本公開涉及半導(dǎo)體制造，具體地，涉及用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、外延晶圓是一種通過在襯底晶圓上應(yīng)用外延生長技術(shù)來沉積單晶硅層的產(chǎn)品，其具有表面缺陷少、厚度可調(diào)和電阻率可控等優(yōu)點。外延生長過程是在專門的外延爐的密封腔室內(nèi)進行的，這個腔室的狀態(tài)對整個生長過程和最終外延晶圓的品質(zhì)有著決定性的影響。

2、由于各類外延晶圓產(chǎn)品對腔室狀態(tài)的要求各異，為了確保生產(chǎn)出符合特定質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，需要安排與質(zhì)量要求相匹配的腔室進行相應(yīng)生產(chǎn)。因此，在安排生產(chǎn)之前，需要對各個腔室的狀態(tài)進行評價。目前，該評價工作通常由人工完成，工作人員運用其專業(yè)知識和經(jīng)驗，通過對從腔室生產(chǎn)出的外延晶圓的特征數(shù)據(jù)進行分析，進而形成對該腔室狀態(tài)的個人判斷。

3、然而，由于評價工作涉及對眾多特征數(shù)據(jù)的綜合分析，工作人員在短時間內(nèi)難以得出全面考慮的結(jié)果，導(dǎo)致評價過程效率不高，進而對生產(chǎn)分配的效率造成限制。此外，人工評價的主觀性較大，不同工作人員可能會給出不同評價結(jié)果，致使評價結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性較低，這可能導(dǎo)致腔室分配不合理，進而影響生產(chǎn)資源配置和產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本部分提供本公開的總體概要，而不是對本公開的全部范圍或所有特征的全面公開。

2、本公開的目的在于提供一種能夠提升生產(chǎn)分配效率的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

3、本公開的另一目的在于提供一種能夠提升腔室分配的合理性的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

4、為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開的一方面，提供了一種用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，包括：

5、根據(jù)在外延爐的腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)和與數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重獲取腔室的總分；

6、基于總分對腔室進行生產(chǎn)分配。

7、在一些實施方式中，根據(jù)在外延爐的腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)和與數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重獲取腔室的總分可以包括：根據(jù)數(shù)據(jù)和與數(shù)據(jù)對應(yīng)的目標(biāo)值確定數(shù)據(jù)的得分，將得分和對應(yīng)的權(quán)重進行加權(quán)求和來獲取總分。

8、在一些實施方式中，基于總分對腔室進行生產(chǎn)分配可以包括：將總分與一閾值進行比較，在總分大于閾值時，根據(jù)總分與閾值的偏差程度對腔室進行分級，并根據(jù)分級分配腔室以進行生產(chǎn)。

9、在一些實施方式中，基于總分對腔室進行生產(chǎn)分配還可以包括：在總分小于或等于閾值時，將外延爐停機。

10、在一些實施方式中，用于生產(chǎn)外延晶圓的方法還可以包括：在獲取腔室的總分之前，針對多個特征的數(shù)據(jù)構(gòu)建權(quán)重。

11、在一些實施方式中，用于生產(chǎn)外延晶圓的方法還可以包括：在獲取腔室的總分之前，對外延晶圓的多個特征進行測量以獲得數(shù)據(jù)。

12、在一些實施方式中，腔室的總分可以根據(jù)每次在腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)進行更新。

13、在一些實施方式中，多個特征可以選自包括下述各者的組：外延晶圓的電阻率、厚度、缺陷、平坦度、顆粒水平和金屬水平。

14、在一些實施方式中，多個特征中的每個特征可以包括至少一項數(shù)據(jù)。

15、根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種用于生產(chǎn)外延晶圓的系統(tǒng)，包括：

16、計算單元，其用于根據(jù)在外延爐的腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)和與數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重獲取腔室的總分；

17、分配單元，其用于基于總分對腔室進行生產(chǎn)分配。

18、根據(jù)上述技術(shù)方案，采用以數(shù)據(jù)和權(quán)重為基礎(chǔ)的評分系統(tǒng)來確定腔室的總分，使得外延晶圓的各個特征能夠根據(jù)其重要性得到相應(yīng)的考量，并且腔室的狀態(tài)能夠通過具體的數(shù)值來衡量，從而實現(xiàn)了腔室狀態(tài)的評價過程的客觀化和標(biāo)準(zhǔn)化。由此，避免了個人主觀判斷的干擾，提高了評價結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性，使得腔室的分配更加合理，有利于優(yōu)化資源配置并提高產(chǎn)品質(zhì)量。此外，評價過程的客觀化和標(biāo)準(zhǔn)化還有利于縮短評價時間，提高評價效率，從而加快生產(chǎn)分配的速度，提升生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述根據(jù)在外延爐的腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)和與所述數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重獲取所述腔室的總分包括：根據(jù)所述數(shù)據(jù)和與所述數(shù)據(jù)對應(yīng)的目標(biāo)值確定所述數(shù)據(jù)的得分，將所述得分和對應(yīng)的所述權(quán)重進行加權(quán)求和來獲取所述總分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述基于所述總分對所述腔室進行生產(chǎn)分配包括：將所述總分與一閾值進行比較，在所述總分大于所述閾值時，根據(jù)所述總分與所述閾值的偏差程度對所述腔室進行分級，并根據(jù)所述分級分配所述腔室以進行生產(chǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述基于所述總分對所述腔室進行生產(chǎn)分配還包括：在所述總分小于或等于所述閾值時，將所述外延爐停機。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，還包括：在所述獲取所述腔室的總分之前，針對所述多個特征的所述數(shù)據(jù)構(gòu)建所述權(quán)重。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，還包括：在所述獲取所述腔室的總分之前，對所述外延晶圓的所述多個特征進行測量以獲得所述數(shù)據(jù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述腔室的所述總分根據(jù)每次在所述腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的所述多個特征的所述數(shù)據(jù)進行更新。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述多個特征選自包括下述各者的組：所述外延晶圓的電阻率、厚度、缺陷、平坦度、顆粒水平和金屬水平。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法，其特征在于，所述多個特征中的每個特征包括至少一項數(shù)據(jù)。

10.一種用于生產(chǎn)外延晶圓的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)。用于生產(chǎn)外延晶圓的方法包括：根據(jù)在外延爐的腔室中生產(chǎn)的外延晶圓的多個特征的數(shù)據(jù)和與數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重獲取腔室的總分；基于總分對腔室進行生產(chǎn)分配。根據(jù)本公開的用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)，能夠提升外延晶圓生產(chǎn)中的生產(chǎn)分配效率，并且能夠提升外延晶圓生產(chǎn)中腔室分配的合理性。

技術(shù)研發(fā)人員：梁鵬歡
受保護的技術(shù)使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23