技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種容納晶種以便在熔融硅中生長晶錠的晶種卡盤，包括：用于阻擋沿熔融硅的向上方向的熱發(fā)射的頸蓋；以及布置在頸蓋的底表面上并容納晶種的固定部，其中，所述頸蓋包括：與提升索連接的頂表面；底表面；以及連接頂表面和底表面的圓周表面，圓周表面形成為相對于底表面具有傾斜角，并且在頸蓋中用于測量熔融硅的測量部是開口的，使得頸蓋位于上隔熱體的孔上，以便在熔化步驟期間使通過上隔熱體的孔的熱損失最小化且不干擾熔融硅的溫度測量，從而有助于熔融硅的溫度測量并提高熔融硅溫度感測的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：姜鐘珉;盧臺植
受保護(hù)的技術(shù)使用者：LG矽得榮株式會社
文檔號碼：201580047651
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.28
技術(shù)公布日：2017.05.10