本技術(shù)屬于太陽能電池，具體涉及一種硅片繞擴裝置及具有該種硅片繞擴裝置的擴散爐。

背景技術(shù)：

1、在生產(chǎn)topcon電池的工藝流程中，至關(guān)重要的是隧穿鈍化層的制備，隧穿鈍化層包含超薄氧化層和摻雜多晶硅層。目前行業(yè)上制備多晶硅層采用硅片雙插在石英舟的方式，即在一個卡槽內(nèi)面對面貼合放置兩片硅片，以增大其產(chǎn)能。由于雙插的兩硅片之間不可避免的會存在間隙，這樣導致了繞鍍的產(chǎn)生，形成繞鍍的硅片一般為中間薄邊緣厚。硅片背面形成繞鍍后，會引起載流子的寄生吸收以及電池漏電的產(chǎn)生，因此需要增加濕化學工藝，但不均勻的繞鍍使得濕化學清洗較為困難，常出現(xiàn)局部過刻的現(xiàn)象，導致硅片的電效率下降。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型實施例提供一種硅片繞擴裝置及擴散爐，旨在解決硅片背面不均勻繞鍍的問題。

2、第一方面，為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：提供一種硅片繞擴裝置，包括：石英舟以及進氣系統(tǒng)，所述石英舟的卡槽內(nèi)雙插有硅片；進氣系統(tǒng)包括進氣總管以及并聯(lián)于所述進氣總管的第一進氣管和第二進氣管，所述第一進氣管布設(shè)于所述石英舟的下方；所述第一進氣管上設(shè)置有伸入所述石英舟內(nèi)的第一導氣管；所述第二進氣管布設(shè)于所述硅片的上方；所述第二進氣管上設(shè)置有進氣孔。

3、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第二進氣管上對應(yīng)于所述卡槽分別設(shè)置有第二導氣管，所述第二導氣管的管口對應(yīng)于雙插的兩硅片之間；所述第一導氣管向上伸入所述卡槽內(nèi)；其中，所述第一導氣管與所述第二導氣管交替布設(shè)。

4、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第二導氣管為扁平管。

5、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第二導氣管的管口寬度小于2.5mm。

6、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第二導氣管的管口平齊于所述硅片的上端。

7、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第二導氣管螺接于所述第二進氣管上。

8、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述第一導氣管伸入所述卡槽的一端與所述卡槽的槽底平齊。

9、第一方面，在一種可實現(xiàn)的方式中，所述進氣總管上設(shè)置有電磁閥。

10、第二方面，本實用新型還提供一種擴散爐，包括所述的硅片繞擴裝置。

11、本實用新型提供的硅片繞擴裝置及擴散爐，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：在雙插硅片的上方和下方同時布置進氣管，擴散反應(yīng)氣體同時從硅片上方和下方送入硅片之間，擴大硅片與反應(yīng)氣體的接觸面，使得擴散反應(yīng)氣體能更加均勻的填充在硅片之間，實現(xiàn)硅片正背面的均勻鍍膜，提升硅片的光電效率，改善硅片繞鍍造成中間薄邊緣厚的問題，降低后序清洗難度及清洗過刻導致硅片電效率下降的問題。

技術(shù)特征：

1.一種硅片繞擴裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第二進氣管(8)上對應(yīng)于所述卡槽分別設(shè)置有第二導氣管(7)，所述第二導氣管(7)的管口對應(yīng)于雙插的兩硅片(6)之間；所述第一導氣管(3)向上伸入所述卡槽內(nèi)；其中，所述第一導氣管(3)與所述第二導氣管(7)交替布設(shè)。

3.如權(quán)利要求2所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第二導氣管(7)為扁平管。

4.如權(quán)利要求3所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第二導氣管(7)的管口寬度小于2.5mm。

5.如權(quán)利要求2所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第二導氣管(7)的管口平齊于所述硅片(6)的上端。

6.如權(quán)利要求2所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第二導氣管(7)螺接于所述第二進氣管(8)上。

7.如權(quán)利要求1所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述第一導氣管(3)伸入所述卡槽的一端與所述卡槽的槽底平齊。

8.如權(quán)利要求1所述的硅片繞擴裝置，其特征在于，所述進氣總管(2)上設(shè)置有電磁閥。

9.一種擴散爐，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的硅片繞擴裝置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種硅片繞擴裝置及擴散爐，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，包括石英舟以及進氣系統(tǒng)，石英舟的卡槽內(nèi)雙插有硅片；進氣系統(tǒng)包括進氣總管以及并聯(lián)于進氣總管的第一進氣管和第二進氣管，第一進氣管布設(shè)于石英舟的下方；第一進氣管上設(shè)置有伸入石英舟內(nèi)的第一導氣管；第二進氣管布設(shè)于硅片的上方；第二進氣管上設(shè)置有進氣孔。本技術(shù)在雙插硅片的上方和下方同時布置進氣管，擴散反應(yīng)氣體同時從硅片上方和下方送入硅片之間，使得擴散反應(yīng)氣體能更加均勻的填充在硅片之間，實現(xiàn)硅片正背面的均勻鍍膜，提升硅片的光電轉(zhuǎn)換效率，改善硅片繞鍍造成中間薄邊緣厚的問題，降低后序清洗難度及清洗過刻導致硅片轉(zhuǎn)換效率下降的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：尹麗麗,潘明翠,郎芳,李獻朋,薛敬偉,于航,郭曉杰,史金超,于波
受保護的技術(shù)使用者：英利能源發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240130
技術(shù)公布日：2024/12/19