物以及含硅組分的未轉(zhuǎn)化的殘余物。
`[0034]在吹洗操作之后，結(jié)束`凈化氣體的流入，并且將能源供應(yīng)突然降至零或以特定的坡度降至零，以便將形成的Si棒冷卻至環(huán)境溫度。
[0035]在引入進(jìn)攻硅或硅化合物的氣體之前，進(jìn)行類似的吹洗操作同樣有利。
[0036]在引入進(jìn)攻硅或硅化合物的氣體的過(guò)程中，優(yōu)選地，通過(guò)直接通電流將多晶硅棒加熱至500-1000°C的溫度。
[0037]進(jìn)攻硅或硅化合物的氣體優(yōu)選包括HC1。在這種情況下，多晶硅棒的溫度應(yīng)為500-1000°C。
[0038]可以將HC1和H2的混合物引入反應(yīng)器中。
[0039]同樣地，優(yōu)選引入一種或多種氯硅烷和H2的混合物作為進(jìn)攻硅或硅化合物的氣體。在這種情況下，有必要選擇多晶硅棒的溫度、氯硅烷/?混合物的組成、以及氯硅烷的分流速率，以使氯硅烷進(jìn)攻硅或硅化合物。
[0040]情況是，例如，當(dāng)使用H2和三氯硅烷的混合物或者H2、三氯硅烷和二氯硅烷的混合物時(shí)，所述混合物由90-99mol%的H2、l_10mol%的TCS、以及0_2mol%的DCS組成，氯硅烷總的分流速率是0.005-0.2kmol/h多晶硅棒每lm2的多晶硅棒的表面積，并且多晶硅棒的溫度是 1100-1400°C。
[0041]因而，本發(fā)明設(shè)想在沉積操作結(jié)束之后，通過(guò)氣體化學(xué)除去下游步驟中的碎顆粒
和鐘罩覆蓋層。[0042]本發(fā)明使得能夠在具有較高比例的氣相反應(yīng)下進(jìn)行經(jīng)濟(jì)上更有利的沉積操作，同時(shí)，獲得高級(jí)、無(wú)塵和無(wú)顆粒的多晶(硅)棒，使得下游結(jié)晶步驟可達(dá)到高產(chǎn)率。
[0043]在一些實(shí)施方式中，可將鐘罩覆蓋層完全除去，使得可以免除循環(huán)之間的反應(yīng)器清洗。這使得顯著節(jié)省時(shí)間和成本。
[0044]已出乎意料地發(fā)現(xiàn)，以這種方式處理的所有批次的表面金屬的測(cè)定濃度較低。可能地，同時(shí)也化學(xué)進(jìn)攻金屬(或它們的化合物)，將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氯化物，從而將其除去。發(fā)現(xiàn) Fe、N1、Cr、T1、Mo、Mn、Co、V、Cu、Zn、Zr、Nb、Ta、W 明顯降低。
[0045]在沉積過(guò)程中，一旦棒達(dá)到期望的直徑之后，使化學(xué)進(jìn)攻并溶解硅塵顆粒和鐘罩覆蓋層的氣體或氣體混合物通過(guò)反應(yīng)器。如上所述，這一步驟應(yīng)優(yōu)選利用熾熱硅棒進(jìn)行。通過(guò)設(shè)定棒的溫度，可以控制清潔作用和速度。
[0046]在所述方法的第一個(gè)實(shí)施方式中，HCl氣體或HCVH2混合物通過(guò)反應(yīng)器。
[0047]優(yōu)選地，使用具有20mol%至80mol%的HCl的HC1/H2混合物。
[0048]更優(yōu)選地,氯化氫的分流速率為0.00IkmoI/h至0.lkmol/h每Im2的娃棒表面積。
[0049]最優(yōu)選地，棒的溫度應(yīng)設(shè)定為500-1000°C。
[0050]操作的持續(xù)時(shí)間由棒和鐘罩的污染度決定。
[0051]實(shí)際上，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)最佳期間為10分鐘至90分鐘。
[0052]此外，也可以將 顯著的鐘罩覆蓋層完全除去，以使得可以免除循環(huán)之間鐘罩的清潔。
[0053]缺點(diǎn)在于多晶硅棒也受到HCl較小程度的進(jìn)攻和溶解。這導(dǎo)致一定程度的產(chǎn)率降低。
[0054]在第二個(gè)實(shí)施方式中，一種或多種氯硅烷(如，四氯化硅、三氯硅烷、二氯硅烷)和H2的混合物通過(guò)反應(yīng)器。
