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      低輻射功能玻璃、制備方法、中空玻璃以及制造設(shè)備與流程

      文檔序號:40348345發(fā)布日期:2024-12-18 13:25閱讀:8來源:國知局
      低輻射功能玻璃、制備方法、中空玻璃以及制造設(shè)備與流程

      本發(fā)明涉及玻璃,具體涉及一種低輻射功能玻璃、制備方法、中空玻璃以及制造設(shè)備。


      背景技術(shù):

      1、低輻射功能玻璃是一種在表面覆蓋有低輻射功能膜的玻璃,低輻射功能膜可以提升低輻射功能玻璃的隔熱隔冷性能,從而可以降低了建筑和移動交通工具內(nèi)的熱量或者冷量的流失,以達到節(jié)能的目的。

      2、而低輻射功能膜容易導致通信信號的傳輸受阻,影響用戶體驗。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此,本發(fā)明提出一種制備方法,能夠改善信號在低輻射功能玻璃傳輸受阻的問題。

      2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面實施例的制備方法,應(yīng)用于低輻射功能玻璃,制備方法包括:提供一玻璃基板;在玻璃基板的表面形成第一電介質(zhì)層;在第一電介質(zhì)層的表面形成電介質(zhì)組合層;在電介質(zhì)組合層的表面形成鏤空的復(fù)合功能層;在復(fù)合功能層的表面形成第二電介質(zhì)層;以及在第二電介質(zhì)層的表面形成第三電介質(zhì)層。

      3、根據(jù)本發(fā)明實施例的制備方法,至少具有如下有益效果:制備方法應(yīng)用于低輻射功能玻璃,制備方法包括:提供一玻璃基板;在玻璃基板的表面形成第一電介質(zhì)層;在第一電介質(zhì)層的表面形成電介質(zhì)組合層;在電介質(zhì)組合層的表面形成鏤空的復(fù)合功能層;在復(fù)合功能層的表面形成第二電介質(zhì)層;以及在第二電介質(zhì)層的表面形成第三電介質(zhì)層,如此,信號可以從復(fù)合功能層的鏤空位置穿過,從而低輻射功能玻璃不僅可以具有較好的隔熱隔冷性能,還可以提升信號在低輻射功能玻璃的透過性,改善了信號在低輻射功能玻璃中傳輸受阻的問題;并且,本申請實施例中的低輻射功能玻璃可以直接在玻璃基板的表面形成鏤空的復(fù)合功能層,無需額外的后續(xù)加工工序,有助于避免額外的加工工序破壞其他的膜層,提升了生產(chǎn)速度,提升了低輻射功能玻璃生產(chǎn)的合格率。

      4、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,在電介質(zhì)組合層的表面形成鏤空的復(fù)合功能層,包括:采用磁控濺射的方法在電介質(zhì)組合層的表面濺射鏤空的復(fù)合功能層。

      5、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,采用磁控濺射的方法在電介質(zhì)組合層的表面濺射鏤空的復(fù)合功能層,包括:制備擋板,擋板設(shè)有若干個遮擋區(qū)和若干個鏤空區(qū);將擋板安裝于磁控濺射室,使擋板位于靶材和玻璃基板之間;以及在電介質(zhì)組合層的表面濺射復(fù)合功能層,遮擋區(qū)阻擋經(jīng)靶材濺射出的靶原子,靶材濺射出的靶原子穿過鏤空區(qū)濺射至電介質(zhì)組合層的表面,以形成鏤空的復(fù)合功能層。

      6、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,在電介質(zhì)組合層的表面濺射復(fù)合功能層,包括:在電介質(zhì)組合層的表面逐層濺射鏤空的第一功能保護層、鏤空的功能層和鏤空的第二功能保護層。

      7、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,擋板的熱變形溫度≥80℃,和/或擋板采用無磁性材料。

      8、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,遮擋區(qū)的寬度≥1mm,鏤空區(qū)的寬度≥5mm。

      9、根據(jù)本發(fā)明的第二方面實施例的低輻射功能玻璃,采用上述任一實施例中的制備方法制成,低輻射功能玻璃包括玻璃基板以及覆蓋于玻璃基板的表面,并沿玻璃基板的厚度方向依次連接分布的第一電介質(zhì)層、電介質(zhì)組合層、復(fù)合功能層、第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層,其中,復(fù)合功能層為鏤空結(jié)構(gòu)。

      10、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,復(fù)合功能層包括依次連接的第一功能保護層、功能層和第二功能保護層,第一功能保護層連接于電介質(zhì)組合層的表面,第二電介質(zhì)層連接于第二功能保護層的表面,第一功能保護層、功能層和第二功能保護層均為鏤空結(jié)構(gòu)。

