鋁納米孔基底上合成了 CuCl2納米花狀薄膜，該納米花薄膜接觸角小于5°，為超親水材料。
[0047]實施例2:
[0048]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，包括以下步驟:
[0049]步驟1:采用二次陽極氧化法，對高純度(99.99% )的金屬鋁薄膜，利用濃度為0.3mol/L的草酸溶液，溫度5°C，電壓40V，氧化3h，制備有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板，有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔；
[0050]步驟2:以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板為基底，在其上表面沉滴濃度為20mg/L的CuCl2溶液。
[0051]步驟3:封閉樣品，在10°C密閉環(huán)境中保存280h，通過自組織得到基于氧化鋁基底的CuCIjft米薄膜材料。該基于氧化招基底的CuCl 2納米薄膜材料的面積任意，形貌可控。表征結(jié)果與實施例1相同。
[0052]實施例3:
[0053]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，包括以下步驟:
[0054]步驟1:采用二次陽極氧化法，對高純度(99.99% )的金屬鋁薄膜，利用濃度為0.3mol/L的草酸溶液，溫度5°C，電壓40V，氧化3h，制備有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板，有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔；
[0055]步驟2:以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板為基底，在其上表面沉滴濃度為100mg/L的CuCl2溶液。
[0056]步驟3:封閉樣品，在35°C密閉環(huán)境中保存150h，通過自組織得到基于氧化鋁基底的CuCIjft米薄膜材料。該基于氧化招基底的CuCl 2納米薄膜材料的面積任意，形貌可控。表征結(jié)果與實施例1相同。
[0057]實施例4:
[0058]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程與實施例1相同，區(qū)別僅僅在于，
[0059]在步驟I之前，采用磁控濺射方法，在拋光的硅片表面蒸鍍一層鋁薄膜；厚度:10nm ?2000nm。
[0060]然后將該帶鋁薄膜的硅片按照步驟I至3的過程進行處理，最終得到基于硅基底的CuCIjft米薄膜材料。
[0061]實施例5:
[0062]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程與實施例1相同，區(qū)別僅僅在于，在步驟I之前，采用熱蒸鍍方法，在導(dǎo)電玻璃氧化銦錫ITO表面蒸鍍一層招薄膜，厚度:10nm?2000nm。
[0063]然后將該帶硅片的鋁薄膜按照步驟I至3的過程進行處理，最終得到基于ITO基底的cuci2m米薄膜材料。
[0064]實施例6:
[0065]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程與實施例1相同，區(qū)別僅僅在于，在步驟I之后，采用旋涂法，以具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁為模板制備出PMMA納米柱陣列，然后以PMMA納米柱陣列為基底，按照步驟2和3的過程進行處理，最終得到基于PMMA基底的&1(:12納米薄膜材料。
[0066]實施例7:
[0067]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程與實施例1相同，區(qū)別僅僅在于，基底為利用納米壓印的方法制備出的PC、PS、PDMS等聚合物材料的納米柱/孔陣列，按照步驟2和3的過程進行處理，最終得到基于PMMA基底的CuCIjfi米薄膜材料。
[0068]實施例8至12:
[0069]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程與實施例1相同，區(qū)別僅僅在于，所述的金屬氯化物水溶液分別為CdCl2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl4溶液，通過步驟I至3的方法最終自組織得到基于氧化鋁基底的CdCl 2、SnCl2, FeCl3或11(:14納米薄膜材料。
[0070]實施例13:
[0071]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，包括以下步驟:
[0072]步驟1:采用二次陽極氧化法，對高純度(99.99% )的金屬鋁薄膜，利用濃度為0.3mol/L的草酸溶液，溫度5°C，電壓40V，氧化3h，制備有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板，有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔；
[0073]步驟2:以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板為基底，在其上表面沉滴濃度為1mM的ZnCl2溶液。
[0074]步驟3:封閉樣品，在20°C密閉環(huán)境中保存240h，通過自組織得到基于氧化鋁基底的CuCIjft米薄膜材料。該基于氧化招基底的ZnCl 2納米薄膜材料的面積任意，形貌可控。表征結(jié)果如圖5至圖7所不。
[0075]實施例14:
[0076]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，包括以下步驟:
[0077]步驟1:采用二次陽極氧化法，對高純度(99.99% )的金屬鋁薄膜，利用濃度為0.3mol/L的草酸溶液，溫度5°C，電壓40V，氧化3h，制備有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板，有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔；
[0078]步驟2:以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板為基底，在其上表面沉滴濃度為5mM的ZnCl2溶液。
[0079]步驟3:封閉樣品，在35°C密閉環(huán)境中保存150h，通過自組織得到基于氧化鋁基底的CuCIjft米薄膜材料。該基于氧化招基底的ZnCl 2納米薄膜材料的面積任意，形貌可控。
[0080]實施例15:
[0081]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，包括以下步驟:
[0082]步驟1:采用二次陽極氧化法，對高純度(99.99% )的金屬鋁薄膜，利用濃度為0.3mol/L的草酸溶液，溫度5°C，電壓40V，氧化3h，制備有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板，有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔；
[0083]步驟2:以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的具有陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的氧化鋁模板為基底，在其上表面沉滴濃度為ImM的ZnCl2溶液。
[0084]步驟3:封閉樣品，在10°C密閉環(huán)境中保存280h，通過自組織得到基于氧化鋁基底的CuCIjft米薄膜材料。該基于氧化招基底的ZnCl 2納米薄膜材料的面積任意，形貌可控。表征結(jié)果如圖5至圖7所不。
[0085]實施例16至19:
[0086]本實施例給出一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其它過程實施例16與實施例4相同，實施例17與實施例5相同，實施例18與實施例6相同，實施例19與實施例7相同，區(qū)別僅僅在于，所述的金屬氯化物水溶液均為1mM的ZnCl2溶液，通過步驟I至3的方法最終自組織得到基于各種對應(yīng)基底的ZnCIjfi米薄膜材料。
【主權(quán)項】
1.一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，其特征在于:該方法采用的基底為有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的基底，在基底上沉滴金屬氯化物水溶液，在常溫密封或半密封的保存條件下得到納米薄膜材料。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的有序規(guī)則結(jié)構(gòu)為陣列式分布的納米孔或陣列式分布的納米柱。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的基底為氧化鋁、鍍氧化鋁膜的硅片或鍍氧化鋁膜的ITO;所述的陣列式分布的納米柱結(jié)構(gòu)的基底為 PMMA、PC、PS 或 PDMS。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于:所述的陣列式分布的納米孔結(jié)構(gòu)的基底通過二次陽極氧化法合成。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的金屬氯化物水溶液為CuCl2溶液、CdCl2溶液、ZnCl 2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl 4溶液。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述的金屬氯化物水溶液為CuCl2溶液、CdCl2溶液、ZnCl 2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl 4溶液時，金屬氯化物水溶液的濃度范圍為 20mg/L ?100mg/L。7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述的金屬氯化物水溶液為ZnCl2溶液時，金屬氯化物水溶液的濃度范圍為ImM?10mM。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的密封或半密封保存時間在常溫環(huán)境下不小于150小時。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種金屬氯化物納米薄膜材料的制備方法，該方法以有序規(guī)則結(jié)構(gòu)的基底，在基底上沉滴金屬氯化物水溶液，在常溫密封或半密封的保存條件下得到納米薄膜材料。本發(fā)明制備的納米薄膜材料物理化學(xué)性能穩(wěn)定，制備方法簡單，不用高溫焙燒即可得到納米花形貌的薄膜材料，適宜大批量、大面積生產(chǎn)，可為科學(xué)研究以及工農(nóng)業(yè)應(yīng)用提供一種有效的批量化制備新途徑。
【IPC分類】C01G3/05, B82Y30/00, C03C17/34, C01G9/04, C08J7/04
【公開號】CN105110361
【申請?zhí)枴緾N201510458467
【發(fā)明人】王凱歌, 任軍營, 武建國, 魏洪鐸, 張琛, 孫聃, 白晉濤
【申請人】西北大學(xué)
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月30日