本發(fā)明涉及次氯酸鈉制備,尤其涉及一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法。
背景技術(shù):
1、目前,次氯酸鈉是一種無機(jī)化合物,屬于次氯酸鹽家族中最常見的一種。它是一種淡黃色透明液體,具有強(qiáng)烈的刺激性氣味,是廣泛應(yīng)用的強(qiáng)氧化劑和漂白劑。次氯酸鈉在水中解離產(chǎn)生的次氯酸具有極強(qiáng)的消毒能力,能夠有效地殺死細(xì)菌、病毒和其他微生物,因此被廣泛應(yīng)用于水處理、醫(yī)療衛(wèi)生、食品加工、紡織品和紙漿漂白等領(lǐng)域。
2、目前現(xiàn)有技術(shù)中,次氯酸鈉的合成方法主要有以下幾種:
3、液堿氯化法:這是工業(yè)上最常用的方法。通過將氯氣通入稀釋的氫氧化鈉(naoh)溶液中,在適宜的溫度下反應(yīng)生成次氯酸鈉、氯化鈉和水。該方法控制反應(yīng)條件可以制備不同純度級(jí)別的次氯酸鈉。
4、電解食鹽水法:此法直接電解飽和或稀釋的食鹽(nacl)水溶液,在電解槽中,通過電解作用將食鹽分解為次氯酸鈉、氫氣和氯氣。陽極產(chǎn)生氯氣,陰極產(chǎn)生氫氣和氫氧化鈉,隨后氯氣與氫氧化鈉反應(yīng)生成次氯酸鈉。
5、然而目前傳統(tǒng)的制備次氯酸鈉的合成方法存在以下問題:
6、液堿氯化法直接使用氯氣,氯氣具有高度毒性且易燃易爆,對(duì)操作安全要求極高,而且氯氣與氫氧化鈉的反應(yīng)條件需要嚴(yán)格控制,過程中產(chǎn)生的氯化鈉和濕氯氣對(duì)設(shè)備有較強(qiáng)的腐蝕性。
7、電解食鹽水法的電解過程中氯氣與氫氧化鈉的副反應(yīng)可能導(dǎo)致產(chǎn)物中含有一定比例的氯化鈉和次氯酸鈉混合物,影響最終產(chǎn)品的純度。
8、上述傳統(tǒng)方法均無法高效地直接利用物理手段引發(fā)反應(yīng),導(dǎo)致次氯酸鈉合成效率較低,傳統(tǒng)方法依賴于化學(xué)氧化劑或催化劑,這些物質(zhì)的使用不僅增加了反應(yīng)的復(fù)雜性,還可能引入雜質(zhì),影響最終產(chǎn)品的純度。
9、對(duì)此,本申請(qǐng)?zhí)靥岢鲆环N基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法以解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供了本發(fā)明提供了一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,本發(fā)明采用電子加速器對(duì)反應(yīng)介質(zhì)直接輻射,電子束直接輻射作為一種高效的物理手段,能夠快速引發(fā)水溶液中氯化鈉分子的電離和自由基反應(yīng),進(jìn)而轉(zhuǎn)化為次氯酸鈉,本發(fā)明避免了傳統(tǒng)化學(xué)氧化劑或催化劑的使用,減少了副反應(yīng)的發(fā)生,從而提升了合成效率和最終產(chǎn)品的純度,通過控制電子束的劑量,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)進(jìn)程的精確調(diào)控,確保產(chǎn)物的高質(zhì)量。
2、本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,包括以下步驟:
3、步驟s1:制備含有氯化鈉的質(zhì)量濃度為0.5wt%至5wt%的水溶液作為基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì);
4、步驟s2:向所述基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì)中加入磷酸氫二鈉與磷酸二氫鈉,并調(diào)節(jié)ph值至7.0至8.5;
5、步驟s3:在步驟s2得到的基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì)中添加不大于1wt%的銀離子促進(jìn)劑和乙二醇;
6、步驟s4:將步驟s3得到的基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì)置入耐壓反應(yīng)容器;
7、步驟s5:使用0.5mev至5mev加速電壓的電子加速器對(duì)反應(yīng)介質(zhì)直接輻射,輻射劑量設(shè)定在5kgy至50kgy;
8、步驟s6:對(duì)輻射后的反應(yīng)介質(zhì)進(jìn)行冷卻,對(duì)冷卻后的反應(yīng)介質(zhì)進(jìn)行過濾、提純,得到次氯酸鈉溶液;
9、步驟s7:調(diào)整次氯酸鈉溶液的濃度為5wt%至15wt%。
10、進(jìn)一步的,所述步驟s3中添加的銀離子促進(jìn)劑的濃度為0.01wt%至0.05wt%。
11、進(jìn)一步的,所述步驟s3中添加的乙二醇添加量為反應(yīng)介質(zhì)總質(zhì)量的0.1wt%至0.5wt%。
12、進(jìn)一步的,所述步驟s4中的耐壓反應(yīng)容器采用不銹鋼材料,在耐壓反應(yīng)容器內(nèi)表面涂覆有一層厚度為50nm至200nm的抗輻射涂層,該涂層由含氟聚合物與納米二氧化鈦復(fù)合而成。
13、進(jìn)一步的,所述步驟s5中電子束輻射期間,維持基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì)溫度在20℃至40℃范圍內(nèi)。
14、進(jìn)一步的,所述步驟s6中通過冷卻裝置對(duì)輻射5分鐘內(nèi)的反應(yīng)介質(zhì)溫度降至室溫。
15、進(jìn)一步的,所述步驟s6中對(duì)冷卻后的反應(yīng)介質(zhì)進(jìn)行過濾、提純,得到次氯酸鈉溶液包括:
