本技術(shù)涉及單晶制造設(shè)備領(lǐng)域，更具體地，涉及一種單晶爐。

背景技術(shù)：

1、單晶硅片作為光伏發(fā)電的一種基礎(chǔ)材料，擁有廣泛的市場需求。直拉單晶硅生長方法是一種常見的單晶生長方法，其生長過程是在單晶爐中，將籽晶浸入熔體，依次實施引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑及收尾過程，最后獲得單晶硅棒。單晶爐熱場通常由熱場部件和保溫材料構(gòu)成，例如包括熱屏、主加熱器、底部加熱器及保溫筒，正常拉晶時，主加熱器打開，底加熱器關(guān)閉，單晶爐內(nèi)吹拂氬氣，主加熱器的發(fā)熱區(qū)熱輻射范圍大，可保障穩(wěn)定拉晶，但是主加熱器發(fā)熱區(qū)熱輻射石英坩堝的范圍越大，則石英坩堝內(nèi)的硅液與石英反應(yīng)越加劇(sio2+si＝sio+o2)，增加硅液中的氧含量，導(dǎo)致晶棒的氧含量也增加。現(xiàn)有技術(shù)中的熱場降氧一般通過減少爐底保溫中的軟氈層數(shù)以使坩堝底部偏低溫，達到降氧的目的，此方式雖然降氧效果明顯，但拉晶難度大，產(chǎn)量低。

2、因此，亟需提供一種既能夠降氧又不會影響拉晶難度的單晶爐。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實用新型提供了一種單晶爐，用以在降氧的同時不影響單晶爐的熱場保溫性，不影響拉晶難度。

2、本實用新型提供的單晶爐，包括：爐體，爐體包括主爐室，主爐室內(nèi)包括：

3、坩堝，坩堝外側(cè)設(shè)有堝幫，堝幫底部外側(cè)設(shè)有底加熱器；

4、主加熱器，主加熱器的發(fā)熱區(qū)與坩堝的上部分相對應(yīng)，沿周向設(shè)于堝幫的外側(cè)，主加熱器的腳板延伸至單晶爐的爐底；

5、保溫桶，套設(shè)在加熱器和爐體內(nèi)壁之間，沿第一方向上保溫桶包括上保溫桶、中保溫桶和下保溫桶，第一方向為單晶爐頂部指向單晶爐底部的方向，沿第二方向，中保溫桶和下保溫桶與堝幫相對應(yīng)，第二方向與第一方向相交；

6、輔助保溫結(jié)構(gòu)，位于堝幫與保溫桶之間，沿第一方向上，位于主加熱器靠近單晶爐爐底的一側(cè)；輔助保溫結(jié)構(gòu)包括兩個獨立對稱設(shè)置的弧形板，主加熱器的腳板位于兩個弧形板之間，弧形板遠離主加熱器的一側(cè)包括鏤空區(qū)；

7、爐體的底部包括導(dǎo)氣孔，從主爐室頂部進入的氬氣經(jīng)過鏤空區(qū)和導(dǎo)氣孔排出。

8、可選的，鏤空區(qū)的數(shù)量至少為2個。

9、可選的，相鄰兩個鏤空區(qū)之間設(shè)有支撐腿，支撐腿的下邊緣與弧形板的下邊緣平齊。

10、可選的，弧形板的側(cè)邊緣向遠離坩堝的一側(cè)彎折。

11、可選的，沿弧形板的延伸方向上，鏤空區(qū)的長度為80mm-120mm。

12、可選的，鏤空區(qū)沿第一方向上的高度大于等于100mm。

13、可選的，沿第一方向上，弧形板與主加熱器的發(fā)熱區(qū)之間的間距大于等于30mm。

14、可選的，弧形板與堝幫外壁的間距大于等于20mm。

15、可選的，弧形板與主加熱器的腳板的間距大于等于30mm。

16、可選的，輔助保溫結(jié)構(gòu)的材料為碳碳復(fù)合材質(zhì)。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的單晶爐，至少實現(xiàn)了如下的有益效果：

