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      一種用于金剛石生長(zhǎng)的MPCVD裝置的制作方法

      文檔序號(hào):40384611發(fā)布日期:2024-12-20 12:07閱讀:6來(lái)源:國(guó)知局
      一種用于金剛石生長(zhǎng)的MPCVD裝置的制作方法

      本技術(shù)涉及微波等離子體化學(xué)氣相沉積,特別涉及一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置。


      背景技術(shù):

      1、微波等離子體化學(xué)氣相沉積mpcvd單晶金剛石生長(zhǎng)技術(shù)由于其微波能量無(wú)污染、氣體原料純凈等優(yōu)勢(shì)而在眾多單晶金剛石制備方法中脫穎而出,成為制備大尺寸、高品質(zhì)單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一。

      2、目前,現(xiàn)有的mpcvd裝置如圖3所示,腔體的上蓋板和腔體的底板之間形成反應(yīng)腔,但是現(xiàn)有裝置上蓋板和底板之間連接處密封性差,外部空氣將上蓋板和底板之間連接處進(jìn)入反應(yīng)腔內(nèi),污染反應(yīng)氣體,從而嚴(yán)重降低產(chǎn)品質(zhì)量。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置。

      2、本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,包括殼體,其具有上蓋,殼體內(nèi)設(shè)有水冷臺(tái),水冷臺(tái)上端設(shè)有鉬臺(tái),水冷臺(tái)和上蓋之間設(shè)有呈圓環(huán)形的微波石英罩,上蓋、微波石英罩和水冷臺(tái)圍成反應(yīng)腔,上蓋上設(shè)有與上蓋密封連接的多個(gè)視窗和與反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣通道,水冷臺(tái)包括水平部和伸出殼體底部的豎直部,水冷臺(tái)內(nèi)設(shè)有與反應(yīng)腔連通的出氣通道,水冷臺(tái)內(nèi)還設(shè)有液冷通道,液冷通道具有進(jìn)水通道和出水通道。

      3、作為優(yōu)選的方案,所述殼體包括底板、設(shè)置在底板上的支撐環(huán)和位于支撐環(huán)上端的上蓋。

      4、作為優(yōu)選的方案,所述支撐環(huán)為金屬材料制成,支撐環(huán)設(shè)有多個(gè)通孔。

      5、作為優(yōu)選的方案,所述底板下端設(shè)有同軸套設(shè)在豎直部外側(cè)的同軸波導(dǎo),同同軸波導(dǎo)與殼體內(nèi)部連通,同軸波導(dǎo)下端設(shè)有模式轉(zhuǎn)換器,模式轉(zhuǎn)換器與微波系統(tǒng)連接。

      6、作為優(yōu)選的方案,所述微波系統(tǒng)包括依次連接的微波發(fā)生器、隔離器、三銷(xiāo)釘及矩形波導(dǎo),且矩形波導(dǎo)的出口與模式轉(zhuǎn)換器的入口法蘭連接,經(jīng)矩形波導(dǎo)傳輸?shù)奈⒉ㄟM(jìn)入模式轉(zhuǎn)換器。

      7、作為優(yōu)選的方案,所述模式轉(zhuǎn)換器的右端連接有短路活塞,且短路活塞左右滑動(dòng)可調(diào)。

      8、作為優(yōu)選的方案,所述微波石英罩與水冷臺(tái)的連接處設(shè)置有下真空密封圈,所述微波石英罩與上蓋的連接處設(shè)置有上真空密封圈。

      9、作為優(yōu)選的方案,所述上蓋呈凸形,上蓋上還設(shè)有第一冷凝水通道和第二冷凝水通道。

      10、作為優(yōu)選的方案,所述出氣通道與抽真空裝置連接,用于將反應(yīng)腔抽真空。

      11、本申請(qǐng)的有益效果為:1、本申請(qǐng)通過(guò)上蓋、微波石英罩和水冷臺(tái)圍成反應(yīng)腔,并且微波石英罩與水冷臺(tái)的連接處設(shè)置有下真空密封圈,所述微波石英罩與上蓋的連接處設(shè)置有上真空密封圈,密封效果好,能有效隔離外界空氣,維持了反應(yīng)腔內(nèi)真空工作環(huán)境,有效降低了真空漏率,從而實(shí)現(xiàn)反應(yīng)腔與外部空氣有效隔離,為制備高品質(zhì)金剛石提供了有利保障。