16、步驟s6-1:使用孔徑不大于0.2μm的濾膜去除反應(yīng)介質(zhì)中的懸浮顆粒和未完全反應(yīng)的固體雜質(zhì);
17、步驟s6-2:通過反滲透膜或納濾膜,進(jìn)一步去除反應(yīng)介質(zhì)中的小分子有機(jī)雜質(zhì)及殘留的無機(jī)鹽,確保次氯酸鈉溶液的純度至少達(dá)到99.5%;
18、步驟s6-3:采用離子交換柱,針對(duì)陽離子、陰離子進(jìn)行深度凈化,去除影響產(chǎn)品穩(wěn)定性的過渡金屬離子。
19、進(jìn)一步的,所述步驟s6-3中的陽離子包括銅離子、鐵離子、錳離子、鎳離子、鉻離子,陰離子包括溴離子、碘離子、硫酸根離子、碳酸根離子與碳酸氫根離子。
20、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明提供了一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,具有以下優(yōu)點(diǎn):
21、1.本發(fā)明采用電子加速器對(duì)反應(yīng)介質(zhì)直接輻射,電子束直接輻射作為一種高效的物理手段,能夠快速引發(fā)水溶液中氯化鈉分子的電離和自由基反應(yīng),進(jìn)而轉(zhuǎn)化為次氯酸鈉,不需要直接使用氯氣,從而消除了氯氣的儲(chǔ)存、運(yùn)輸和操作中的高度毒性和爆炸風(fēng)險(xiǎn),大幅提升了生產(chǎn)安全性;本發(fā)明避免了傳統(tǒng)化學(xué)氧化劑或催化劑的使用,減少了副反應(yīng)的發(fā)生,從而提升了合成效率和最終產(chǎn)品的純度,通過控制電子束的劑量,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)進(jìn)程的精確調(diào)控,確保產(chǎn)物的高質(zhì)量。
22、2.在次氯酸鈉的合成中,電子束能夠幾乎瞬時(shí)激發(fā)水分子形成自由基,這些自由基隨后參與氧化反應(yīng),快速將氯化鈉轉(zhuǎn)化為次氯酸鈉,整個(gè)過程可以在較短時(shí)間內(nèi)完成,提高了生產(chǎn)效率。這種“即時(shí)啟動(dòng)”的特性意味著反應(yīng)可以在相對(duì)短的時(shí)間尺度內(nèi)達(dá)到高轉(zhuǎn)化率,減少了能耗和時(shí)間成本,同時(shí)也減小了副反應(yīng)的可能性,有利于獲得更高純度的產(chǎn)品。
23、3.該方法無需使用傳統(tǒng)的化學(xué)氧化劑或催化劑,減少了化學(xué)藥品的消耗和副產(chǎn)品的生成,降低了對(duì)環(huán)境的污染,在封閉的反應(yīng)容器中進(jìn)行,減少了有害氣體的釋放,對(duì)環(huán)境更為友好整個(gè)過程更加綠色節(jié)能。
24、4.本發(fā)明采用乙二醇作為乙二醇,有效防止了次氯酸鈉的分解,同時(shí)通過離子交換柱深度凈化去除可能影響穩(wěn)定性的過渡金屬離子,增強(qiáng)了最終產(chǎn)品的穩(wěn)定性和儲(chǔ)存期限。
25、5.本發(fā)明過濾提純步驟可以有效去除了反應(yīng)介質(zhì)中的各種雜質(zhì),包括懸浮顆粒、有機(jī)物、無機(jī)鹽及特定離子,不僅提高了次氯酸鈉的純度,也提升了產(chǎn)品的使用安全性。
26、6.本發(fā)明中的耐壓反應(yīng)容器采用不銹鋼材質(zhì)并涂覆抗輻射涂層,提高了容器的耐久性和在輻射環(huán)境下的穩(wěn)定性,延長了設(shè)備使用壽命,降低了維護(hù)成本。
27、綜上所述,該技術(shù)方案不僅實(shí)現(xiàn)了高純度次氯酸鈉的高效合成,而且在環(huán)境保護(hù)、能效、產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)安全等方面均展現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢,具有重要的實(shí)用價(jià)值和推廣前景。
1.一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s3中添加的銀離子促進(jìn)劑的濃度為0.01wt%至0.05wt%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s3中添加的乙二醇添加量為反應(yīng)介質(zhì)總質(zhì)量的0.1wt%至0.5wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s4中的耐壓反應(yīng)容器采用不銹鋼材料,在耐壓反應(yīng)容器內(nèi)表面涂覆有一層厚度為50nm至200nm的抗輻射涂層,該涂層由含氟聚合物與納米二氧化鈦復(fù)合而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s5中電子束輻射期間,維持基礎(chǔ)反應(yīng)介質(zhì)溫度在20℃至40℃范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s6中通過冷卻裝置對(duì)輻射5分鐘內(nèi)的反應(yīng)介質(zhì)溫度降至室溫。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s6中對(duì)冷卻后的反應(yīng)介質(zhì)進(jìn)行過濾、提純,得到次氯酸鈉溶液包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于電子束輻射的次氯酸鈉合成方法,其特征在于,所述步驟s6-3中的陽離子包括銅離子、鐵離子、錳離子、鎳離子、鉻離子,陰離子包括溴離子、碘離子、硫酸根離子、碳酸根離子與碳酸氫根離子。