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      提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):8248537閱讀:204來源:國(guó)知局
      提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      :
      [0001]本發(fā)明涉及太陽能硅錠生產(chǎn)設(shè)備,尤其涉及提高多晶鑄錠爐鑄錠合格率的熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      :
      [0002]太陽能是綠色可再生能源,在太陽能的有效利用中,光電利用是近年來發(fā)展最快、最具活力的研宄領(lǐng)域。隨著近幾年太陽能電池的飛速發(fā)展與不斷的推廣應(yīng)用,市場(chǎng)對(duì)于太陽能電池的需求量越來越大。晶體硅太陽能電池越來越多的應(yīng)用于能源領(lǐng)域,其中,硅材料是光電利用的主要載體,晶體硅的制備是光伏電池的基礎(chǔ)。
      [0003]在太陽能光伏領(lǐng)域,利用定向凝固的方法生產(chǎn)多晶硅錠是普遍采用的方法。其基本原理是,將多晶硅原料放置在石英陶瓷坩禍中,石英陶瓷坩禍放置在由石墨底護(hù)板及側(cè)護(hù)板構(gòu)成的“石墨坩禍”中,放置在熱場(chǎng)系統(tǒng)中,加熱使得硅料完全融化。然后,熱場(chǎng)底部開啟,熱量從坩禍底部釋放,溫度降低,坩禍的底部將逐漸冷卻到硅材料的結(jié)晶點(diǎn)溫度。然后硅溶液在坩禍底部開始結(jié)晶,逐漸向上生長(zhǎng),形狀為自下而上的柱狀晶體結(jié)構(gòu)。多晶硅錠的生長(zhǎng)方式是豎直向上生長(zhǎng),這就要求多晶爐內(nèi)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)必須提供晶體生長(zhǎng)所需的豎直向上的溫度梯度及橫向溫度梯度趨于零,而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)內(nèi)豎直向上的溫度梯度的重要熱場(chǎng)部件熱交換平臺(tái),但是多晶鑄錠爐的熱交換平臺(tái)是方體結(jié)構(gòu),引晶生成后硅晶體的缺陷較多,長(zhǎng)晶過程的固液界面的中間一般是比較凸起的,兩邊坡度較大,研宄表明長(zhǎng)晶過程的固液面越平坦,對(duì)長(zhǎng)晶過程雜質(zhì)的排出越有利,對(duì)晶體的整體質(zhì)量有較大的影響,而且硅錠的邊角部分相比中心部分長(zhǎng)晶耗時(shí)較長(zhǎng),需要延長(zhǎng)時(shí)間才能完成邊角長(zhǎng)晶,從而導(dǎo)致鑄錠周期延長(zhǎng)4-6小時(shí),對(duì)鑄錠爐的產(chǎn)能有一定的影響。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      :
      [0004]本發(fā)明提供了一種提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),它能使長(zhǎng)晶過程固液面保持相對(duì)水平,提尚生廣時(shí)間,提尚廣品質(zhì)量。
      [0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
      [0006]一種提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),包括石墨側(cè)板、石墨底板和熱交換平臺(tái),石墨側(cè)板設(shè)置在坩禍的四周,石墨底板設(shè)置在坩禍的底端面,熱交換平臺(tái)設(shè)置在石墨底板的底端面上,其特征是:在熱交換平臺(tái)的四周設(shè)置有保溫層,在保溫層與熱交換平臺(tái)的接觸面上開有若干垂直定向散熱槽。
      [0007]進(jìn)一步,在保溫層與熱交換平臺(tái)的接觸面上等間距開有若干垂直定向散熱槽。
      [0008]進(jìn)一步,所述垂直定向散熱槽的截面形狀為矩形、半圓形或三角形。
      [0009]進(jìn)一步,在保溫層的垂直定向散熱槽的下方可拆卸的安裝有導(dǎo)熱管。
      [0010]進(jìn)一步,所述保溫層為石墨保溫層。
      [0011]進(jìn)一步,保溫層的底邊與熱交換平臺(tái)的底邊平行,保溫層的厚度為40_。
      [0012]由于在熱交換平臺(tái)的四周設(shè)置有保溫層,可以改善熱場(chǎng)設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致的晶體晶向傾斜以及固液分界面的上凸問題,熱交換平臺(tái)四周的石墨保溫層可以極大地減緩熱交換平臺(tái)的垂直面向四周散熱降溫,從而使晶體生長(zhǎng)時(shí)的晶向趨于豎直以及達(dá)到均勻定向散熱排雜的效果,同時(shí)改善由于垂直方向上的溫度等溫線波動(dòng)過大導(dǎo)致的固液分界面的嚴(yán)重上凸現(xiàn)象,進(jìn)而達(dá)到縮短鑄錠周期、提高鑄錠爐產(chǎn)能的目的,平均一爐可以節(jié)約10小時(shí),給生產(chǎn)節(jié)約成本,降低能耗。