      11、根據(jù)本發(fā)明的第三方面實施例的中空玻璃,包括相對連接的第一玻璃和第二玻璃,第一玻璃和第二玻璃之間形成有用于填充惰性氣體的空腔,第一玻璃和第二玻璃中的至少一個為根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項的低輻射功能玻璃。

      12、根據(jù)本發(fā)明的第四方面實施例的制造設(shè)備,用于上述任一實施例中的制備方法加工低輻射功能玻璃,制造設(shè)備包括多個磁控濺射室、靶材、擋板以及傳送帶,靶材安裝于磁控濺射室內(nèi),用于濺射靶原子,每個磁控濺射室對應(yīng)不同材質(zhì)的靶材;擋板可拆卸地安裝于磁控濺射室內(nèi),且包括遮擋區(qū)和鏤空區(qū),遮擋區(qū)用于阻擋靶材濺射出的靶原子,鏤空區(qū)用于供靶材濺射出的靶原子穿過;傳送帶用于將玻璃基板傳送至不同的磁控濺射室進行鍍膜,多個磁控濺射室沿傳送帶的傳輸方向依次分布。

      13、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本發(fā)明的實踐了解到。



      技術(shù)特征:

      1.一種制備方法,其特征在于,應(yīng)用于低輻射功能玻璃,所述制備方法包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述在所述電介質(zhì)組合層的表面形成鏤空的復(fù)合功能層,包括:采用磁控濺射的方法在所述電介質(zhì)組合層的表面濺射鏤空的復(fù)合功能層。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述采用磁控濺射的方法在所述電介質(zhì)組合層的表面濺射鏤空的復(fù)合功能層,包括:

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述在所述電介質(zhì)組合層的表面濺射復(fù)合功能層,包括:

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述擋板的熱變形溫度≥80℃;和/或所述擋板采用無磁性材料。

      6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述遮擋區(qū)的寬度≥1mm,所述鏤空區(qū)的寬度≥5mm。

      7.一種低輻射功能玻璃,其特征在于,采用根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的制備方法制成,所述低輻射功能玻璃包括玻璃基板以及覆蓋于所述玻璃基板的表面,并沿所述玻璃基板的厚度方向依次連接分布的第一電介質(zhì)層、電介質(zhì)組合層、復(fù)合功能層、第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層,其中,所述復(fù)合功能層為鏤空結(jié)構(gòu)。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低輻射功能玻璃,其特征在于,所述復(fù)合功能層包括依次連接的第一功能保護層、功能層和第二功能保護層,所述第一功能保護層連接于所述電介質(zhì)組合層的表面,所述第二電介質(zhì)層連接于所述第二功能保護層的表面,所述第一功能保護層、所述功能層和所述第二功能保護層均為鏤空結(jié)構(gòu)。

      9.一種中空玻璃,其特征在于,包括相對連接的第一玻璃和第二玻璃,所述第一玻璃和所述第二玻璃之間形成有用于填充惰性氣體的空腔,所述第一玻璃和所述第二玻璃中的至少一個為根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的低輻射功能玻璃。

      10.一種制造設(shè)備,其特征在于,用于采用權(quán)利要求1至6任一項所述的制備方法加工低輻射功能玻璃,所述制造設(shè)備包括:


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及玻璃技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種低輻射功能玻璃、制備方法、中空玻璃以及制造設(shè)備,制備方法,應(yīng)用于低輻射功能玻璃,制備方法包括:提供一玻璃基板;在玻璃基板的表面形成第一電介質(zhì)層;在第一電介質(zhì)層的表面形成電介質(zhì)組合層;在電介質(zhì)組合層的表面形成鏤空的復(fù)合功能層;在復(fù)合功能層的表面形成第二電介質(zhì)層;以及在第二電介質(zhì)層的表面形成第三電介質(zhì)層,從而能夠改善信號在低輻射功能玻璃傳輸受阻的問題,還可以在玻璃基板的表面直接形成鏤空的復(fù)合功能層,無需額外的后續(xù)加工工序,有助于避免額外的加工工序破壞其他的膜層,提升了生產(chǎn)速度,提升了低輻射功能玻璃生產(chǎn)的合格率。

      技術(shù)研發(fā)人員:王琦,彭立嘉,黃穎,呂宜超,譚小安,唐晶,張開欣,熊建
      受保護的技術(shù)使用者:深圳南玻應(yīng)用技術(shù)有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/17
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