本發(fā)明涉及tft-lcd基板澄清劑技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑。
背景技術(shù)：
在tft-lcd玻璃基板制造過程中，需要引入多種原材料，這些原材料帶有水分。由于該玻璃粘度值高，不利于氣泡的澄清，所以尋求有效的澄清劑一直是各公司重點(diǎn)研究的對象。早期，氧化砷被廣泛用于tft‐lcd基板玻璃的料方，然而隨著環(huán)保要求越來越嚴(yán)格，這種劇毒的氧化物已被逐步禁止使用。各公司曾努力用銻澄清來替代砷澄清，然而，銻同樣存在引起環(huán)境和健康方面的問題，而且與砷相比，銻周期澄清劑的有效性降低。所以，有必要提供一種澄清性能良好，且環(huán)境友好的澄清劑。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供了一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑。
本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：氯化鍶9-18份、氧化柿10-16份、氧化錫12-15份、碳酸鍶4-8份、硫酸鹽17-22份、供氧體14-21份、納米氧化鋁11-14份、氧化亞錫6-8份、氣相二氧化硅3-5份、硅溶膠12-17份。
所述供氧體為硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鋅中的一種或兩種。
一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑的生產(chǎn)方法，包括將氯化鍶、氧化柿、氧化錫、碳酸鍶、供氧體、納米氧化鋁、氧化亞錫、氣相二氧化硅混合，粉碎，過500目篩，得到粉末；將取1/2的硅溶膠與得到的粉末混合，研磨均勻，在常溫下干燥，粉碎至粒徑為1-100微米，得到顆粒；得到的顆粒，混合均勻，造粒，粒徑為200-400μm，送入煅燒爐，在340-350℃下煅燒20-30min，取出，即得。
所述硫酸鹽為硫酸鍶、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鎂、硫酸鋅中的一種或兩種。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過使用碳酸氫鈉造粒煅燒，在顆粒內(nèi)部形成負(fù)壓，能夠吸收小的氣籽，提高了澄清劑效果；本發(fā)明澄清劑不含有砷、銻等高毒性的物質(zhì)，具有環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)，加工時(shí)不會(huì)像含砷玻璃一樣發(fā)黑；本發(fā)明生產(chǎn)方法使用氣相二氧化硅，將有效成分分開，提高了澄清劑的耐高溫性，在加工時(shí)能夠逐級釋放氣體，能夠大大減小硅酸鹽玻璃中的氣籽濃度。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例1一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：氯化鍶9份、氧化柿10份、氧化錫12份、碳酸鍶4份、硫酸鹽17份、供氧體14份、納米氧化鋁11份、氧化亞錫6份、氣相二氧化硅3份、硅溶膠12份。
所述供氧體為硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鋅中的一種或兩種。
一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑的生產(chǎn)方法，包括將氯化鍶、氧化柿、氧化錫、碳酸鍶、供氧體、納米氧化鋁、氧化亞錫、氣相二氧化硅混合，粉碎，過500目篩，得到粉末；將取1/2的硅溶膠與得到的粉末混合，研磨均勻，在常溫下干燥，粉碎至粒徑為1-100微米，得到顆粒；得到的顆粒，混合均勻，造粒，粒徑為200-400μm，送入煅燒爐，在340-350℃下煅燒20-30min，取出，即得。
所述硫酸鹽為硫酸鍶、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鎂、硫酸鋅中的一種或兩種。
實(shí)施例2一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：氯化鍶18份、氧化柿16份、氧化錫15份、碳酸鍶8份、硫酸鹽22份、供氧體21份、納米氧化鋁14份、氧化亞錫8份、氣相二氧化硅5份、硅溶膠17份。
所述供氧體為硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鋅中的一種或兩種。
一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑的生產(chǎn)方法，包括將氯化鍶、氧化柿、氧化錫、碳酸鍶、供氧體、納米氧化鋁、氧化亞錫、氣相二氧化硅混合，粉碎，過500目篩，得到粉末；將取1/2的硅溶膠與得到的粉末混合，研磨均勻，在常溫下干燥，粉碎至粒徑為1-100微米，得到顆粒；得到的顆粒，混合均勻，造粒，粒徑為200-400μm，送入煅燒爐，在340-350℃下煅燒20-30min，取出，即得。
所述硫酸鹽為硫酸鍶、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鎂、硫酸鋅中的一種或兩種。
實(shí)施例3一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：氯化鍶13份、氧化柿12份、氧化錫14份、碳酸鍶6份、硫酸鹽19份、供氧體18份、納米氧化鋁13份、氧化亞錫7份、氣相二氧化硅4份、硅溶膠15份。
所述供氧體為硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鋅中的一種或兩種。
一種tft-lcd基板玻璃用環(huán)保澄清劑的生產(chǎn)方法，包括將氯化鍶、氧化柿、氧化錫、碳酸鍶、供氧體、納米氧化鋁、氧化亞錫、氣相二氧化硅混合，粉碎，過500目篩，得到粉末；將取1/2的硅溶膠與得到的粉末混合，研磨均勻，在常溫下干燥，粉碎至粒徑為1-100微米，得到顆粒；得到的顆粒，混合均勻，造粒，粒徑為200-400μm，送入煅燒爐，在340-350℃下煅燒20-30min，取出，即得。
所述硫酸鹽為硫酸鍶、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鎂、硫酸鋅中的一種或兩種。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于所述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是所述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。