本發(fā)明涉及單晶爐，尤其是涉及一種單晶爐。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有方案中的單晶爐，在用直拉單晶法制備單晶體的過程中，普遍采用石英筒向坩堝中添加硅料，然而石英筒的容量有限，需要多次運(yùn)載硅料，從而導(dǎo)致單次復(fù)投需要多次重復(fù)操作石英筒加料，影響加工效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明在于提出一種單晶爐，所述單晶爐可以提高單晶體的加工效率。

2、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單晶爐，所述單晶爐包括：爐體，所述爐體的上壁面設(shè)有加料孔；坩堝，所述坩堝設(shè)于所述爐體內(nèi)；水冷屏，所述水冷屏設(shè)于所述爐體內(nèi)且位于所述坩堝上方；加料裝置，所述加料裝置包括加料器和加料組件，所述加料器設(shè)于所述爐體外，所述加料組件包括與所述加料器連通的加料管，所述加料管穿設(shè)于所述加料孔以伸入所述爐體內(nèi)，所述加料管位于所述水冷屏的上方；導(dǎo)向裝置，所述導(dǎo)向裝置豎向延伸且位于所述水冷屏的徑向內(nèi)側(cè)，所述導(dǎo)向裝置具有豎向延伸的導(dǎo)向通道，所述加料管的出料口適于伸入所述導(dǎo)向通道內(nèi)，所述導(dǎo)向通道的投料口位于所述水冷屏的下部。

3、根據(jù)本發(fā)明的單晶爐，在爐體外設(shè)置加料裝置和導(dǎo)向裝置，加料裝置可以往坩堝中持續(xù)復(fù)投硅料，能夠簡(jiǎn)化復(fù)投硅料的操作步驟，節(jié)約工時(shí)，提高單晶體加工效率，同時(shí)，導(dǎo)向裝置能夠給硅料提供導(dǎo)向，使單晶體能夠均勻生長(zhǎng)，還可以提升單晶體制備的安全性。

4、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，導(dǎo)向筒，所述導(dǎo)向筒豎向延伸并在內(nèi)側(cè)限定出所述導(dǎo)向通道，所述導(dǎo)向筒的下端敞開以形成所述投料口；蓋體，所述蓋體設(shè)于所述導(dǎo)向筒的下端，所述蓋體沿上下可移動(dòng)以打開和關(guān)閉所述投料口；連桿，所述連桿設(shè)于所述導(dǎo)向筒的徑向內(nèi)側(cè)，所述連桿的下端與所述蓋體相連，所述連桿的上端向上伸出所述導(dǎo)向筒，所述連桿用于驅(qū)動(dòng)所述蓋體上下移動(dòng)。

5、根據(jù)本發(fā)明的一些可選實(shí)施例，所述蓋體的上側(cè)表面形成為錐面，在從上往下的方向上，所述錐面的截面尺寸逐漸增大。

6、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述導(dǎo)向筒的下端延伸至與所述水冷屏的下端平齊或向下超出所述水冷屏的下端。

7、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述導(dǎo)向筒的周壁上形成有貫通所述導(dǎo)向筒的穿孔，所述加料管的一端適于穿過所述穿孔伸入所述導(dǎo)向通道內(nèi)。

8、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料管的遠(yuǎn)離所述加料器的一端向下傾斜延伸。

9、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料管包括：固定管，所述固定管的一端與所述加料器連通，且所述固定管與所述爐體連接；移動(dòng)管，所述移動(dòng)管的至少部分位于所述爐體內(nèi)，所述移動(dòng)管與所述固定管的另一端連通且可沿所述固定管的長(zhǎng)度方向移動(dòng)，所述移動(dòng)管遠(yuǎn)離所述固定管的一端被構(gòu)造成所述出料口。

10、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料組件還包括：連接管，所述連接管設(shè)于所述爐體外且兩端分別與所述加料器和所述爐體連接，所述加料管穿設(shè)于所述連接管內(nèi)。

11、根據(jù)本發(fā)明的一些可選實(shí)施例，所述連接管包括：間隔開的第一固定段和第二固定段，所述第一固定段的一端與所述爐體連接，所述第二固定段的一端與所述加料器連接；調(diào)節(jié)段，所述調(diào)節(jié)段長(zhǎng)度方向的兩端分別與所述第一固定段遠(yuǎn)離所述爐體的一端和所述第二固定段遠(yuǎn)離所述加料器的一端連接，所述加料管依次穿設(shè)于所述第一固定段、所述調(diào)節(jié)段和所述第二固定段，所述調(diào)節(jié)段的長(zhǎng)度可調(diào)且所述調(diào)節(jié)段軸向方向兩端面之間的角度可調(diào)。

12、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料器和所述連接管可拆卸地連接，所述連接管的背離所述爐體的一端設(shè)有閥體，所述加料管的遠(yuǎn)離所述爐體的一端位于所述閥體的靠近所述爐體的一側(cè)，在所述加料器拆卸后，所述閥體用于封堵所述連接管。

13、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料器上設(shè)有用于檢測(cè)加料器內(nèi)硅料重量的計(jì)重裝置。

14、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種單晶爐，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述導(dǎo)向裝置包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述蓋體的上側(cè)表面形成為錐面，在從上往下的方向上，所述錐面的截面尺寸逐漸增大。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述導(dǎo)向筒的下端延伸至與所述水冷屏的下端平齊或向下超出所述水冷屏的下端。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述導(dǎo)向筒的周壁上形成有貫通所述導(dǎo)向筒的穿孔，所述加料管的一端適于穿過所述穿孔伸入所述導(dǎo)向通道內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的單晶爐，其特征在于，所述加料管的遠(yuǎn)離所述加料器的一端向下傾斜延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的單晶爐，其特征在于，所述加料管包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單晶爐，其特征在于，所述連接管包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單晶爐，其特征在于，所述加料器和所述連接管可拆卸地連接，所述連接管的背離所述爐體的一端設(shè)有閥體，所述加料管的遠(yuǎn)離所述爐體的一端位于所述閥體的靠近所述爐體的一側(cè)，在所述加料器拆卸后，所述閥體用于封堵所述連接管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述加料器上設(shè)有用于檢測(cè)加料器內(nèi)硅料重量的計(jì)重裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種單晶爐，包括：爐體，爐體的上壁面設(shè)有加料孔；坩堝，坩堝設(shè)于爐體內(nèi)；水冷屏；加料裝置，加料裝置包括加料器和加料組件，加料器設(shè)于爐體外，加料組件包括與加料器連通的加料管，加料管穿設(shè)于加料孔以伸入爐體內(nèi)，導(dǎo)向裝置，導(dǎo)向裝置豎向延伸且位于水冷屏的徑向內(nèi)側(cè)，導(dǎo)向裝置具有豎向延伸的導(dǎo)向通道，加料管的出料口適于伸入導(dǎo)向通道內(nèi)，導(dǎo)向通道的投料口位于水冷屏的下部。根據(jù)本發(fā)明的單晶爐，在爐體外設(shè)置加料裝置和導(dǎo)向裝置，加料裝置可以往坩堝中持續(xù)復(fù)投硅料，能夠簡(jiǎn)化復(fù)投硅料的操作步驟，節(jié)約工時(shí)，提高單晶體加工效率，同時(shí)，導(dǎo)向裝置能夠給硅料提供導(dǎo)向，使單晶體能夠均勻生長(zhǎng)，還可以提升單晶體制備的安全性。

技術(shù)研發(fā)人員：周聲浪,張華利,王新,趙玉兵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23