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      一種SiC晶須表面鍍TiO2/Ti復(fù)合涂層的制備方法

      文檔序號:39344970發(fā)布日期:2024-09-10 12:07閱讀:29來源:國知局
      一種SiC晶須表面鍍TiO2/Ti復(fù)合涂層的制備方法

      本發(fā)明屬于非金屬粉末材料的制備,涉及一種sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法。


      背景技術(shù):

      1、碳化硅(sic)具有高機(jī)械強(qiáng)度、高硬度耐磨、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)的物理性能,同時具有高的化學(xué)穩(wěn)定性,能在高溫、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等極端環(huán)境下保持其化學(xué)穩(wěn)定性。碳化硅晶須的直徑一般為0.1~0.6μm,長度為10~50μm,外觀為粉末狀,晶體內(nèi)化學(xué)雜質(zhì)少,晶體結(jié)構(gòu)缺陷少,結(jié)晶成分均一,具有很好的比強(qiáng)度和比彈性模量,而且它能與鋁、鎂、銅等金屬有很好的化學(xué)相容性和潤濕性,是制備金屬基復(fù)合材料的主要增強(qiáng)相之一。然而,在制備sic/ti基復(fù)合材料時,sic表面元素與基體合金元素之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成脆性界面反應(yīng)層,影響結(jié)構(gòu)件的性能。纖維表面改性可以阻止sic與基體之間發(fā)生反應(yīng),也可以改善界面潤濕性,提高sic與ti合金基體的結(jié)合性。電鍍法和磁控濺射法是目前處理sic表面改性的常用方法,但是,磁控濺射法所需的設(shè)備比較昂貴,所需的條件及參數(shù)也相對較復(fù)雜,生產(chǎn)成本高、不易批量生產(chǎn);電鍍法大多都是氰化物電鍍,氰化物有劇毒,對人體和環(huán)境都有危害,且電鍍產(chǎn)生的廢水廢氣也會污染環(huán)境。本發(fā)明的目的是提供一種新的方法在sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層,改善sic晶須的表面潤濕性,提高sic/ti基復(fù)合材料的結(jié)合性能。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的目的是提供一種sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,此制備方法可以高效的獲得均勻包覆在sic晶須表面的tio2/ti復(fù)合涂層,且具有成本低、工藝簡單、容易控制和規(guī)?;a(chǎn)的特點(diǎn)。

      2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:

      3、一種sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,包括以下步驟:

      4、(1)對sic粉末進(jìn)行表面粗化處理:將sic粉末與粗化劑混合均勻,超聲分散0.5~1.5h后靜置3.5h,水洗后離心處理3次,無水乙醇洗后離心處理3次,取出干燥;得到的粉末表面粗糙,真實(shí)表面積明顯提高,鍍層附著力增強(qiáng)不易脫落;

      5、(2)對粗化后的sic粉末進(jìn)行敏化-活化處理:將sic粉末浸泡在敏化溶液中5~10min,取出清洗并烘干;再將敏化后的sic粉末浸泡在活化溶液中5~10min,取出清洗并烘干;

      6、(3)以鈦酸丁酯為前驅(qū)物,采用溶膠-凝膠法制備tio2涂層:將無水乙醇分為兩份,體積比為1:2,取一定量的sic粉末、鈦酸丁酯和2/3體積的無水乙醇混合攪拌4h,為溶液a;把冰醋酸、蒸餾水和1/3體積的無水乙醇混合均勻,為溶液b;

      7、(4)通過蠕動泵緩慢的將溶液b滴加入正在攪拌的溶液a中,繼續(xù)攪拌16h后取出,水洗離心處理3次,無水乙醇洗離心處理3次,干燥;將干燥的粉體在300~500℃低溫預(yù)燒3h,得到復(fù)合粉;

      8、(5)采用鹽浴鍍法在tio2/sic粉末表面鍍ti:將ti粉、tio2/sic粉、nacl、bacl2按質(zhì)量比1:9:5:5混合,混合后在球磨機(jī)中低速混合2h,使其混合均勻;將混合均勻的粉末放到剛玉坩堝中,真空條件下在800~1000℃加熱3h;