      12、2、本申請(qǐng)通過(guò)水冷臺(tái)內(nèi)的液冷通道配合第一冷凝水通道和第二冷凝水通道,能夠有效降低溫度,提高了水冷效果。



      技術(shù)特征:

      1.一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于,包括殼體(1),其具有上蓋(13),殼體(1)內(nèi)設(shè)有水冷臺(tái)(3),水冷臺(tái)(3)上端設(shè)有鉬臺(tái)(5),水冷臺(tái)(3)和上蓋(13)之間設(shè)有呈圓環(huán)形的微波石英罩(6),上蓋(13)、微波石英罩(6)和水冷臺(tái)(3)圍成反應(yīng)腔,上蓋(13)上設(shè)有與上蓋(13)密封連接的多個(gè)視窗(131)和與反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣通道(7),水冷臺(tái)(3)包括水平部(34)和伸出殼體(1)底部的豎直部(35),水冷臺(tái)(3)內(nèi)設(shè)有與反應(yīng)腔連通的出氣通道(33),水冷臺(tái)(3)內(nèi)還設(shè)有液冷通道,液冷通道具有進(jìn)水通道(31)和出水通道(32)。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述殼體(1)包括底板(11)、設(shè)置在底板(11)上的支撐環(huán)(12)和位于支撐環(huán)(12)上端的上蓋(13)。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述支撐環(huán)(12)為金屬材料制成,支撐環(huán)(12)設(shè)有多個(gè)通孔(121)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述底板(11)下端設(shè)有同軸套設(shè)在豎直部(35)外側(cè)的同軸波導(dǎo)(4),同同軸波導(dǎo)(4)與殼體(1)內(nèi)部連通,同軸波導(dǎo)(4)下端設(shè)有模式轉(zhuǎn)換器(2),模式轉(zhuǎn)換器(2)與微波系統(tǒng)連接。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述微波系統(tǒng)包括依次連接的微波發(fā)生器、環(huán)形器、三銷(xiāo)釘及矩形波導(dǎo),且矩形波導(dǎo)的出口與模式轉(zhuǎn)換器(2)的入口法蘭連接,經(jīng)矩形波導(dǎo)傳輸?shù)奈⒉ㄟM(jìn)入模式轉(zhuǎn)換器(2)。

      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述模式轉(zhuǎn)換器(2)的右端連接有短路活塞,且短路活塞左右滑動(dòng)可調(diào)。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述微波石英罩(6)與水冷臺(tái)(3)的連接處設(shè)置有下真空密封圈,所述微波石英罩(6)與上蓋(13)的連接處設(shè)置有上真空密封圈。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述上蓋(13)呈凸形,上蓋(13)上還設(shè)有第一冷凝水通道(8)和第二冷凝水通道(9)。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石生長(zhǎng)的mpcvd裝置,其特征在于:所述出氣通道(33)與抽真空裝置連接,用于將反應(yīng)腔抽真空。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)涉及一種用于金剛石生長(zhǎng)的MPCVD裝置,包括殼體,其具有上蓋,殼體內(nèi)設(shè)有水冷臺(tái),水冷臺(tái)上端設(shè)有鉬臺(tái),水冷臺(tái)和上蓋之間設(shè)有呈圓環(huán)形的微波石英罩,上蓋、微波石英罩和水冷臺(tái)圍成反應(yīng)腔,上蓋上設(shè)有與上蓋密封連接的多個(gè)視窗和與反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣通道,水冷臺(tái)包括水平部和伸出殼體底部的豎直部,水冷臺(tái)內(nèi)設(shè)有與反應(yīng)腔連通的出氣通道,水冷臺(tái)內(nèi)還設(shè)有液冷通道,液冷通道具有進(jìn)水通道和出水通道。本申請(qǐng)反應(yīng)腔密封效果好,能有效隔離外界空氣,維持了反應(yīng)腔內(nèi)真空工作環(huán)境。

      技術(shù)研發(fā)人員:許成志,郭森森,曾獻(xiàn)偉
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:鄭州勢(shì)壘科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240412
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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