      【附圖說明】
      :
      [0013]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0014]圖2為保溫層的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0015]圖3為圖2中保溫層接觸面的背面視圖;
      [0016]圖中:1_石墨側(cè)板;2_石墨底板;3_熱交換平臺(tái);4_保溫層;41_接觸面;42_垂直定向散熱槽;43_導(dǎo)熱管。
      【具體實(shí)施方式】
      :
      [0017]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方案:
      [0018]—種提尚鑄徒合格率的保溫結(jié)構(gòu),如圖1?圖3所不,包括石墨側(cè)板1、石墨底板
      2、熱交換平臺(tái)3和保溫層4,石墨側(cè)板I設(shè)置在坩禍的四周,石墨底板2設(shè)置在坩禍的底端面,熱交換平臺(tái)3設(shè)置在石墨底板2的底端面上,在熱交換平臺(tái)3的四周設(shè)置有厚度為40mm的石墨保溫層4,在保溫層4與熱交換平臺(tái)3的接觸面41上等間距開有截面形狀為半圓形的垂直定向散熱槽42,在保溫層4的垂直定向散熱槽42的下方可拆卸的安裝有導(dǎo)熱管43,保溫層4的底邊與熱交換平臺(tái)3的底邊平行。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),包括石墨側(cè)板(I)、石墨底板(2)和熱交換平臺(tái)(3),石墨側(cè)板(I)設(shè)置在坩禍的四周,石墨底板(2)設(shè)置在坩禍的底端面,熱交換平臺(tái)(3)設(shè)置在石墨底板(2)的底端面上,其特征是:在熱交換平臺(tái)(3)的四周設(shè)置有保溫層(4),在保溫層(4)與熱交換平臺(tái)(3)的接觸面(41)上開有若干垂直定向散熱槽(41)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),其特征是:在保溫層(4)與熱交換平臺(tái)(3)的接觸面上等間距開有若干垂直定向散熱槽(42)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),其特征是:所述垂直定向散熱槽(42)的截面形狀為矩形、半圓形或三角形。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),其特征是:在保溫層(4)的垂直定向散熱槽(42)的下方可拆卸的安裝有導(dǎo)熱管(43)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),其特征是:所述保溫層(4)為石墨保溫層。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),其特征是:保溫層(4)的底邊與熱交換平臺(tái)(3)的底邊平行,保溫層(4)的厚度為40_。
      【專利摘要】一種提高鑄錠合格率的保溫結(jié)構(gòu),包括石墨側(cè)板、石墨底板、熱交換平臺(tái)和保溫層,石墨側(cè)板設(shè)置在坩堝的四周,石墨底板設(shè)置在坩堝的底端面,熱交換平臺(tái)設(shè)置在石墨底板的底端面上,在熱交換平臺(tái)的四周設(shè)置有保溫層,在保溫層與熱交換平臺(tái)的接觸面上開有若干垂直定向散熱槽。由于在熱交換平臺(tái)的四周設(shè)置有保溫層,可以改善熱場(chǎng)設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致的晶體晶向傾斜問題,極大地減緩熱交換平臺(tái)的垂直面向四周散熱降溫,使晶體生長(zhǎng)時(shí)的晶向趨于豎直以及達(dá)到均勻定向散熱排雜的效果,同時(shí)改善垂直方向上的溫度等溫線波動(dòng)過大導(dǎo)致的固液分界面的嚴(yán)重上凸現(xiàn)象,進(jìn)而達(dá)到縮短鑄錠周期、提高鑄錠爐產(chǎn)能的目的,平均一爐可以節(jié)約10小時(shí),給生產(chǎn)節(jié)約成本,降低能耗。
      【IPC分類】C30B28-06, C30B29-06
      【公開號(hào)】CN104562188
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410821776
      【發(fā)明人】王德明, 談軍, 孫修柱, 劉榮建, 丁海濤
      【申請(qǐng)人】國(guó)電兆晶光電科技江蘇有限公司
      【公開日】2015年4月29日
      【申請(qǐng)日】2014年12月25日
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