1.一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，包括不銹鋼桶(1)，其特征在于：所述不銹鋼桶(1)內(nèi)側(cè)設(shè)置有保溫層(2)，所述保溫層(2)內(nèi)設(shè)置有圓形鎢籠發(fā)熱體，所述圓形鎢籠發(fā)熱體內(nèi)腔中設(shè)置有圓形坩堝(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述保溫層(2)的中心為氧化鋯磚，外側(cè)由鉬片包裹。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述圓形鎢籠發(fā)熱體包括側(cè)部上圓形鎢籠發(fā)熱體(3)和側(cè)部下圓形鎢籠發(fā)熱體(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述側(cè)部上圓形鎢籠發(fā)熱體(3)和側(cè)部下圓形鎢籠發(fā)熱體(4)為鑲嵌組合結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述圓形坩堝(5)由坩堝支撐結(jié)構(gòu)(8)支撐；所述圓形坩堝(5)上端設(shè)置有坩堝蓋(13)，在坩堝蓋上放置有上隔熱屏(14)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述坩堝支撐結(jié)構(gòu)(8)包括坩堝托盤(10)和鎢支柱(9)，坩堝托盤(10)置于鎢支柱(9)之上，坩堝托盤(10)與圓形坩堝(5)的底部接觸，在坩堝托盤(10)與圓形坩堝(5)的接觸部分設(shè)置有氧化鋯涂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種200kg級藍寶石晶體的生長設(shè)備，其特征在于：所述圓形坩堝(5)下方設(shè)置有底部鎢發(fā)熱體(7)，所述底部鎢發(fā)熱體(7)下方設(shè)置有底部鉬片包裹氧化鋯磚結(jié)構(gòu)的保溫層(6)。
8.采用權(quán)利要求1-7所述的一種200kg級藍寶石晶體生長設(shè)備生產(chǎn)200kg級藍寶石晶體的生產(chǎn)工藝，步驟如下：
(1)、升高電壓，直至圓形坩堝內(nèi)的原料融化；
(2)、調(diào)節(jié)電壓，使圓形坩堝內(nèi)熔體表面對流形態(tài)穩(wěn)定，并使冷心與圓形坩堝幾何中心位置偏離小于20mm；
(3)、引晶，調(diào)節(jié)籽晶位置使其接近熔體液面，同時調(diào)節(jié)電壓，避免籽晶熔融；籽晶在其下端與熔體液面2～10mm處預熱10～60min，消除應(yīng)力；
(4)、提拉，配合旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)速率為0.2～10rpm；同時調(diào)節(jié)溫度至結(jié)晶端部覆蓋冷心并開始放肩；
(5)、放肩，升高電壓促使放肩完成，其后降溫，使得晶體生長成形，至生長末端時，再升高電壓，以使晶體生長順利收尾；
(6)、降低電壓直至關(guān)閉電源，晶體冷卻至200-300℃，長晶結(jié)束。