的簡便制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提出一種AgBi (WO4)2的簡便制備方法，屬于無機材料合成領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體材料由于在環(huán)境凈化、太陽能以及光制氫中的廣泛應(yīng)用得到了人們的密切關(guān)注。近年來，我們研宄小組發(fā)現(xiàn)，AgBi (WO4)2作為一種半導(dǎo)體材料，與Bi2WO6復(fù)合后，可以獲得高效的可見光催化性能。然而，有關(guān)AgBi (WO4)2純物質(zhì)的制備方法非常欠缺，目前報道只有一篇高溫固相的方法(P.V.Klevtsov, A.P.Perepelitsa and R.F.Klevtsova, Zh.Neorg.Khim.，1983，28，645-649)，需要700攝氏度以上的高溫煅燒十幾個小時以上，耗能大、耗時長。因此，開發(fā)更加溫和簡便的制備方法，對于獲得AgBi (WO4)2純物質(zhì)、拓展其應(yīng)用是重要的。
[0003]經(jīng)過長期的實驗探索，本發(fā)明提出了一種簡便的AgBi (WO4)2制備方法，目前無任何相關(guān)研宄報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種AgBi (WO4)2制備方法，本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0005]將1mmol硝酸銀溶解在30mL的氫氧化鈉溶液(ImM)中，滴加40mL 2 %的氨水溶液，攪拌30min，得到溶液A ;在含有1mmol的硝酸鉍的燒杯中加入1mL 36%的乙酸溶液，攪拌30min，得到溶液B ;將50mL NaOH滴加入30mL含有20mmol鎢酸鈉的水溶液中，攪拌30min，隨后將溶液A和B同時滴加入上述溶液中，有白色沉淀生成；攪拌I小時后將得到的沉淀洗滌，烘干，在400°C下煅燒5小時，粉末為AgBi (WO4) 2。
[0006]本發(fā)明的顯著特點:
[0007](I)AgBi (WO4)2純度高，無銀單質(zhì)和鎢酸鉍雜質(zhì)。
[0008](2) AgBi (WO4)2制備方法簡便，相比高溫固相法，溫度低、耗時少，節(jié)能環(huán)保，所需原料對環(huán)境友好，合成方法簡單。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明所得產(chǎn)品的XRD圖譜，與標(biāo)準(zhǔn)卡片TOF 37-0102完全吻合。
【主權(quán)項】
1.一種AgBi (WO 4)2的簡便制備方法，其特征在于通過以下步驟實現(xiàn): 將1mmol硝酸銀溶解在30mL的氫氧化鈉溶液(ImM)中，滴加40mL 2 %的氨水溶液，攪拌30min，得到溶液A ;在含有1mmol的硝酸鉍的燒杯中加入1mL 36%的乙酸溶液，攪拌30min，得到溶液B ;將50mL NaOH滴加入30mL含有20mmol鎢酸鈉的水溶液中，攪拌30min，隨后將溶液A和B同時滴加入上述溶液中，有白色沉淀生成；攪拌I小時后將得到的沉淀洗滌，烘干，在400°C下煅燒5小時，粉末為AgBi (WO4)2O
【專利摘要】本發(fā)明提出一種AgBi(WO4)2的簡便制備方法，屬于無機材料合成領(lǐng)域。半導(dǎo)體材料由于在環(huán)境凈化、太陽能以及光制氫中的廣泛應(yīng)用得到了人們的密切關(guān)注。AgBi(WO4)2作為一種半導(dǎo)體材料，與其它半導(dǎo)體復(fù)合后，可以獲得高效的可見光催化性能。然而，有關(guān)AgBi(WO4)2純物質(zhì)的制備方法非常欠缺，傳統(tǒng)方法需要高溫煅燒十幾個小時以上，耗能大、耗時長。因此，開發(fā)更加溫和簡便的制備方法，對于獲得AgBi(WO4)2純物質(zhì)、拓展其應(yīng)用是重要的。本發(fā)明提出的AgBi(WO4)2純物質(zhì)的簡便制備方法，制備條件溫和、過程簡便，產(chǎn)品純度高，為拓展該類物質(zhì)的應(yīng)用提供了堅實的基礎(chǔ)。
【IPC分類】C01G41/00
【公開號】CN104986803
【申請?zhí)枴緾N201510351841
【發(fā)明人】董玉明, 楊美芳, 喬雪, 張會珍, 葛澤柯, 申銳
【申請人】江南大學(xué)
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月23日