一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括坩堝、護(hù)板、發(fā)熱體、頂保溫層、側(cè)保溫層和底保溫層；發(fā)熱體位于坩堝外周、包圍住坩堝的側(cè)面和底面；頂保溫層位于坩堝上方，護(hù)板位于頂保溫層表面；側(cè)保溫層和底保溫層分別位于發(fā)熱體外圍和底部。本實(shí)用新的有益效果是：避免SiC蒸汽在保溫材料內(nèi)部沉積和腐蝕，從而保證在晶體生長(zhǎng)全過(guò)程中，頂部保溫材料維持恒定的保溫效果，從而保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】
一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種碳化硅制備裝置領(lǐng)域的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，具體的涉及一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在SiC晶體制備領(lǐng)域中，最為成熟的生長(zhǎng)方法是物理氣相傳輸法(PVT)。晶體生長(zhǎng)使用的坩禍?zhǔn)褂檬牧?，由于石墨材料具一定孔隙率，高溫下SiC蒸汽可以穿透石墨坩禍并在坩禍外部的保溫氈內(nèi)沉積，特別是SiC蒸汽內(nèi)的Si組分會(huì)與石墨保溫氈發(fā)生化合生成SiC，將石墨氈轉(zhuǎn)化成細(xì)碎的SiC粉末。保溫氈糟腐蝕破壞后，整體保溫性能將，并且腐蝕會(huì)集中在特定位置造成熱場(chǎng)溫度梯度偏離設(shè)計(jì)要求，造成晶體生長(zhǎng)的不穩(wěn)定。
[0003]為此，如何提供一種減輕保溫部件腐蝕的結(jié)構(gòu)，是本實(shí)用新型研究的目的。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0005]為克服現(xiàn)有技術(shù)不足，本實(shí)用新型提供一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，對(duì)長(zhǎng)晶過(guò)程泄露出的SiC蒸汽進(jìn)行遮擋和導(dǎo)流，保證在晶體生長(zhǎng)全過(guò)程中，頂部保溫材料維持恒定的保溫效果，從而保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。
[0006]為解決現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0007]—種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括坩禍、護(hù)板、發(fā)熱體、頂保溫層、側(cè)保溫層和底保溫層;所述的發(fā)熱體位于坩禍外周、包圍住坩禍的側(cè)面和底面;所述的頂保溫層位于坩禍上方，所述的護(hù)板位于頂保溫層下方，并覆蓋頂保溫層下表面;所述的側(cè)保溫層和底保溫層分別位于發(fā)熱體外圍和底部。
[0008]進(jìn)一步的，所述的護(hù)板與坩禍頂部間距大于10mm。
[0009]進(jìn)一步的，頂部保溫層使用石墨軟氈或石墨硬氈材料。
[0010]進(jìn)一步的，所述的位于頂保溫層下方的護(hù)板層數(shù)根據(jù)需要，可選擇一層或多層。
[0011]本實(shí)用新的有益效果是:避免SiC蒸汽在保溫材料內(nèi)部沉積和腐蝕，從而保證在晶體生長(zhǎng)全過(guò)程中，頂部保溫材料維持恒定的保溫效果，從而保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】

[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]其中:坩禍I，護(hù)板2、發(fā)熱體3、頂保溫層4、側(cè)保溫層5、底保溫層6、感應(yīng)圈7、碳化硅原料8、碳化硅晶體9。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更加理解本實(shí)用新型技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步分析。
[0015]如圖1所示，一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括坩禍I，護(hù)板2，發(fā)熱體3，頂保溫層4，側(cè)保溫層5，底保溫層6，其中發(fā)熱體3位于坩禍I外周、包圍住坩禍I的側(cè)面和底面，頂保溫層4位于坩禍I上方，護(hù)板2位于頂保溫層4下方，并覆蓋頂保溫層下表面，側(cè)保溫層5、底保溫層6分別位于發(fā)熱體3外圍和底部。晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，由于頂保溫層4及護(hù)板2溫度低于坩禍I溫度，SiC蒸汽降優(yōu)先沉積在護(hù)板2表面，頂保溫層能夠在晶體生長(zhǎng)過(guò)程保持基本恒定的保溫狀態(tài)。
[0016]護(hù)板2與坩禍I頂部間距大于10mm，護(hù)板2可以遮擋頂保溫層4下表面、中孔表面。位于頂保溫層4下方的護(hù)板2層數(shù)可大于I層。當(dāng)坩禍I選用的石墨材料孔隙率增大或生長(zhǎng)溫度較高時(shí)，穿透坩禍I泄漏的SiC蒸汽量增大，可通過(guò)增加護(hù)板2的層數(shù)提高其保護(hù)能力。
[0017]本實(shí)用新型所述結(jié)構(gòu)在SiC晶體生長(zhǎng)頂部保溫下表面及測(cè)溫孔位置使用本專利設(shè)計(jì)的石墨零件進(jìn)行包裹，對(duì)長(zhǎng)晶過(guò)程泄露出的SiC蒸汽進(jìn)行遮擋和導(dǎo)流，避免SiC蒸汽在保溫材料內(nèi)部沉積和腐蝕，從而保證在晶體生長(zhǎng)全過(guò)程中，頂部保溫材料維持恒定的保溫效果，從而保證生長(zhǎng)工藝的穩(wěn)定性。
[0018]以上對(duì)本申請(qǐng)所提供的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本申請(qǐng)的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括坩禍、護(hù)板、發(fā)熱體、頂保溫層、側(cè)保溫層和底保溫層;所述的發(fā)熱體位于坩禍外周、包圍住坩禍的側(cè)面和底面;所述的頂保溫層位于坩禍上方，所述的護(hù)板位于頂保溫層下方，并覆蓋頂保溫層下表面;所述的側(cè)保溫層和底保溫層分別位于發(fā)熱體外圍和底部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的護(hù)板與坩禍頂部間距大于10mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于:頂部保溫層使用石墨軟氈或石墨硬氈材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的位于頂保溫層下方的護(hù)板層數(shù)根據(jù)需要，可選擇一層或多層。
【文檔編號(hào)】C30B29/36GK205711037SQ201620576078
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月14日
【發(fā)明人】鄭清超, 高宇, 楊坤
【申請(qǐng)人】河北同光晶體有限公司