本發(fā)明屬于高溫防護(hù)涂層材料,尤其涉及一種耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層及其制備方法。
背景技術(shù):
1、陶瓷基復(fù)合材料(cmcs)憑借高承溫,低密度、高溫力學(xué)性能優(yōu)異等一系列性能優(yōu)勢,有望取代傳統(tǒng)的高溫合金,成為新一代高性能航空發(fā)動機熱端部件的主要候選材料。然而,在發(fā)動機燃?xì)猸h(huán)境中,cmcs構(gòu)件的服役性能因水蒸氣-氧氣耦合腐蝕而急劇衰退,必須在其表面制備超高溫、長壽命環(huán)境障涂層(ebcs)以提高復(fù)合材料的服役可靠性與穩(wěn)定性。
2、目前,應(yīng)用最為廣泛的第三代ebcs體系由si粘結(jié)層、莫來石中間層和稀土硅酸鹽環(huán)境障面層組成。其中,si粘結(jié)層具有與cmcs結(jié)合強度高、熱膨脹系數(shù)接近等特點,在整個cmcs-ebcs體系中起到至關(guān)重要的作用。然而,si粘結(jié)層的熔點僅為1410℃,在存在雜質(zhì)的情況下還會大大降低。此外,si氧化形成的sio2在冷熱交替過程中發(fā)生α-β相變,由此產(chǎn)生的拉應(yīng)力是導(dǎo)致si/sio2界面開裂的主要原因。更為嚴(yán)重的是,高溫下sio2與環(huán)境障層中的氧化物反應(yīng)生成玻璃態(tài)物相,造成涂層損傷失效。上述原因?qū)⒁詓i為粘結(jié)層的ebcs體系長期使用溫度限制在1350℃以下。隨著航空發(fā)動機向著更高推重比發(fā)展,對si粘結(jié)層進(jìn)行材料和結(jié)構(gòu)改性已迫在眉睫。
3、hfsio4作為硅酸鹽材料,不僅具有較高的熔點(~2758℃),而且熱膨脹系數(shù)與cmcs基體相近(3.11-5.97×10-6k-1),是極具應(yīng)用潛力的新型耐高溫粘結(jié)層材料。但是hfsio4自身與基體結(jié)合強度較低,并且在制備過程中由于sio2蒸發(fā)容易出現(xiàn)成分偏析和結(jié)構(gòu)疏松等不利現(xiàn)象,限制了其進(jìn)一步應(yīng)用。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層及其制備方法,該粘結(jié)層與基體結(jié)合強度高,耐溫可達(dá)1450℃,且在該溫度下ebcs體系內(nèi)各異質(zhì)界面保持化學(xué)穩(wěn)定,可有效提高cmcs熱端部件的服役溫度和性能。
2、本發(fā)明提供了一種耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,其特征在于,包括依次設(shè)置的點陣結(jié)構(gòu)的si底層、hfsio4-si中間層以及hfsio4頂層。
3、優(yōu)選地,hfsio4-si中間層中si以點狀形式均勻分布在hfsio4中;
4、所述hfsio4質(zhì)量含量介于70%~90%。
5、優(yōu)選地,hfsio4頂層中hfsio4質(zhì)量含量大于90%。
6、優(yōu)選地,所述點陣結(jié)構(gòu)的si底層的厚度為10~40μm;
7、所述hfsio4-si中間層厚度為10~50μm;
8、所述hfsio4頂層厚度為20~50μm。
9、本發(fā)明提供了一種上述技術(shù)方案所述的耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層的制備方法,包括以下步驟:
10、a)對陶瓷基復(fù)合材料基體進(jìn)行預(yù)處理;
11、b)采用大氣等離子噴涂技術(shù)在預(yù)處理后的陶瓷基復(fù)合材料基體表面依次制備點陣結(jié)構(gòu)的si底層、hfsio4-si中間層和hfsio4頂層;
12、c)對涂層進(jìn)行熱處理,得到耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層。
13、優(yōu)選地,所述基體材料為陶瓷基復(fù)合材料;
14、所述預(yù)處理包括對基體材料依次進(jìn)行清洗、噴砂和等離子射流加熱。
15、優(yōu)選地,大氣等離子噴涂形成點陣結(jié)構(gòu)的si底層過程中,以多孔網(wǎng)狀工裝對基體材料進(jìn)行遮擋,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~60l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為80~150mm,噴涂電流為300~600a,送粉率為10~30%,si粉末的粒徑為15~60μm。
16、優(yōu)選地,大氣等離子噴涂形成hfsio4-si中間層過程中,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~80l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為100~200mm,噴涂電流為500~800a,送粉率為10~30%,si粉末的粒徑為15~60μm,hfsio4粉末的粒徑為15~45μm。
17、優(yōu)選地,大氣等離子噴涂形成hfsio4頂層過程中,以摩爾比為1:(1.2~1.8)的hfo2和sio2為原料,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~80l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為100~200mm,噴涂電流為400~600a,送粉率為10~30%,hfo2粉末的粒徑為15~45μm,sio2粉末的粒徑為15~60μm。
18、優(yōu)選地,所述步驟c)中熱處理溫度為1400~1600℃,熱處理時間為10~30h。
19、本發(fā)明提供了一種耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,包括依次設(shè)置的點陣結(jié)構(gòu)的si底層、hfsio4-si中間層以及hfsio4頂層。本發(fā)明采用大氣等離子噴涂技術(shù)制得上述粘結(jié)層。本發(fā)明所述的梯度結(jié)構(gòu)粘結(jié)層具有耐高溫、強結(jié)合、高溫相穩(wěn)定的優(yōu)勢,有望突破現(xiàn)有環(huán)境障涂層粘結(jié)層體系承溫能力低和高溫化學(xué)失穩(wěn)的瓶頸。
1.一種耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,其特征在于,包括依次設(shè)置的點陣結(jié)構(gòu)的si底層、hfsio4-si中間層以及hfsio4頂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,其特征在于,hfsio4-si中間層中si以點狀形式均勻分布在hfsio4中;
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,其特征在于,hfsio4頂層中hfsio4質(zhì)量含量大于90%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層,其特征在于,所述點陣結(jié)構(gòu)的si底層的厚度為10~40μm;
5.一種權(quán)利要求1所述的耐高溫、高穩(wěn)定梯度結(jié)構(gòu)環(huán)境障涂層粘結(jié)層的制備方法,包括以下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述基體材料為陶瓷基復(fù)合材料;
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,大氣等離子噴涂形成點陣結(jié)構(gòu)的si底層過程中,以多孔網(wǎng)狀工裝對基體材料進(jìn)行遮擋,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~60l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為80~150mm,噴涂電流為300~600a,送粉率為10~30%,si粉末的粒徑為15~60μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,大氣等離子噴涂形成hfsio4-si中間層過程中,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~80l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為100~200mm,噴涂電流為500~800a,送粉率為10~30%,si粉末的粒徑為15~60μm,hfsio4粉末的粒徑為15~45μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,大氣等離子噴涂形成hfsio4頂層過程中,以摩爾比為1:(1.2~1.8)的hfo2和sio2為原料,以氬氣和氫氣為等離子體,氬氣的流量為40~80l/min,氫氣的流量為5~15l/min,噴涂距離為100~200mm,噴涂電流為400~600a,送粉率為10~30%,hfo2粉末的粒徑為15~45μm,sio2粉末的粒徑為15~60μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述步驟c)中熱處理溫度為1400~1600℃,熱處理時間為10~30h。