本發(fā)明屬于近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，具體涉及一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制備方法。

背景技術：

1、近紅外光屏蔽薄膜是一種能透過可見光同時屏蔽近紅外光的薄膜,其在節(jié)能環(huán)保方面得到了廣泛地應用,例如作為建筑物和汽車的玻璃涂層.近紅外光屏蔽薄膜的發(fā)展關鍵是制備性能優(yōu)異的近紅外光屏蔽材料。

2、而在用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材方面，正如專利公開號為“cn117819967a”的現(xiàn)有技術方案所提及的，制備了一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的銫鎢青銅陶瓷靶材，然而從實際應用來看，用于制備近紅外光屏蔽薄膜的銫鎢青銅陶瓷靶材遠不如氟摻雜納米二氧化鈦靶材的成膜后可見光透過率和近紅外阻隔率高，而另一方面，氟摻雜納米二氧化鈦靶材的成膜后可見光透過率普遍低于90％和近紅外阻隔率普遍低于43％，無法滿足越來越高標準的近紅外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求。

3、另一方面，現(xiàn)有的制作氟摻雜納米二氧化鈦靶材的工藝普遍還是如專利公開號為“cn104557021a”的工藝制作而成(僅僅把其內的原料二氧化鈦粉體換成了氟摻雜二氧化鈦納米粉末)，這樣取得的氟摻雜納米二氧化鈦靶材的熱導率普遍低于5.00w/(m·k)且拉伸強度普遍低于342.00mpa，由此制得的氟摻雜納米二氧化鈦靶材性能不佳。

技術實現(xiàn)思路

1、為解決現(xiàn)有技術中具有的不足，本發(fā)明提出一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制備方法，在氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進二硫化鉬添加劑，把氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑攪拌勻和，讓氟摻雜二氧化鈦納米粉體上均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑，接著在均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑的氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進聚乙烯添加劑且攪拌勻和，以此取得初級產品；把初級產品填滿模具，接著把該模具送入壓力機內壓制為胚體，隨后結合其他步驟讓本發(fā)明取得的陶瓷靶材成膜后可見光透過率高于92％和近紅外阻隔率高于51％，可滿足越來越高標準的近紅外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本發(fā)明取得的陶瓷靶材熱導率高于6.20w/(m·k)且拉伸強度高于358.00mpa，由此制得的氟摻雜納米二氧化鈦靶材性能佳。

2、本發(fā)明運用如下的技術方案。

3、一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，包括如下步驟：

4、s1：在氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進二硫化鉬添加劑，把氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑攪拌勻和，讓氟摻雜二氧化鈦納米粉體上均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑，接著在均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑的氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進聚乙烯添加劑且攪拌勻和，以此取得初級產品；

5、s2：把初級產品填滿模具，接著把該模具送入壓力機內壓制為胚體，隨后在惰性氣體保護氣氛下對胚體升溫至350℃～420℃來去除聚乙烯添加劑；

6、s3：把去除聚乙烯添加劑后的胚體送進煅燒爐內執(zhí)行煅燒；

7、s4：把煅燒后的胚體執(zhí)行拋光，拋光后的胚體就是用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材。

8、優(yōu)選地，氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑的重量比為1：

9、(0.005～0.03)。

10、優(yōu)選地，氟摻雜二氧化鈦納米粉體和聚乙烯添加劑的重量比為1：

11、(0.06～0.08)。

12、優(yōu)選地，把該模具送入壓力機內壓制為胚體期間：壓力機的工作壓力為24mp～32mp，壓力機的壓制用時為0.5min～1.5min。

13、優(yōu)選地，把去除聚乙烯添加劑后的胚體送進煅燒爐內執(zhí)行煅燒的方法包括：

14、煅燒爐首先在正壓為26mp～30mp且煅燒溫度為420℃～480℃狀態(tài)下，對去除聚乙烯添加劑后的胚體執(zhí)行煅燒1.5h～1.7h；

15、煅燒爐接著在負壓為-12mp～-16mp且煅燒溫度為1320℃～1460℃狀態(tài)下，對去除聚乙烯添加劑后的胚體執(zhí)行煅燒2.4h～2.8h后冷卻至常溫。

16、一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，包括：

17、根據(jù)所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法制備而得的陶瓷靶材。

18、一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法所用的裝置，包括：

19、矩形承載體、穩(wěn)定部、置物板與壓力機的壓頭部；

20、穩(wěn)定部裝配在承載體一頭上，置物板設于穩(wěn)定部頂部當中處；壓頭部裝配在承載體的另一頭，壓頭部的頂部一邊處在穩(wěn)定部之上且正對著穩(wěn)定部，用于壓制擱置在置物板上的模具。

