本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，外延晶圓作為半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其需求量正迅速增長(zhǎng)。外延晶圓是利用化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)技術(shù)在拋光晶圓的表面上生長(zhǎng)一層外延層來(lái)制造得到的。通常來(lái)說(shuō)，外延層的厚度不均一會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的品質(zhì)以及性能產(chǎn)生極大的影響，而外延層的厚度是否均一與化學(xué)氣相沉積過(guò)程中的溫度分布具有很大的關(guān)聯(lián)性。

2、目前，在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中并沒(méi)有能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控溫度分布的系統(tǒng)，外延層的厚度是否均一都是在化學(xué)氣相沉積工藝結(jié)束后對(duì)外延晶圓進(jìn)行檢測(cè)來(lái)判斷的。當(dāng)制造得到的外延層的厚度不均一時(shí)，在實(shí)際生產(chǎn)中需要反復(fù)地調(diào)整溫度分布的控制參數(shù)后并重新在拋光晶圓的表面生長(zhǎng)外延層，直至外延層的厚度的均一性滿足要求，這種情況不僅導(dǎo)致生產(chǎn)周期長(zhǎng)，而且增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開(kāi)實(shí)施例期望提供化學(xué)氣相沉積設(shè)備；能夠制造得到厚度均一的外延晶圓。

2、本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括：

4、承載件，用于承載基板；

5、設(shè)置在所述承載件上方的測(cè)距裝置，用于在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中實(shí)時(shí)獲取其與所述基板上已形成的沉積層的表面上不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離；

6、設(shè)置在所述承載件下方的溫度補(bǔ)償裝置，用于對(duì)待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域進(jìn)行溫度補(bǔ)償；其中，所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離不滿足設(shè)定的距離范圍的區(qū)域。

7、在一些示例中，所述測(cè)距裝置包括多個(gè)激光掃描組件；其中，所述多個(gè)激光掃描組件與所述沉積層的表面上的不同區(qū)域一一對(duì)應(yīng)。

8、在一些示例中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括數(shù)據(jù)處理裝置，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為根據(jù)所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離，識(shí)別得到所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。

9、在一些示例中，所述數(shù)據(jù)處理裝置還被配置為：

10、基于所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離，獲得所述測(cè)距裝置與所述沉積層的表面之間的平均距離；

11、基于所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離以及所述平均距離，識(shí)別得到所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域；其中，所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離大于或者小于所述平均距離的區(qū)域。

12、在一些示例中，所述溫度補(bǔ)償裝置包括加熱組件，所述加熱組件用于對(duì)所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域中的待升溫的區(qū)域進(jìn)行加熱；其中，所述待升溫的區(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離大于所述平均距離的區(qū)域。

13、在一些示例中，所述測(cè)距裝置，用于在所述加熱組件對(duì)所述待升溫的區(qū)域進(jìn)行加熱的過(guò)程中，實(shí)時(shí)獲取其與所述待升溫的區(qū)域之間的距離。

14、在一些示例中，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為，當(dāng)所述測(cè)距裝置與所述待升溫的區(qū)域之間的距離等于所述平均距離時(shí)，指示所述加熱組件停止加熱。

15、在一些示例中，所述溫度調(diào)整裝置包括散熱組件，所述散熱組件用于對(duì)待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域中的待降溫的區(qū)域進(jìn)行散熱處理；其中，所述待降溫區(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離小于所述平均距離的區(qū)域。

16、在一些示例中，所述測(cè)距裝置，用于在所述散熱組件對(duì)所述待降溫區(qū)域進(jìn)行散熱的過(guò)程中，實(shí)時(shí)獲取其與所述待降溫的區(qū)域之間的距離。

17、在一些示例中，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為，當(dāng)所述測(cè)距裝置與所述待降溫的區(qū)域之間的距離等于所述平均距離時(shí)，指示所述散熱組件停止散熱。

18、本公開(kāi)實(shí)施例提供了化學(xué)氣相沉積設(shè)備；通過(guò)測(cè)距裝置實(shí)時(shí)獲取其與沉積層的不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離，并利用溫度補(bǔ)償裝置對(duì)不同區(qū)域中的測(cè)距裝置與不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離不滿足設(shè)定的距離范圍的區(qū)域進(jìn)行溫度補(bǔ)償。通過(guò)本公開(kāi)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，能夠在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中實(shí)時(shí)調(diào)整沉積層的表面上不同區(qū)域的溫度分布，使得沉積層的表面上的每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的實(shí)際生長(zhǎng)速率保持一致，進(jìn)而提升沉積層的厚度的均一性。

技術(shù)特征：

1.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)距裝置包括多個(gè)激光掃描組件；其中，所述多個(gè)激光掃描組件與所述沉積層的表面上的不同區(qū)域一一對(duì)應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括數(shù)據(jù)處理裝置，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為根據(jù)所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離，識(shí)別得到所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處理裝置還被配置為：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償裝置包括加熱組件，所述加熱組件用于對(duì)所述待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域中的待升溫的區(qū)域進(jìn)行加熱；其中，所述待升溫的區(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離大于所述平均距離的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)距裝置，用于在所述加熱組件對(duì)所述待升溫的區(qū)域進(jìn)行加熱的過(guò)程中，實(shí)時(shí)獲取其與所述待升溫的區(qū)域之間的距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為，當(dāng)所述測(cè)距裝置與所述待升溫的區(qū)域之間的距離等于所述平均距離時(shí)，指示所述加熱組件停止加熱。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述溫度調(diào)整裝置包括散熱組件，所述散熱組件用于對(duì)待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域中的待降溫的區(qū)域進(jìn)行散熱處理；其中，所述待降溫區(qū)域?yàn)樗霾煌瑓^(qū)域中的所述測(cè)距裝置與所述不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離小于所述平均距離的區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)距裝置，用于在所述散熱組件對(duì)所述待降溫區(qū)域進(jìn)行散熱的過(guò)程中，實(shí)時(shí)獲取其與所述待降溫的區(qū)域之間的距離。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處理裝置被配置為，當(dāng)所述測(cè)距裝置與所述待降溫的區(qū)域之間的距離等于所述平均距離時(shí)，指示所述散熱組件停止散熱。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括熱量排出口，所述熱量排出口用于當(dāng)所述散熱組件對(duì)所述待降溫的區(qū)域進(jìn)行散熱處理時(shí)排出熱量。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括：承載件，用于承載基板；設(shè)置在所述承載件上方的測(cè)距裝置，用于在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中實(shí)時(shí)獲取其與所述基板上已形成的沉積層的表面上不同區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域之間的距離；設(shè)置在所述承載件下方的溫度補(bǔ)償裝置，用于對(duì)待溫度補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

技術(shù)研發(fā)人員：卓倩倩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10