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      由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法

      文檔序號:8242237閱讀:387來源:國知局
      由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及二氧化錫的制備,具體為一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法。
      【背景技術】
      [0002]二氧化錫是一種重要的無機材料,也是一種具有應用前景的半導體材料,廣泛應用于制陶工業(yè)、光催化、光電催化及氣敏傳感等領域。
      [0003]我國生產二氧化錫已有較長歷史,均采用傳統(tǒng)的硝酸法生產工藝。即將錫溶于硝酸,生成偏錫酸,經多次水洗、干燥、煅燒、粉碎,得到黃色的二氧化錫,該法硝酸消耗大,環(huán)境污染嚴重,錫消耗高,產品純度低,色澤達不到高檔用品要求。因此,二氧化錫仍要依賴進
      □ O
      [0004]目前,形貌不同的納米氧化錫的制備引起廣泛關注,成為研宄熱點。主要方法有液相法和氣相法兩大類。常用的方法有電弧氣化合成法,低溫等離子化學法,溶膠-凝膠法,水熱法,共沉淀法等?,F有的制備方法存在操作復雜、成本高、能耗大等問題,有的方法需要添加表面活性劑等,有的方法二氧化錫的形貌難于控制等。

      【發(fā)明內容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于提供一種過程簡單、操作方便、易于形貌調控的制備方法,即用于制備由納米碎片自組裝成球形二氧化錫的制備方法。
      [0006]本發(fā)明是采用如下技術方案實現的:
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將3?4g四氯化錫溶于50?55ml乙醇中,充分溶解后,加入I?2g對苯二甲酸,然后加入氫氟酸或鹽酸或甲酸或乙酸,繼續(xù)攪拌使其充分混合;
      (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應12?14h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      [0007]經過優(yōu)選,步驟(I)中,加入濃度為0.20?0.50ml濃度為40%的氫氟酸;或者2ml濃度為99.8%的乙酸;或者2ml濃度為88%的甲酸;或者2ml濃度為36?38%的鹽酸。
      [0008]在上述條件下,采用規(guī)定的原料種類,合理的原料配比,嚴格確定優(yōu)化的反應溫度和時間。錫前驅體鹽和對苯二甲酸在乙醇溶劑中充分溶解后,加入一定量酸,各物質通過協(xié)同作用,生成納米碎片,進而納米碎片自組裝長大成球形二氧化錫。反應中,優(yōu)選加入氫氟酸、鹽酸、甲酸或乙酸中的一種,加入的酸既抑制了錫鹽水解,也加速了反應速率,進而加速了成核;各物質的比例,即錫前驅體鹽、對苯二甲酸、溶劑以及酸的濃度和用量,均是生成完美納米碎片組裝球形二氧化錫的關鍵。
      [0009]上述方法中的原料配比、實驗溫度和時間等參數均是申請人經過了長期摸索和大量實驗,得到球形的納米二氧化錫的所需特定參數,后續(xù)處理保證了本產品的純度。
      [0010]合成的球形二氧化錫可用于檢測低濃度揮發(fā)性有機物。由本發(fā)明的球形二氧化錫制備的傳感器用于甲醇,乙醇,甲醛,乙醛,丙酮,三乙胺,二甲胺和三甲胺揮發(fā)性氣體的檢測,其中對三乙胺有較高的選擇性,并且效果顯著,其次是二甲胺和乙醇等(圖3)。并且,在160°C對不同濃度的三乙胺進一步分析,結果球形二氧化錫對低濃度lppm,lOppm,30ppm及50ppm揮發(fā)性三乙胺的響應值分別為5、30、55和77,具有操作溫度低,靈敏度高,響應恢復快的優(yōu)點。
      [0011]進一步對本方法制備的球形二氧化錫進行表征分析。X射線衍射譜圖(圖1)可以提供物質的結構信息,由圖1分析可知,得到的為二氧化錫,其純度高,無其他雜質存在。掃描電鏡可以提供物質的微觀形貌,由電鏡照片(圖2)觀測可知,合成的二氧化錫形貌為球形,并且粒度均勻,高度分散;高分辨掃描電鏡圖(圖2中插入圖)表明,制備的球形二氧化錫是由納米小碎片組成。制備的球形二氧化錫對不同有機揮發(fā)性物質的響應差異(圖3)表明,本發(fā)明制備的產品對三乙胺有較高的選擇性。
      [0012]本發(fā)明設計合理,上述方法制備過程簡單,操作方便,工藝參數易控制,成本低;由納米碎片自組裝的球形二氧化錫,其粒度均勻,高度分散,可用于低濃度揮發(fā)性有機物的氣敏檢測,有利于工業(yè)化制備及應用。
      【附圖說明】
      [0013]圖1是本發(fā)明方法制備的二氧化錫的X射線衍射圖。
      [0014]圖2是本發(fā)明方法制備的二氧化錫的掃描電鏡圖,其中,插入圖是放大的二氧化錫球的掃描電鏡圖。
      [0015]圖3是本發(fā)明方法制備的球形二氧化錫對不同氣體響應的選擇性圖。
      【具體實施方式】
      [0016]下面對本發(fā)明的具體實施例進行詳細說明。
      [0017]實施例1