[0055]在這種情況下，如果有的話，沉積的硅棒也僅受到很小程度的進(jìn)攻。
[0056]在適當(dāng)選擇操作參數(shù)的情況下，除了對(duì)鐘罩覆蓋層的侵蝕作用外，疏松硅顆?？梢酝瑫r(shí)以較小的程度另外沉積在硅棒的硅上。
[0057]第二個(gè)實(shí)施方式的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是使用用于清潔沉積的相同氯硅烷或相同氯硅烷的混合物的可能性。
[0058]因此，不需要對(duì)反應(yīng)器進(jìn)一步布置任何管路以向它們提供用于清潔的介質(zhì)。
[0059]特別優(yōu)選的是使用H2和三氯硅烷的混合物或者H2、三氯硅烷和二氯硅烷的混合物，在所述混合物中H2的組成為90-99mol%、TCS的組成為l_10mol%、以及DCS的組成為0-2mol%。優(yōu)選地，氯硅烷的總分流速率為0.005kmol/h至0.2kmol/h每Im2的硅棒表面積。最優(yōu)選地，此處硅棒的溫度為1100°C至1400°C。
[0060]操作的持續(xù)時(shí)間由棒和鐘罩的污染度決定。
[0061]實(shí)際上，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)最佳期間為30分鐘至600分鐘。
[0062]也可以以多種方式組合所描述的兩種方法。
【具體實(shí)施方式】
[0063]以下，將通過(guò)比較例和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行描述。
[0064]這些包括生產(chǎn)多晶娃棒(直徑160mm),各自在相同沉積反應(yīng)器中具有相同沉積操作的多晶硅棒，所述多晶硅棒以高沉積速率和經(jīng)濟(jì)可行性為特征，但是具有一定比例的氣相反應(yīng)，使得形成明顯的鐘罩覆蓋層，并且疏松顆粒污染棒。
[0065]在整個(gè)沉淀期間內(nèi)，在1050°C的恒定棒溫度下，利用TCS和H2進(jìn)行沉積。TCS的摩爾比為30%。調(diào)節(jié)其進(jìn)料作為棒直徑的函數(shù)，以使比流速為3kmol/h每lm2的棒表面積。
[0066]為了測(cè)定形成的鐘罩覆蓋層，通過(guò)光度計(jì)在900mm下測(cè)定沉積前后鐘罩內(nèi)壁的反射度。
[0067]為了評(píng)價(jià)棒的質(zhì)量，沉積之后將它們研碎并最終將其用于CZ晶體拉伸操作中。
[0068]為了評(píng)價(jià)拉伸性能，在所有情況下測(cè)定可轉(zhuǎn)化為無(wú)錯(cuò)位單晶的多晶硅的重量比(拉伸率)。
[0069]高拉伸率表示棒的低污染和高質(zhì)量。
[0070]在所有試驗(yàn)中，在以下CZ拉晶操作中拉伸單硅晶體:初始坩堝重為90Kg、晶體直徑為8英寸、晶體取向?yàn)椤?00〉、拉伸速度為lmm/h。
[0071]比較例
[0072]在比較例中，沉積之后沒有對(duì)棒進(jìn)行任何處理。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)將反應(yīng)器吹洗干凈。隨后，將沉積棒冷卻至室溫并將其拆卸。
[0073]與處理開始之前的潔凈鐘罩的反射相比，測(cè)定的處理結(jié)束后的反應(yīng)器壁的反射顯示降低了 50%。
[0074]獲得的來(lái)自多晶材料的單晶的拉伸給出的平均拉伸率僅為67.3%。
[0075]實(shí)施例1
[0076]在實(shí)施例1中，在沉積并吹洗反應(yīng)器之后，根據(jù)第一個(gè)實(shí)施方式對(duì)棒和反應(yīng)器進(jìn)行本發(fā)明的清潔步驟。
[0077]這包括使HC1 (50mol%)和H2的氣體混合物通過(guò)反應(yīng)器30分鐘，在此過(guò)程中，氯化氫的分流速率是0.01kmol/h每lm2的硅棒表面積，并且棒的溫度是700°C。
[0078]與沉積之前的原始清潔狀態(tài)的反射相比，在該步驟之后測(cè)定的反應(yīng)器壁的反射，沒有發(fā)現(xiàn)任何降低，這表明鐘罩覆蓋層，如在比較例中所發(fā)現(xiàn)的，已經(jīng)被完全除去。