18、本實用新型的單晶爐包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)有主爐室，主爐室內(nèi)包括坩堝、堝幫、底加熱器、主加熱器、保溫桶，坩堝外側(cè)設(shè)有堝幫，堝幫底部外側(cè)設(shè)有底加熱器；主加熱器的發(fā)熱區(qū)與坩堝的上部分相對應(yīng)，沿周向設(shè)于堝幫的外側(cè)，主加熱器的腳板延伸至單晶爐的爐底；保溫桶套設(shè)在加熱器和爐體內(nèi)壁之間，沿第一方向上保溫桶包括上保溫桶、中保溫桶和下保溫桶，第一方向為單晶爐頂部指向單晶爐底部的方向，沿第二方向，中保溫桶和下保溫桶與堝幫相對應(yīng)，第二方向與第一方向相交；本申請的單晶爐還包括輔助保溫結(jié)構(gòu)，夾設(shè)在堝幫與保溫桶之間，沿第一方向上，位于主加熱器靠近單晶爐爐底的一側(cè)，輔助保溫結(jié)構(gòu)包括兩個獨立對稱設(shè)置的弧形板，主加熱器的腳板位于兩個弧形板之間，弧形板遠離主加熱器的一側(cè)包括鏤空區(qū)；爐體的底部包括導(dǎo)氣孔。本實用新型通過在主加熱器靠近單晶爐爐底的一側(cè)設(shè)置輔助保溫結(jié)構(gòu)，沿第二方向上，輔助保溫結(jié)構(gòu)與坩堝的下部對應(yīng)，主加熱器的主要熱輻射區(qū)對應(yīng)的是坩堝的上部，這樣能夠降低主加熱器對坩堝底部的熱輻射，由此能夠降低硅液中氧含量，同時由于未減少底保溫中軟氈層數(shù)，所以不影響熱場的保溫性，減少熱量損失，不會影響拉晶效率，弧形板遠離主加熱器的一側(cè)包括鏤空區(qū)，從主爐室頂部進入的氬氣經(jīng)過鏤空區(qū)和爐體的底部的導(dǎo)氣孔排出，保證了氬氣的流通順暢性，保證了拉晶工藝的穩(wěn)定性，拉晶難度小，產(chǎn)量高。

19、當(dāng)然，實施本實用新型的任一產(chǎn)品必不特定需要同時達到以上所述的所有技術(shù)效果。

20、通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述，本實用新型的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種單晶爐，其特征在于，包括：爐體，所述爐體包括主爐室，所述主爐室內(nèi)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述鏤空區(qū)的數(shù)量至少為2個。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，相鄰兩個鏤空區(qū)之間設(shè)有支撐腿，所述支撐腿的下邊緣與所述弧形板的下邊緣平齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述弧形板的側(cè)邊緣向遠離所述坩堝的一側(cè)彎折。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，沿所述弧形板的延伸方向上，所述鏤空區(qū)的長度為80mm-120mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述鏤空區(qū)沿所述第一方向上的高度大于等于100mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，沿所述第一方向上，所述弧形板與所述主加熱器的發(fā)熱區(qū)之間的間距大于等于30mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述弧形板與所述堝幫外壁的間距大于等于20mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述弧形板與所述主加熱器的腳板的間距大于等于30mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述輔助保溫結(jié)構(gòu)的材料為碳碳復(fù)合材質(zhì)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種單晶爐，包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)有主爐室，主爐室內(nèi)包括坩堝、堝幫、底加熱器、主加熱器和保溫桶，還包括夾設(shè)在堝幫與保溫桶之間的輔助保溫結(jié)構(gòu)，輔助保溫結(jié)構(gòu)位于主加熱器靠近單晶爐爐底的一側(cè)，輔助保溫結(jié)構(gòu)包括兩個獨立對稱設(shè)置的弧形板，主加熱器的腳板位于兩個弧形板之間，弧形板遠離主加熱器的一側(cè)包括鏤空區(qū)，爐體的底部包括導(dǎo)氣孔。本申請通過在主加熱器靠近單晶爐爐底的一側(cè)設(shè)置輔助保溫結(jié)構(gòu)，降低主加熱器對坩堝底部的熱輻射，由此能夠降低硅液中氧含量，從主爐室頂部進入的氬氣經(jīng)過鏤空區(qū)和爐體的底部的導(dǎo)氣孔排出，保證了氬氣的流通順暢性，保證了拉晶工藝的穩(wěn)定性，拉晶難度小，產(chǎn)量高。

技術(shù)研發(fā)人員：龍小嬌,宋麗平,程宇,肖瑤,代唯琪
受保護的技術(shù)使用者：晶科能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240319
技術(shù)公布日：2024/12/26