一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，涉及玻璃制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在光學(xué)玻璃的生產(chǎn)中，有時會需要生產(chǎn)大密度的光學(xué)玻璃，如含鉛的火石玻璃等，其密度大部分在4.2g/cm3以上。而目前廣泛使用的電氣混合加熱的瓷鉬連熔窯爐所采用的鋪底磚均為41#電熔鋯剛玉磚，其密度在3.85 g/cm3—4.10 g/cm3之間。這樣磚的密度小于所生產(chǎn)的玻璃的密度，生產(chǎn)過程中玻璃液在鼓泡器的作用下上下翻騰，一定爐齡期后可能導(dǎo)致中間的底磚發(fā)生懸浮錯位，導(dǎo)致所生產(chǎn)玻璃出現(xiàn)內(nèi)在瑕疵(如結(jié)石等)，從而影響窯爐的使用，縮短窯爐的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，將中部底磚設(shè)計成“凸”字形，利用其與邊部磚的咬合，將其壓住以防止其懸浮錯位。同時在其底部鋪有一層搗打料層，以防止底部磚縫被侵蝕后玻璃液出現(xiàn)滲漏，從而大大提高窯爐的使用壽命。
[0004]本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，粘土大磚層與電熔鋯剛玉底磚層之間鋪設(shè)有鋯質(zhì)搗打料層。所述電熔鋯剛玉底磚層為WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層，該電熔鋯剛玉磚層設(shè)有凸起。所述鋯質(zhì)搗打料層為含鋯64%的鋯質(zhì)搗打料層，厚度為10_。
[0005]所述WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層為7 ±夬，包括2塊P01型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P02型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P03型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、1塊P04型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層，所述P03型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、P04型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層為凸字形，所述P01型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、P02型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層靠內(nèi)側(cè)底部切角。
[0006]本發(fā)明一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層經(jīng)過特殊加工，將其設(shè)計成“凸”字形咬合，利用爐體自重壓緊咬合，防止其發(fā)生懸浮錯位。中間鋪設(shè)的鋯質(zhì)搗打料層在高溫下燒結(jié)形成整塊，防止玻璃從電熔鋯剛玉層磚縫滲漏。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明電熔鋯剛玉底磚層組裝示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]如圖1、圖2所示，一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，粘土大磚層1與電熔鋯剛玉底磚層3之間鋪設(shè)有鋯質(zhì)搗打料層2。所述電熔鋯剛玉底磚層3為WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層。所述鋯質(zhì)搗打料層2為含鋯64%的鋯質(zhì)搗打料層，厚度為10mm。
[0009]所述WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層為7 ±夬，包括2塊P01型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P02型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P03型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、1塊P04型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層。
[0010]所述P03型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、P04型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層為凸字形，底部高度為50mm，兩邊向內(nèi)切去25mm。
[0011]所述P01型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、P02型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層靠內(nèi)側(cè)底部切角，同樣向內(nèi)切去25mm，距離底部50mm。
【主權(quán)項】
1.一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，其特征在于，粘土大磚層(1)與電熔錯剛玉底磚層(3)之間鋪設(shè)有鋯質(zhì)搗打料層(2);所述電熔鋯剛玉底磚層(3)為WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層，該電熔鋯剛玉磚層設(shè)有凸起層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，其特征在于，所述鋯質(zhì)搗打料層(2)為含鋯64%的鋯質(zhì)搗打料層，厚度為10mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，其特征在于，所述WSZ-41型電熔鋯剛玉磚層為7塊，包括2塊P01型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P02型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、2塊P03型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層、1塊P04型WSZ —41型電熔鋯剛玉磚層，所述P03型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、P04型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層為凸字形，所述P01型WSZ - 41型電熔鋯剛玉磚層、P02型WSZ — 41型電熔鋯剛玉磚層靠內(nèi)側(cè)底部切角。
【專利摘要】一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，粘土大磚層與電熔鋯剛玉底磚層之間鋪設(shè)有鋯質(zhì)搗打料層。所述電熔鋯剛玉底磚層為WSZ－41型電熔鋯剛玉磚層。所述鋯質(zhì)搗打料層為含鋯64%的鋯質(zhì)搗打料層，厚度為10mm。本發(fā)明一種用于光學(xué)玻璃熔煉窯爐的鋪底，WSZ－41型電熔鋯剛玉磚層經(jīng)過特殊加工，將其設(shè)計成“凸”字形咬合，利用爐體自重壓緊咬合，防止其發(fā)生懸浮錯位。中間鋪設(shè)的鋯質(zhì)搗打料層在高溫下燒結(jié)形成整塊，防止玻璃從電熔鋯剛玉層磚縫滲漏。
【IPC分類】C03B5/42, C03B5/43
【公開號】CN105314820
【申請?zhí)枴緾N201410248844
【發(fā)明人】王鵬飛
【申請人】湖北戈碧迦光電科技股份有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年6月6日