[0079]獲得的來(lái)自多晶材料的單晶的拉伸給出的平均拉伸率僅為93.3%。
[0080]實(shí)施例2
[0081]在實(shí)施例2中，在沉積并吹洗反應(yīng)器之后，根據(jù)第二個(gè)實(shí)施方式對(duì)棒和反應(yīng)器進(jìn)行本發(fā)明的清洗步驟。
[0082]這包括使TCS (5mol%)和H2的氣體混合物通過(guò)反應(yīng)器300分鐘，在此過(guò)程中，氯硅烷的分流速率是0.05kmol/h每lm2的硅棒表面積，并且棒的溫度是1200°C。
[0083]與開始沉積之前的潔凈鐘罩的反射相比，在該步驟結(jié)束后測(cè)定的反應(yīng)器壁的反射顯示降低至95%。`
[0084]獲得的來(lái)自多晶材料的單晶的拉伸給出的平均拉伸率僅為91.8%。
【權(quán)利要求】
1.一種用于沉積多晶娃的方法，包括將包含含娃組分和氫氣的反應(yīng)氣體引入反應(yīng)器中，結(jié)果，所述多晶硅以棒的形式沉積，所述方法包括在所述沉積結(jié)束之后將所述棒遞送至所述反應(yīng)器中，在所述多晶絲棒和反應(yīng)器內(nèi)壁周圍流動(dòng)的氣體進(jìn)攻硅或硅化合物以溶解含硅顆粒，所述含硅顆粒在所述沉積過(guò)程中形成，并且在將所述多晶硅棒移出所述反應(yīng)器之前附著在所述反應(yīng)器內(nèi)壁或所述多晶硅棒上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，引入進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體，隨后用氫氣或者用惰性氣體吹洗所述反應(yīng)器，吹洗所述反應(yīng)器以使其不含氣體反應(yīng)產(chǎn)物以及含硅組分的未轉(zhuǎn)化的殘余物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在引入進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體之前也用氫氣或者用惰性氣體吹洗所述反應(yīng)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在引入進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體的過(guò)程中，通過(guò)直接通電流將所述多晶硅棒加熱至500-1000°C的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體包括HCl，并且所述多晶硅棒的溫度是500-1000°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，使用的進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體是HCl和H2的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，引入的進(jìn)攻硅或硅化合物的所述氣體是一種或多種氯硅烷和H2的混合物，對(duì)所述多晶硅棒的溫度、所述氯硅烷/H2混合物的組成、以及所述氯硅烷的分流進(jìn)行選擇，以使所述氯硅烷進(jìn)攻硅或硅化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，使用H2和三氯硅烷的混合物或者H2、三氯硅烷和二氯硅烷的混合物，所述混合物由90-99mol%的H2、l-10mol%的TCS、以及0_2mol%的DCS組成，所述氯硅烷的總分流速率是0.005-0.2kmol/h每Im2的所述多晶硅棒的表面積，并且所述多晶硅棒的溫度是1100-1400°C。
【文檔編號(hào)】C01B33/035GK103723732SQ201310414982
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】米哈伊爾·索芬 申請(qǐng)人:瓦克化學(xué)股份公司