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      一種單晶爐的加熱器的制作方法

      文檔序號(hào):40391450發(fā)布日期:2024-12-20 12:14閱讀:6來源:國(guó)知局
      一種單晶爐的加熱器的制作方法

      本技術(shù)屬于單晶爐,涉及一種單晶爐的加熱器。


      背景技術(shù):

      1、目前光伏行業(yè)的直拉單晶生長(zhǎng)時(shí),使用的是雙加熱器的方案,分別叫主加熱器和底加熱器,熔料的時(shí)候,兩個(gè)加熱器同時(shí)工作,晶體生長(zhǎng)的過程中,只有主加熱器工作,底加熱器不參與,因?yàn)殚_底加熱器,無法完成正常長(zhǎng)晶。

      2、這樣帶來的問題是,單主加熱器工作時(shí),造成坩堝表面局部溫度高,釋放的氧含量較多,導(dǎo)致進(jìn)入晶棒的氧含量較多,無法達(dá)到硅片產(chǎn)品的要求,電池轉(zhuǎn)化效率低,尤其是n型硅片。

      3、兩個(gè)加熱器熔料,功率給到最大時(shí),化料效率比較低,耽誤工時(shí)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型為了克服至少一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種單晶爐的加熱器。

      2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種單晶爐的加熱器,包括主加熱器、副加熱器和底加熱器,副加熱器位于主加熱器的下方,副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面,主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接。

      3、進(jìn)一步的,在晶體生長(zhǎng)階段,副加熱器分配主加熱器的功率對(duì)坩堝加熱。

      4、進(jìn)一步的,功率分配前所述主加熱器的功率設(shè)置為a,功率分配后主加熱器的功率設(shè)置為a1,副加熱器的功率設(shè)置為a2,a1和a2小于a,且a1+a2=a。

      5、進(jìn)一步的,在熔料階段時(shí),所述副加熱器位于坩堝的中部;在晶體生長(zhǎng)階段,副加熱器與主加熱器的間距設(shè)置為20mm-40mm。

      6、進(jìn)一步的,所述主加熱器包括主加熱發(fā)熱區(qū)和主加熱腳板,主加熱腳板設(shè)有兩組,主加熱腳板固設(shè)在主加熱發(fā)熱區(qū),主加熱腳板與主加熱電源電極連接。

      7、進(jìn)一步的,所述副加熱器包括副加熱發(fā)熱區(qū)和副加熱腳板,副加熱腳板設(shè)有兩組,副加熱腳板固設(shè)在副加熱發(fā)熱區(qū),副加熱腳板與副加熱電源電極連接。

      8、進(jìn)一步的,兩組所述主加熱腳板分別連接主加熱電源電極的正極和負(fù)極。

      9、進(jìn)一步的,所述副加熱發(fā)熱區(qū)還設(shè)有加熱板,加熱板繞主加熱腳板分布。

      10、進(jìn)一步的,兩組所述副加熱腳板分別開連接副加熱電源電極的正極和負(fù)極。

      11、進(jìn)一步的,所述底加熱器設(shè)有兩組底電極連接柱,兩組底電極連接柱與底加熱電源電極的正極和負(fù)極連接。

      12、綜上所述,本實(shí)用新型的有益之處在于:

      13、1)本實(shí)用新型在熔料階段,主加熱器、副加熱器在坩堝側(cè)面對(duì)其進(jìn)行加熱,底加熱器在坩堝下部對(duì)其進(jìn)行加熱,通過增加副加熱器的功率,大大提升了熔料功率的上限,有效提高了熔料溫度,提升熔料效率,同時(shí)主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制,使它們的功率可以根據(jù)實(shí)際需求,靈活調(diào)整主加熱器、副加熱器和底加熱器的功率值,達(dá)到快速熔料的目的,在晶體生長(zhǎng)階段,副加熱器分配主加熱器的功率,以降低主加熱器的功率,損耗減少,可延長(zhǎng)加熱器的使用壽命,同時(shí)使坩堝的局部溫度下降,降低硅液和坩堝的反應(yīng)速度,有效降低釋放的氧含量,從而使進(jìn)入晶棒的氧含量減少,大大提升了晶棒的品質(zhì),同時(shí)功率數(shù)值可以根據(jù)實(shí)際需求靈活分配,達(dá)到實(shí)現(xiàn)降低氧含量最大化的目的。

      14、2)本實(shí)用新型通過升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器的升降以調(diào)整主加熱器和副加熱器的間距,在熔料階段時(shí),升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器移動(dòng),使副加熱器位于坩堝的中部,可以使副加熱器的發(fā)熱量被硅液吸收,從而大幅度提升熔料效率,在晶體生長(zhǎng)階段,升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器移動(dòng),使副加熱器與主加熱器的間距控制在設(shè)定距離此時(shí)副加熱器最靠近坩堝上部的位置,副加熱器分擔(dān)主加熱器的功率后,有效降低坩堝表面的溫度,有效降低釋放的氧含量,從而使進(jìn)入晶棒的氧含量減少,大大提升了晶棒的品質(zhì)。



      技術(shù)特征:

      1.一種單晶爐的加熱器,其特征在于:包括主加熱器、副加熱器和底加熱器,副加熱器位于主加熱器的下方,副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面,主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:在晶體生長(zhǎng)階段,副加熱器分配主加熱器的功率對(duì)坩堝加熱。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:功率分配前所述主加熱器的功率設(shè)置為a,功率分配后主加熱器的功率設(shè)置為a1,副加熱器的功率設(shè)置為a2,a1和a2小于a,且a1+a2=a。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:在熔料階段時(shí),所述副加熱器位于坩堝的中部;在晶體生長(zhǎng)階段,副加熱器與主加熱器的間距設(shè)置為20mm-40mm。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:所述主加熱器包括主加熱發(fā)熱區(qū)和主加熱腳板,主加熱腳板設(shè)有兩組,主加熱腳板固設(shè)在主加熱發(fā)熱區(qū),主加熱腳板與主加熱電源電極連接。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:所述副加熱器包括副加熱發(fā)熱區(qū)和副加熱腳板,副加熱腳板設(shè)有兩組,副加熱腳板固設(shè)在副加熱發(fā)熱區(qū),副加熱腳板與副加熱電源電極連接。

      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:兩組所述主加熱腳板分別連接主加熱電源電極的正極和負(fù)極。

      8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:所述副加熱發(fā)熱區(qū)還設(shè)有加熱板,加熱板繞主加熱腳板分布。

      9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:兩組所述副加熱腳板分別開連接副加熱電源電極的正極和負(fù)極。

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器,其特征在于:所述底加熱器設(shè)有兩組底電極連接柱,兩組底電極連接柱與底加熱電源電極的正極和負(fù)極連接。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)公開了一種單晶爐的加熱器,包括主加熱器、副加熱器和底加熱器,副加熱器位于主加熱器的下方,副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面,主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接,本技術(shù)在熔料階段,主加熱器、副加熱器在坩堝側(cè)面對(duì)其進(jìn)行加熱,底加熱器在坩堝下部對(duì)其進(jìn)行加熱,通過增加副加熱器的功率,大大提升了熔料功率的上限,有效提高了熔料溫度,提升熔料效率,本發(fā)明通過副加熱器分擔(dān)主加熱器的功率后,有效降低坩堝表面的溫度,有效降低釋放的氧含量,從而使進(jìn)入晶棒的氧含量減少,大大提升了晶棒的品質(zhì)。

      技術(shù)研發(fā)人員:李方,王建波,黃鑫磊,馮寶,蔣林
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:連城凱克斯科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240207
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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