21、優(yōu)選地，壓力機的壓頭部包含設于壓力機的機架上的壓頭。

22、優(yōu)選地，穩(wěn)定部包含底部裝配片、套筒、頂部裝配片、運動部、限位部與穩(wěn)定條；

23、底部裝配片裝配在承載體之上，套筒裝配在底部裝配片之上；頂部裝配片設于套筒之上；多個運動部裝配在底部裝配片之上，且處在套筒中；各個運動部都有另一個運動部同其相對于套筒的中線彼此鏡像而設；各個運動部的頂部都透設出頂部裝配片，且各個運動部的頂部都處在置物板之上的更高點；多個限位部設于各個運動部的頂部；穩(wěn)定條固連在底部裝配片上，穩(wěn)定條與置物板間經由漲緊絲杠相連。

24、優(yōu)選地，頂部裝配片上等距的開有多個條狀口一，各個條狀口一都處在一運動部之上且正對著該運動部，各個運動部的頂部都透設出其正對的一條狀口一。

25、本發(fā)明的有益效果在于，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明目的在于在氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進二硫化鉬添加劑，把氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑攪拌勻和，讓氟摻雜二氧化鈦納米粉體上均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑，接著在均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑的氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進聚乙烯添加劑且攪拌勻和，以此取得初級產品；把初級產品填滿模具，接著把該模具送入壓力機內壓制為胚體，隨后在惰性氣體保護氣氛下對胚體升溫至350℃～420℃來去除聚乙烯添加劑；把去除聚乙烯添加劑后的胚體送進煅燒爐內執(zhí)行煅燒；把煅燒后的胚體執(zhí)行拋光，拋光后的胚體就是用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材；本發(fā)明取得的陶瓷靶材成膜后可見光透過率高于92％和近紅外阻隔率高于51％，無法滿足越來越高標準的近紅外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本發(fā)明取得的陶瓷靶材熱導率高于6.20w/(m·k)且拉伸強度高于358.00mpa，由此制得的氟摻雜納米二氧化鈦靶材性能佳。

技術特征：

1.一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，其特征在于，氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑的重量比為1：

3.根據(jù)權利要求2所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，其特征在于，氟摻雜二氧化鈦納米粉體和聚乙烯添加劑的重量比為1：

4.根據(jù)權利要求3所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，其特征在于，把該模具送入壓力機內壓制為胚體期間：壓力機的工作壓力為24mp～32mp，壓力機的壓制用時為0.5min～1.5min。

5.根據(jù)權利要求4所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法，其特征在于，把去除聚乙烯添加劑后的胚體送進煅燒爐內執(zhí)行煅燒的方法包括：

6.一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，其特征在于，包括：

7.一種如權利要求1到權利要求5中任意一項中所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法所用的裝置，包括：

8.根據(jù)權利要求7所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法所用的裝置，其特征在于，壓力機的壓頭部包含設于壓力機的機架上的壓頭。

9.根據(jù)權利要求8所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法所用的裝置，其特征在于，穩(wěn)定部包含底部裝配片、套筒、頂部裝配片、運動部、限位部與穩(wěn)定條；

10.根據(jù)權利要求9所述的用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制備方法所用的裝置，其特征在于，頂部裝配片上等距的開有多個條狀口一，各個條狀口一都處在一運動部之上且正對著該運動部，各個運動部的頂部都透設出其正對的一條狀口一。

技術總結
一種用于制備近紅外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制備方法，在氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進二硫化鉬添加劑，把氟摻雜二氧化鈦納米粉體和二硫化鉬添加劑攪拌勻和，讓氟摻雜二氧化鈦納米粉體上均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑，接著在均衡覆蓋著二硫化鉬添加劑的氟摻雜二氧化鈦納米粉體內添進聚乙烯添加劑且攪拌勻和，以此取得初級產品；把初級產品填滿模具，接著把該模具送入壓力機內壓制為胚體，隨后結合其他步驟讓本發(fā)明取得的陶瓷靶材成膜后可見光透過率高于92％和近紅外阻隔率高于51％，可滿足越來越高標準的近紅外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本發(fā)明取得的陶瓷靶材熱導率高于6.20W/(m·K)且拉伸強度高于358.00MPa，由此制得的氟摻雜納米二氧化鈦靶材性能佳。

技術研發(fā)人員：劉洪強,孔偉華,劉秉寧
受保護的技術使用者：江蘇東玖光電科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/5