      9、(6)將加熱后的塊體在100℃水浴鍋中加熱4.5~5.5h,使混合物中的氯化鈉和氯化鋇溶解掉,用蒸餾水反復(fù)沖洗3~4遍;將水浴后的粉干燥,并經(jīng)75μm篩子篩選后,即得所要用的鍍tio2/ti復(fù)合涂層的sic粉末。

      10、進(jìn)一步,所述步驟(1)中sic粉末的直徑為0.1~0.6μm,長度為10~50μm。

      11、進(jìn)一步,所述步驟(1)中粗化劑的配方為cro3:40g/l,濃h2so4(98wt%):35g/l,濃h3po4(85wt%):5g/l。

      12、進(jìn)一步,所述步驟(2)中敏化溶液為氯化亞錫5~20g/l,活化溶液為氯化鈀0.2~0.35g/l。

      13、進(jìn)一步,所述步驟(3)中冰醋酸與蒸餾水的體積比為100:1,蒸餾水與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為10:1,無水乙醇與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為10-30:1,sic粉末與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為1-3:1。

      14、進(jìn)一步,所述步驟(3)中冰醋酸為催化劑,無水乙醇為溶劑和分散劑。

      15、進(jìn)一步,所述步驟(5)中鈦粉的粒徑為10~20μm,純度大于99.95%。

      16、進(jìn)一步,所述步驟(5)中球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為160~180rmp。

      17、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:

      18、1、本發(fā)明的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,采用溶膠-凝膠法在sic粉末表面鍍tio2,所形成的鍍層均勻且致密,與基體有很強(qiáng)的結(jié)合力,而且該方法沒有引入任何雜質(zhì),制備方法簡單,成本低,環(huán)保。

      19、2、本發(fā)明的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,采用鹽浴鍍法在tio2/sic粉末表面鍍ti,鍍層厚度可控,可以完全避免粉末表面漏鍍現(xiàn)象,與基體的界面結(jié)合力良好,工藝過程無毒無污染,環(huán)保性好。

      20、3、本發(fā)明的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,通過在sic表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層,對sic進(jìn)行表面改性,可以使sic作為增強(qiáng)相,制備sic/ti基復(fù)合材料時,阻止sic表面元素與基體合金元素之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成脆性界面反應(yīng)層,也可以改善界面潤濕性,提高sic與ti合金基體的結(jié)合性。



      技術(shù)特征:

      1.一種sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,該制備方法包括以下步驟:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中sic粉末的直徑為0.1~0.6μm,長度為10~50μm。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中粗化劑的配方為cro3:40g/l,濃h2so4:35g/l,濃h3po4(85wt%):5g/l。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中敏化溶液為氯化亞錫5~20g/l,活化溶液為氯化鈀0.2~0.35g/l。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中冰醋酸與蒸餾水的體積比為100:1,蒸餾水與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為10:1,無水乙醇與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為10-30:1,sic粉末與鈦酸四丁酯物質(zhì)的量比為1-3:1。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)中鈦粉的粒徑為10~20μm,純度大于99.95%。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic晶須表面鍍tio2/ti復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)中球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為160~180rmp。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及一種SiC晶須表面鍍TiO<subgt;2</subgt;/Ti復(fù)合涂層的制備方法,屬于非金屬粉末材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括對SiC粉末進(jìn)行表面粗化處理,得到的粉末表面粗糙,真實(shí)表面積明顯提高,鍍層附著力增強(qiáng)不易脫落;對粗化后的SiC粉末進(jìn)行敏化?活化處理;以鈦酸丁酯為前驅(qū)物,采用溶膠?凝膠法制備TiO<subgt;2</subgt;涂層,然后采用鹽浴鍍法在TiO<subgt;2</subgt;/SiC粉末表面鍍Ti,最后將混合物中的氯化鈉和氯化鋇溶解掉,即得所要用的鍍TiO<subgt;2</subgt;/Ti復(fù)合涂層的SiC粉末。此制備方法可以高效的獲得均勻包覆在SiC晶須表面的TiO<subgt;2</subgt;/Ti復(fù)合涂層,且具有成本低、工藝簡單、容易控制和規(guī)?;a(chǎn)的特點(diǎn)。

      技術(shù)研發(fā)人員:趙占勇,劉夢茹,白培康,李云龍,馬凱,張震,王利卿
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:中北大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/9/9
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