本技術涉及半導體材料制備,特別是涉及一種單晶體生長爐。
背景技術:
1、目前,在半導體單晶體的生長過程中,由于爐體放置傾斜容易導致晶體受熱不均勻,導致溫度梯度過大,因此在晶體的內部產生了較大的熱應力,在應力的作用下,晶體內部的位錯發(fā)生大量的運動和增殖,從而產生了大量的位錯,大大的降低了單晶體的成晶率。
技術實現(xiàn)思路
1、本實用新型的目的是:提供一種單晶體生長爐,結構簡單,操作方便,可實時調節(jié)升降臺保持水平,避免爐體放置傾斜,使晶體受熱均勻,提高單晶體的成晶率。
2、為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種單晶體生長爐,包括爐架、三個升降調節(jié)組件、升降臺以及爐體,三個所述升降調節(jié)組件安裝于所述爐架,且位于所述升降臺下方,三個所述升降調節(jié)組件呈三角布置,三個所述升降調節(jié)組件的輸出端均與所述升降臺活動連接,用于調節(jié)所述升降臺保持水平,所述爐體固定在所述升降臺上,所述升降調節(jié)組件包括轉軸、升降螺桿、螺母座、第一錐齒輪以及第二錐齒輪,所述升降螺桿豎直設置,所述轉軸水平設置,所述轉軸的軸線與所述升降螺桿的軸線垂直相交,所述轉軸和所述爐架轉動連接,所述轉軸的一端部固定有所述第一錐齒輪,所述螺母座固定在所述爐架上,所述升降螺桿的一端部與所述升降臺鉸接,所述升降螺桿穿設在所述螺母座內且另一端固定有所述第二錐齒輪,所述第一錐齒輪與所述第二錐齒輪嚙合,轉動所述轉軸,所述升降螺桿沿豎直方向升降調節(jié)所述升降臺保持水平。
3、更進一步地,所述升降螺桿包括螺紋段和光軸段,所述螺紋段插設在所述螺母座內,所述爐架上還設有直線軸承,所述光軸段穿設在所述直線軸承內。
4、更進一步地,所述轉軸端部還套設有調節(jié)手柄,所述調節(jié)手柄上開設有方形孔,所述轉軸端部設有與所述方形孔對應的方形凸起。
5、更進一步地,所述爐體內部中空且上端開口設有爐膛,所述爐膛底部設有石英棉底座,所述石英棉底座上方設有坩堝,所述開口上設有石英棉蓋板。
6、更進一步地,所述爐架上設有固定臺,所述螺母座安裝在所述固定臺上,所述固定臺上設有與所述轉軸轉動連接的軸承。
7、更進一步地,所述轉軸與所述第一錐齒輪、所述升降螺桿與所述第二錐齒輪均通過鍵連接。
8、更進一步地,所述爐架底部四周設有支撐底座。
9、更進一步地,三個所述調節(jié)升降組件兩兩間的間距相等。
10、更進一步地,所述爐架上饒所述爐體周向設有限位擋板。
11、本實用新型實施例一種單晶體生長爐與現(xiàn)有技術相比,其有益效果在于:三個升降調節(jié)組件呈三角布置,且三個升降調節(jié)組件的輸出端均與升降臺活動連接,用于調節(jié)升降臺保持水平,爐體固定在升降臺上,升降調節(jié)組件包括轉軸、升降螺桿、螺母座、第一錐齒輪以及第二錐齒輪,轉動轉軸,通過第一錐齒輪和第二錐齒輪嚙合傳動,使升降螺桿沿豎直方向升降調節(jié)升降臺保持水平,整體結構簡單,便于操作,可實時調節(jié)升降臺保持水平,提高單晶體的成晶率。
1.一種單晶體生長爐,其特征在于:包括爐架、三個升降調節(jié)組件、升降臺以及爐體,三個所述升降調節(jié)組件安裝于所述爐架,且位于所述升降臺下方,三個所述升降調節(jié)組件呈三角布置,三個所述升降調節(jié)組件的輸出端均與所述升降臺活動連接,用于調節(jié)所述升降臺保持水平,所述爐體固定在所述升降臺上,所述升降調節(jié)組件包括轉軸、升降螺桿、螺母座、第一錐齒輪以及第二錐齒輪,所述升降螺桿豎直設置,所述轉軸水平設置,所述轉軸的軸線與所述升降螺桿的軸線垂直相交,所述轉軸和所述爐架轉動連接,所述轉軸的一端部固定有所述第一錐齒輪,所述螺母座固定在所述爐架上,所述升降螺桿的一端部與所述升降臺鉸接,所述升降螺桿穿設在所述螺母座內且另一端固定有所述第二錐齒輪,所述第一錐齒輪與所述第二錐齒輪嚙合,轉動所述轉軸,所述升降螺桿沿豎直方向升降調節(jié)所述升降臺保持水平。
2.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述升降螺桿包括螺紋段和光軸段,所述螺紋段插設在所述螺母座內,所述爐架上還設有直線軸承,所述光軸段穿設在所述直線軸承內。
3.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述轉軸端部還套設有調節(jié)手柄,所述調節(jié)手柄上開設有方形孔,所述轉軸端部設有與所述方形孔對應的方形凸起。
4.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述爐體內部中空且上端開口設有爐膛,所述爐膛底部設有石英棉底座,所述石英棉底座上方設有坩堝,所述開口上設有石英棉蓋板。
5.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述爐架上設有固定臺,所述螺母座安裝在所述固定臺上,所述固定臺上設有與所述轉軸轉動連接的軸承。
6.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述轉軸與所述第一錐齒輪、所述升降螺桿與所述第二錐齒輪均通過鍵連接。
7.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述爐架底部四周設有支撐底座。
8.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:三個所述升降調節(jié)組件兩兩間的間距相等。
9.如權利要求1所述的單晶體生長爐,其特征在于:所述爐架上饒所述爐體周向設有限位擋板。