本發(fā)明屬于重摻單晶拉晶方法的，具體涉及一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法。

背景技術：

1、隨著半導體行業(yè)的發(fā)展，低中壓mosfet器件用超低阻重摻磷、重摻砷襯底硅片的需求量越來越大，伴隨著超低阻大量的摻雜劑的摻入，使得摻雜比增大，在摻雜過程中，摻雜劑固體通過鐘罩全部升華后即打開隔離閥提取鐘罩，進行試溫1-2h后開始引晶、放肩、轉肩的工藝操作，而升華摻雜劑由爐內氣體流動帶入熔湯上表面，但是由于摻雜劑濃度過高，熔湯中復雜的對流無法將摻雜劑帶入熔湯內部，導致超低阻大量的雜質摻雜后堆積在熔湯上部，當進入放肩工序后，隨著晶格累計的過程，雜質濃度分布的不均性造成單晶滑移位錯的發(fā)生，最后肩部晶線斷苞導致放肩ng。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法。

2、本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：

3、一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，包括依次進行的摻雜步驟、氧化步驟、試溫步驟，所述氧化步驟具體為：在摻雜步驟結束后，在預定坩堝轉速、預定氬氣流量、預定爐壓下氧化預定時間，以使雜質在熔湯內分布均勻，使得放肩ng率降低。

4、優(yōu)選地，所述氧化步驟包括第一次氧化處理、第二次氧化處理；

5、所述第一次氧化處理具體為：在摻雜步驟結束后，在第一預定坩堝轉速、第一預定氬氣流量、第一預定爐壓下氧化第一預定時間；

6、所述第二次氧化處理具體為：在第一次氧化處理結束后，在第二預定坩堝轉速、第二預定氬氣流量、第二預定爐壓下氧化第二預定時間。

7、優(yōu)選地，所述第一預定坩堝轉速為0.5-1.5rpm、第一預定氬氣流量60-100slm、第一預定爐壓11-15kpa、第一預定時間20-40min。

8、優(yōu)選地，所述第二預定坩堝轉速6-10rpm、第二預定氬氣流量60-100slm、第二預定爐壓6-10kpa、第二預定時間40-70min。

9、優(yōu)選地，所述第一次氧化處理、第二次氧化處理過程中晶棒不進行轉動。

10、優(yōu)選地，所述試溫步驟中試溫時間為1-2h。

11、優(yōu)選地，所述試溫步驟中，坩堝轉速為10-14rpm，晶棒轉速為10-30rpm。

12、優(yōu)選地，所述試溫步驟中，爐壓為11-15kpa，氬氣流量為80-120slm。

13、優(yōu)選地，所述摻雜步驟中，摻雜劑為磷、砷、銻中的一種。

14、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果在于：

15、本發(fā)明提供的一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，包括依次進行的摻雜步驟、氧化步驟、試溫步驟，在所述摻雜步驟與所述試溫步驟之間增加氧化步驟，通過在摻雜結束后，在預定坩堝轉速、預定氬氣流量、預定爐壓下氧化預定時間，一方面，摻雜劑揮發(fā)量最小進而摻雜劑最大程度進入熔湯表面，進而保證電阻率要求；另一方面，改善熔湯對流，使得熔湯上表面的摻雜劑進入熔湯中后能夠充分得到“攪拌”進而雜質在熔湯內分布均勻，使得放肩ng率降低。

技術特征：

1.一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于，包括依次進行的摻雜步驟、氧化步驟、試溫步驟，所述氧化步驟具體為：在摻雜步驟結束后，在預定坩堝轉速、預定氬氣流量、預定爐壓下氧化預定時間，以使雜質在熔湯內分布均勻，使得放肩ng率降低。

2.如權利要求1所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于，所述氧化步驟包括第一次氧化處理、第二次氧化處理；

3.如權利要求2所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于，所述第一預定坩堝轉速為0.5-1.5rpm、第一預定氬氣流量60-100slm、第一預定爐壓11-15kpa、第一預定時間20-40min。

4.如權利要求2所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述第二預定坩堝轉速6-10rpm、第二預定氬氣流量60-100slm、第二預定爐壓6-10kpa、第二預定時間40-70min。

5.如權利要求2所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述第一次氧化處理、第二次氧化處理過程中晶棒不進行轉動。

6.如權利要求1所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述試溫步驟中試溫時間為1-2h。

7.如權利要求1所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述試溫步驟中，坩堝轉速為10-14rpm，晶棒轉速為10-30rpm。

8.如權利要求1所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述試溫步驟中，爐壓為11-15kpa，氬氣流量為80-120slm。

9.如權利要求1所述的降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，其特征在于：所述摻雜步驟中，摻雜劑為磷、砷、銻中的一種。

技術總結
本發(fā)明提供一種降低重摻超低阻引放次數(shù)的方法，涉及重摻單晶拉晶方法技術領域，包括依次進行的摻雜步驟、氧化步驟、試溫步驟，在所述摻雜步驟與所述試溫步驟之間增加氧化步驟，通過在摻雜結束后，在預定坩堝轉速、預定氬氣流量、預定爐壓下氧化預定時間，一方面，摻雜劑揮發(fā)量最小進而摻雜劑最大程度進入熔湯表面，進而保證電阻率要求；另一方面，改善熔湯對流，使得熔湯上表面的摻雜劑進入熔湯中后能夠充分得到“攪拌”進而雜質在熔湯內分布均勻，使得放肩NG率降低。

技術研發(fā)人員：蔡瑞,芮陽,王黎光,伊冉,王忠保,魏興彤,馬吟霜,李小紅
受保護的技術使用者：寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19