本發(fā)明涉及光伏，尤其是涉及一種延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有直拉單晶硅技術(shù)中，初始/復(fù)投熔料過程中，石英坩堝持續(xù)處于石英坩堝行程下限位。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中直拉單晶硅化料工藝的示意圖，如圖1所示，化料過程中，石英坩堝部分區(qū)域持續(xù)性處于加熱器高溫區(qū)。

2、本申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下技術(shù)問題：

3、化料過程，隨著固體料塊熔化，高溫區(qū)域會(huì)烘烤石英坩堝裸露區(qū)域，對(duì)石英坩堝造成不可逆影響，導(dǎo)致石英坩堝受損，影響石英坩堝品質(zhì)及使用壽命，開爐成本增加，還會(huì)產(chǎn)生石英坩堝鼓包、變形、析晶等生產(chǎn)過程異常，導(dǎo)致企業(yè)制造成本增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的化料過程，隨著固體料塊熔化，高溫區(qū)域會(huì)烘烤石英坩堝裸露區(qū)域，對(duì)石英坩堝造成不可逆影響，導(dǎo)致石英坩堝受損，影響石英坩堝品質(zhì)及使用壽命，開爐成本增加，還會(huì)產(chǎn)生石英坩堝鼓包、變形、析晶等生產(chǎn)過程異常，導(dǎo)致企業(yè)制造成本增加的技術(shù)問題。本發(fā)明提供的諸多技術(shù)方案中的優(yōu)選技術(shù)方案所能產(chǎn)生的諸多技術(shù)效果詳見下文闡述。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供的一種延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，包括如下步驟：

4、s1：檢測(cè)投料參數(shù)以及化料過程中的單晶爐化料參數(shù)；

5、檢測(cè)石英坩堝與加熱器的相對(duì)位置參數(shù)；

6、s2：根據(jù)所檢測(cè)的投料參數(shù)、化料過程中的單晶爐化料參數(shù)以及石英坩堝與加熱器的相對(duì)位置參數(shù)，控制石英坩堝進(jìn)行上升或者下降運(yùn)動(dòng)，使加熱器的高溫區(qū)烘烤石英坩堝內(nèi)的溶體所在的區(qū)域。

7、優(yōu)選地，所述化料過程中的單晶爐化料參數(shù)至少包括單晶爐的化料功率以及石英坩堝內(nèi)的余料量。

8、優(yōu)選地，所述化料過程中的單晶爐化料參數(shù)還包括：?jiǎn)尉t的化料時(shí)間和/或通過攝像裝置捕捉的石英坩堝內(nèi)的光亮度。

9、優(yōu)選地，所述加熱器包括設(shè)置于所述石英坩堝周側(cè)的主加熱器。

10、優(yōu)選地，所述加熱器還包括設(shè)置于石英坩堝下方的底部加熱器。

11、優(yōu)選地，化料過程中石英坩堝的行程變化為“-1000mm”-“1000mm”。

12、優(yōu)選地，所述單晶爐的化料功率為0-300kw。

13、優(yōu)選地，所述單晶爐的化料時(shí)間設(shè)置為0-2000min。

14、優(yōu)選地，所述光亮度采用灰度值，所述灰度值為0-40。

15、優(yōu)選地，所述檢測(cè)投料參數(shù)包括：檢測(cè)投料的物化性能參數(shù)和質(zhì)量參數(shù)。

16、本發(fā)明提供的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，通過投料參數(shù)、化料過程中的單晶爐化料參數(shù)以及石英坩堝2與加熱器2的相對(duì)位置參數(shù)，控制石英坩堝進(jìn)行上升或者下降運(yùn)動(dòng)，使加熱器的高溫區(qū)烘烤石英坩堝內(nèi)的溶體所在的區(qū)域，避免了加熱器的高溫區(qū)域持續(xù)烘烤石英坩堝裸露區(qū)域，增加石英坩堝的使用壽命，同時(shí)可避免石英坩堝鼓包、變形、析晶等生產(chǎn)過程的異常，從而降低企業(yè)的制造成本。

技術(shù)特征：

1.一種延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述化料過程中的單晶爐化料參數(shù)至少包括單晶爐的化料功率以及石英坩堝內(nèi)的余料量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述化料過程中的單晶爐化料參數(shù)還包括：?jiǎn)尉t的化料時(shí)間和/或通過攝像裝置捕捉的石英坩堝內(nèi)的光亮度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述加熱器包括設(shè)置于所述石英坩堝周側(cè)的主加熱器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述加熱器還包括設(shè)置于石英坩堝下方的底部加熱器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：化料過程中石英坩堝的行程變化為“-1000mm”-“1000mm”。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述單晶爐的化料功率為0-300kw。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述單晶爐的化料時(shí)間設(shè)置為0-2000min。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述光亮度采用灰度值，所述灰度值為0-40。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，其特征在于：所述檢測(cè)投料參數(shù)包括：檢測(cè)投料的物化性能參數(shù)和質(zhì)量參數(shù)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種延長(zhǎng)石英坩堝使用壽命的方法，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：S1：檢測(cè)投料以及化料過程中的單晶爐化料參數(shù)；檢測(cè)石英坩堝與加熱器的相對(duì)位置參數(shù)；S2：根據(jù)所檢測(cè)的投料、化料過程中的單晶爐化料參數(shù)以及石英坩堝與加熱器的相對(duì)位置參數(shù)，控制石英坩堝進(jìn)行上升或者下降運(yùn)動(dòng)，使加熱器的高溫區(qū)烘烤石英坩堝內(nèi)的溶體所在的區(qū)域。本發(fā)明的有益效果是可有效延長(zhǎng)石英坩堝品質(zhì)及使用壽命，可實(shí)現(xiàn)硅單晶在生產(chǎn)過程中石英坩堝品質(zhì)保障的有效控制，降低坩堝異常風(fēng)險(xiǎn)，增加石英坩堝運(yùn)行時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低開爐成本。

技術(shù)研發(fā)人員：高利強(qiáng),楊志,劉文星,鐘旭,王偉,李磊,石錦璐,胡亞超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10