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將3g四氯化錫溶于50ml乙醇中,充分溶解后,加入1.5g對苯二甲酸,然后加入0.20?0.30ml濃度為40%的氫氟酸,繼續(xù)攪拌30min使其充分混合;
      (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應13h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      [0018]實施例2
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將3.8g四氯化錫溶于50ml乙醇中,充分溶解后,加入1.2g對苯二甲酸,然后加入0.30?0.50ml濃度為40%的氫氟酸,繼續(xù)攪拌30min使其充分混合;
      (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應13h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      [0019]實施例3
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將3.5g四氯化錫溶于55ml乙醇中,充分溶解后,加入2g對苯二甲酸,然后加入2ml濃度為99.8%的乙酸,繼續(xù)攪拌30min使其充分混合; (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應12h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      [0020]實施例4
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將48四氯化錫溶于52ml乙醇中,充分溶解后,加入Ig對苯二甲酸,然后加入2ml濃度為88%的甲酸,繼續(xù)攪拌30min使其充分混合;
      (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應14h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      [0021]實施例5
      一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:
      (1)、將3g四氯化錫溶于53ml乙醇中,充分溶解后,加入1.8g對苯二甲酸,然后加入2ml濃度為36?38%的鹽酸,繼續(xù)攪拌30min使其充分混合;
      (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應12h;
      (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      【主權項】
      1.一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,其特征在于:包括如下步驟: (1)、將3?4g四氯化錫溶于50?55ml乙醇中,充分溶解后,加入I?2g對苯二甲酸,然后加入氫氟酸或鹽酸或甲酸或乙酸,繼續(xù)攪拌使其充分混合; (2)、將步驟(I)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220°C恒溫反應12?14h; (3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。
      2.根據權利要求1所述的由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,其特征在于:步驟(I)中,加入濃度為0.20?0.50ml濃度為40%的氫氟酸;或者2ml濃度為99.8%的乙酸;或者2ml濃度為88%的甲酸;或者2ml濃度為36?38%的鹽酸。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及二氧化錫的制備,具體為一種由納米碎片自組裝球形二氧化錫的制備方法,包括如下步驟:(1)、將3~4g四氯化錫溶于50~55ml乙醇中,充分溶解后,加入1~2g對苯二甲酸,然后加入氫氟酸或鹽酸或甲酸或乙酸,繼續(xù)攪拌使其充分混合;(2)、將步驟(1)中得到的混合溶液轉移入反應釜,在220℃恒溫反應12~14h;(3)、反應釜冷卻后,取出樣品,經離心、洗滌和干燥處理后,即得到產品。上述方法制備過程簡單,操作方便,工藝參數易控制;由納米碎片自組裝的球形二氧化錫,其粒度均勻,高度分散,可用于低濃度揮發(fā)性有機物的氣敏檢測。
      【IPC分類】B82Y30-00, C01G19-02
      【公開號】CN104556209
      【申請?zhí)枴緾N201510010763
      【發(fā)明人】杜建平, 趙瑞花, 楊江峰, 李晉平
      【申請人】太原理工大學
      【公開日】2015年4月29日
      【申請日】2015年1月9日
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