對pcb板蝕刻工藝的廢液處理方法
【專利摘要】一種對PCB板蝕刻工藝的廢液處理方法：廢液充分混合并調(diào)質(zhì)為堿性，得到以沉淀出現(xiàn)的第一副產(chǎn)物；過濾取出第一副產(chǎn)物；將過濾后的廢液加入反應(yīng)釜中加熱并濃縮得到以析出形式出現(xiàn)的第二副產(chǎn)物；濃縮的母液再回用，該方法通過兩次副產(chǎn)物的分別提取，實現(xiàn)了廢液的凈化處理和廢物利用，成本低，適合工業(yè)使用。
【專利說明】對PCB板蝕刻工藝的廢液處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于電子行業(yè)中PCB板的蝕刻工藝，特別是對其產(chǎn)生的廢液的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，具有更高性能和更強功能的集成電路要求更大的元件密度，而且各個部件、元件之間或各個元件自身的尺寸、大小和空間也需要進(jìn)一步縮小，即特征尺寸具有不斷縮小的要求。與之相對應(yīng)的技術(shù)發(fā)展方向之一就是采用大馬士革結(jié)構(gòu)的銅(Cu)金屬互聯(lián)工藝和化學(xué)機械拋光(CMP)工藝。例如中國發(fā)明專利(CN ZL200510025216.4)、中國專利申請(CN200810035095.5)便公開了相應(yīng)的制造工藝及參數(shù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中基本工序是:首先通過預(yù)制的掩模進(jìn)行曝光顯影并刻蝕形成對應(yīng)的預(yù)制溝槽；而后進(jìn)行金屬(Cu)沉淀或電鍍工藝，形成金屬層，該金屬層覆蓋了上一工序中所形成的預(yù)制溝槽，并具有一定的厚度；最后采用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝對金屬層進(jìn)行去除和拋光，以在預(yù)制的溝槽中形成對應(yīng)的金屬連線。
[0004]在此工藝中，由于采用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝，并采用相應(yīng)的蝕刻工藝，因此在制造PCB板的過程中產(chǎn)生大量的廢液，特別是濕法工藝。其廢液、廢水中的以銅主，并還有不少其他的重金屬和貴金屬，如有鉛、錫、金、銀、氟、氨、有機物和有機絡(luò)合物等。
[0005]為此需要一種針對PCB板的生產(chǎn)特點，對廢液進(jìn)行處理，在無害化處理的同時，能夠分別的實現(xiàn)對金屬物質(zhì)銅，以及其他成分的提取和再利用。

【發(fā)明內(nèi)容】
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[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種對PCB板蝕刻工藝的廢液處理方法，包括:
1)將所述廢液充分混合、并將其調(diào)質(zhì)為堿性廢液，得到以沉淀形成出現(xiàn)的第一副產(chǎn)
物；
2)將所述第一副產(chǎn)物過濾取出；
3)將所述過濾后的廢液加入反應(yīng)釜中加熱并濃縮得到以析出形式出現(xiàn)的第二副產(chǎn)物；
和
4)所述濃縮的母液再回用，濃縮過程產(chǎn)生的水蒸汽經(jīng)冷凝后回用。
[0007]本發(fā)明所述提供的方案中，廢液經(jīng)處理過程沒有添加復(fù)雜的原料，且工藝簡單，其廢液中的物質(zhì)通過沉淀和析出得以兩次提取分離，實現(xiàn)了廢物的再循環(huán)利用，且方法簡便，材料費用低，便于大規(guī)模操作。
【具體實施方式】
[0008]本發(fā)明提供一種對PCB板蝕刻工藝的廢液處理方法。由于在PC中采用蝕刻、化學(xué)機械拋光(CMP)工藝對金屬層進(jìn)行去除和拋光，其廢液中不僅含有銅成分，同時其中也有酸性廢液和堿性廢液。[0009]為此，本發(fā)明的方法為:
1)將所述廢液充分混合、并將其調(diào)質(zhì)為堿性廢液，得到以沉淀形成出現(xiàn)的第一副產(chǎn)物；
作為本發(fā)明的一個實施例，所述廢液包括:堿性銅廢液，其為NH4C1- ΝΗ3.Η20體系，其pH: 9~10，含Cu: 120~140mg/L，和酸性銅廢液，其為鹽酸體系，pH〈l，含Cu: 110~130mg/L。
[0010]作為優(yōu)選的，混合后的廢液應(yīng)被調(diào)質(zhì)為pH值為8~8.5的堿性廢液。
[0011]2)將所述第一副產(chǎn)物過濾取出；
作為本發(fā)明的實施例，所述第一副產(chǎn)物為Cu(0H)2。此過程已經(jīng)把廢液中的大部分銅成分以沉淀的形式得以提取。
[0012]3)將所述過濾后的廢液加入反應(yīng)釜中加熱并濃縮得到以析出形式出現(xiàn)的第二副產(chǎn)物；
作為本發(fā)明的實施例，所述第二副產(chǎn)物為氯化銨。此過程將廢液的其他物質(zhì)以濃縮析出的形式的得以提取。
[0013]4)所述濃縮的母液再回用，濃縮過程產(chǎn)生的水蒸汽經(jīng)冷凝后回用。該步驟實現(xiàn)了廢液的循環(huán)利用，同時提供了析出提取率。
[0014]應(yīng)了解本發(fā)明所要保護的范圍不限于非限制性實施方案，應(yīng)了解非限制性實施方案僅僅作為實例進(jìn)行說明。本申請所要要求的實質(zhì)的保護范圍更體現(xiàn)于獨立權(quán)利要求提供的范圍，以及其從屬權(quán)利要求。
【權(quán)利要求】
1.一種對PCB板蝕刻工藝的廢液處理方法，包括: 1)將所述廢液充分混合、并將其調(diào)質(zhì)為堿性廢液，得到以沉淀形成出現(xiàn)的第一副產(chǎn)物； 2)將所述第一副產(chǎn)物過濾取出； 3)將所述過濾后的廢液加入反應(yīng)釜中加熱并濃縮得到以析出形式出現(xiàn)的第二副產(chǎn)物；和 4)所述濃縮的母液再回用，濃縮過程產(chǎn)生的水蒸汽經(jīng)冷凝后回用。
2.如權(quán)利要求1所述的廢液處理方法，其特征在于:所述廢液包括: 堿性銅廢液，其為NH4C1- NH3.Η20體系，其pH: 9~10，含Cu: 120~140mg/L，和 酸性銅廢液，其為鹽酸體系，pH〈l，含Cu: 110~130mg/L。
3.如權(quán)利要求1所述的廢液處理方法，其特征在于:所述步驟I)中的堿性廢液的pH值為8~8.5。
4.如權(quán)利要求1所述的廢液處理方法，其特征在于:所述第一副產(chǎn)物為Cu(OH) 2。
5.如權(quán)利要求1所述的廢液處理方法，其特征在于:所述第二副產(chǎn)物為氯化銨。
【文檔編號】C01C1/16GK103643234SQ201310538877
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
【發(fā)明者】夏澤軍 申請人:昆山宏凌電子有限公司