本申請涉及晶體生長，尤其是一種堝托、坩堝裝置和單晶爐。

背景技術(shù)：

1、隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展，給人們的生活帶來了諸多便利；但是目前的產(chǎn)能遠遠不能滿足工業(yè)、生活的需求，因此，為了追求高產(chǎn)能，單晶爐的材料越做越大，在單晶的制備過程中，也存在著許多風險。

2、目前，單晶硅制造業(yè)正逐步朝著大尺寸、大裝料量以及多次加料方向發(fā)展，隨著裝料量的增加，單晶爐在晶體生長過程中的危險系數(shù)也不斷提高，特別是由于硅料泄露所導致的危險往往會造成嚴重損失。

3、因此，亟需一種能夠處理泄露的硅料的裝置。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N堝托、坩堝裝置和單晶爐，能夠收集泄露的硅料，降低生產(chǎn)過程中的物料損失。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本申請采用以下技術(shù)方案：

3、本申請?zhí)峁┮环N堝托，包括：

4、殼體，所述殼體具有回轉(zhuǎn)腔，所述殼體的頂壁具有多個凹槽，所述凹槽連通所述殼體的內(nèi)外兩側(cè)；

5、多個所述凹槽形成多個槽組，多個所述槽組繞所述回轉(zhuǎn)腔的軸線依次間隔設置；每個所述槽組具有至少一個所述凹槽。

6、作為一種可能的實施方式，所述槽組具有多個所述凹槽，多個所述凹槽沿所述頂壁的延伸方向依次間隔設置。

7、作為一種可能的實施方式，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽在同一回轉(zhuǎn)面內(nèi)。

8、作為一種可能的實施方式，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽沿所述頂壁的延伸方向相互錯位。

9、作為一種可能的實施方式，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽具有重疊部分；和/或，

10、相鄰的兩個所述凹槽相對的端部平齊。

11、作為一種可能的實施方式，所述殼體包括殼蓋和本體，所述本體的一側(cè)開口，所述殼蓋通過所述開口蓋設于所述本體，形成所述回轉(zhuǎn)腔；

12、所述殼蓋形成所述頂壁。

13、作為一種可能的實施方式，所述殼蓋相對所述本體凹陷設置；所述凹槽為弧形槽。

14、作為一種可能的實施方式，所述本體具有連接孔，所述連接孔位于所述本體背離所述殼蓋的一端，所述連接孔為盲孔。

15、本申請?zhí)峁﹫逋?，殼體的頂壁用于支撐坩堝。殼體的頂壁具有多個槽組，每個槽組具有至少一個連通殼體內(nèi)外的凹槽。如此，在實際使用的過程中，從坩堝中泄露的物料沿著坩堝的外壁面，流動至殼體的頂壁，并從殼體的頂壁的凹槽進入殼體的回轉(zhuǎn)腔中，實現(xiàn)了對泄露的物料的收集，收集后的物料可繼續(xù)使用，減少了生產(chǎn)過程中的物料損失，降低生產(chǎn)成本。另外，還能減少泄露的物料影響生產(chǎn)設備的運行，提高生產(chǎn)設備的穩(wěn)定性和安全性，提高生產(chǎn)效率。

16、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N坩堝裝置，包括坩堝和第一方面所述的堝托，所述坩堝設置于所述堝托的頂部。

17、本申請?zhí)峁┑嫩釄逖b置，由于包括了前述任一實施方式中的坩堝，能夠收集泄露的物料，以減少物料的損失，降低物料成本，提高生產(chǎn)設備的穩(wěn)定性和安全性。

18、第三方面，本申請?zhí)峁┮环N單晶爐，包括支撐桿和第二方面所述的坩堝裝置，所述坩堝裝置連接于所述支撐桿的端部。

19、本申請?zhí)峁┑膯尉t，由于包括了上述坩堝裝置，能夠減少物料的損失，降低物料成本。

技術(shù)特征：

1.一種堝托，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堝托，其特征在于，所述槽組具有多個所述凹槽，多個所述凹槽沿所述頂壁的延伸方向依次間隔設置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堝托，其特征在于，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽在同一回轉(zhuǎn)面內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堝托，其特征在于，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽沿所述頂壁的延伸方向相互錯位。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的堝托，其特征在于，相鄰的兩個所述槽組的所述凹槽具有重疊部分；和/或，

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的堝托，其特征在于，所述殼體包括殼蓋和本體，所述本體的一側(cè)開口，所述殼蓋通過所述開口蓋設于所述本體，形成所述回轉(zhuǎn)腔；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堝托，其特征在于，所述殼蓋相對所述本體凹陷設置；所述凹槽為弧形槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堝托，其特征在于，所述本體具有連接孔，所述連接孔位于所述本體背離所述殼蓋的一端，所述連接孔為盲孔。

9.一種坩堝裝置，其特征在于，包括坩堝和權(quán)利要求1-8任一項所述的堝托，所述坩堝設置于所述堝托的頂部。

10.一種單晶爐，其特征在于，包括支撐桿和權(quán)利要求9所述的坩堝裝置，所述坩堝裝置連接于所述支撐桿的端部。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及晶體生長技術(shù)領域，提供了一種堝托、坩堝裝置和單晶爐。堝托包括殼體。殼體具有回轉(zhuǎn)腔，殼體的頂壁具有多個凹槽，凹槽連通殼體的內(nèi)外兩側(cè)。多個凹槽形成多個槽組，多個槽組繞回轉(zhuǎn)腔的軸線間隔設置；每個槽組具有至少一個凹槽。如此，在實際使用的過程中，從坩堝中泄露的物料沿著坩堝的外壁面，流動至殼體的頂壁，并從殼體的頂壁的凹槽進入殼體的回轉(zhuǎn)腔中，實現(xiàn)了對泄露的物料的收集，收集后的物料可繼續(xù)使用，減少了生產(chǎn)過程中的物料損失，降低生產(chǎn)成本。另外，還能減少泄露的物料影響生產(chǎn)設備的運行，提高生產(chǎn)設備的穩(wěn)定性和安全性，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：馬勇,金霞,徐凱旋,趙國偉
受保護的技術(shù)使用者：青海高景太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9