耗值。將試驗(yàn)結(jié)果表 示于表1中。磨耗值是一種表示鐵氧體組合物的耐崩裂性的指標(biāo)，磨耗值越小則越是在耐 崩裂性方面表現(xiàn)優(yōu)異。在本實(shí)施例中磨耗值0. 50%以下為良好。
[0071] 還有，磨耗試驗(yàn)是以下述要領(lǐng)來實(shí)行的。首先，測定用于試驗(yàn)的3個(gè)圓柱狀樣品的 試驗(yàn)前的重量（W1)。接著，將3個(gè)圓柱狀樣品放入到在內(nèi)部具有阻擋板的直徑約10cm的容 器（pot)(磨耗試驗(yàn)機(jī)）。之后，在旋轉(zhuǎn)速度lOOrpm以及旋轉(zhuǎn)時(shí)間10分鐘的條件下使容器 (pot)旋轉(zhuǎn)。之后，測定3個(gè)圓柱狀樣品的重量（W2)。求取圓柱狀樣品的重量的減少率，將 所求得的值作為磨耗值。即，磨耗值由下述式（4)進(jìn)行計(jì)算。
[0072]磨耗值（％ ) = 100X(W1-W2)/W1(4)
[0073] 匹配厚度
[0074] 在將從上述的圓柱狀樣品切割加工成外徑19. 9mm;內(nèi)徑8. 7mm;厚度7mm的 環(huán)形形狀的樣品插入到同軸管內(nèi)的狀態(tài)下，使用網(wǎng)絡(luò)分析儀（Agilent8753C)，在室溫 (25土1°C)條件下測定各個(gè)實(shí)施例以及比較例的物性常數(shù)μ'r、μ'、ε'r、ε'。通過 將物性常數(shù)μμ'、εε'代入到式（1)從而求得標(biāo)準(zhǔn)化輸入阻抗（Ζιη)。
[0075] 將根據(jù)物性常數(shù)求得的標(biāo)準(zhǔn)化輸入阻抗（Ζιη)繪制于史密斯圓圖（Smithchart)。 繪制是將在通過史密斯圓圖的中心的時(shí)候即理論上在成為完全無反射的頻率存在的時(shí)候 的材料厚度d作為匹配厚度d。(mm)。在本實(shí)施例中，匹配厚度d。在5. 5mm以下為良好。
[0076] 反射衰減量
[0077] 關(guān)于各個(gè)實(shí)施例以及比較例，在將從上述的圓柱狀樣品切割加工成外徑19. 9mm; 內(nèi)徑8. 7mm;厚度d。(mm)的環(huán)形形狀的樣品插入到同軸管內(nèi)的狀態(tài)下，使用網(wǎng)絡(luò)分析儀 (Agilent8753C)，以室溫（25 ±1°C)條件測定在100MHz、200MHz、400MHz頻率下的反射系數(shù) So
[0078] 將所獲得的反射系數(shù)S代入到式（3)并計(jì)算出反射衰減量Ref(dB)。在本實(shí)施例 中，反射衰減量在100~400MHz的范圍內(nèi)如果是20.OdB以上即為良好。
[0079] 初始磁導(dǎo)率（1kHz)
[0080] 燒結(jié)上述的環(huán)形形狀（尺寸=外徑24mmX內(nèi)徑12mmX厚度6mm)的成形體并且 對于作為所獲得的上述燒結(jié)體的環(huán)形磁芯樣品使用LCR計(jì)，在室溫（25±1°C)條件下以頻 率1kHz來測定初始磁導(dǎo)率μi。
[0081][表1]
[0082]
[0083]如表1所示，在鐵氧體組合物中主成分Fe203和MnO以及ZnO的含量、副成分SiO2 以及CaO的含量在本發(fā)明的范圍內(nèi)，在此情況下（實(shí)施例1~20)能夠確認(rèn)到在lOOMhz~ 400MHz的頻帶，20.OdB以上的高的反射衰減量被維持。
[0084] 相對于此，如表1所示對于鐵氧體組合物來說在Fe203的含量小于規(guī)定范圍的情況 下（比較例1)，400MHz上的反射衰減量會惡化。另外，在ZnO的含量小于規(guī)定范圍的情況 下（比較例2)，100MHz上的反射衰減量會惡化。再有，在ZnO的含量大于規(guī)定范圍的情況 下（比較例3)，400MHz上的反射衰減量會惡化。另外，在Fe203的含量大于規(guī)定范圍的情況 下（比較例4)，100MHz上的反射衰減量會惡化。
[0085] 另外，對于鐵氧體組合物來說在3102的含量小于規(guī)定范圍的情況下（比較例5)以 及在CaO的含量小于規(guī)定范圍的情況下（比較例7)，100MHz~400MHz中的反射衰減量以 及磨耗值會惡化。在SiOj^含量大于規(guī)定范圍的情況下（比較例6)以及在CaO的含量大 于規(guī)定范圍的情況下（比較例8)，觀察到有異常粒子生長。
[0086] 再有，根據(jù)在Fe203= 43.Omol%的條件下只使ZnO的濃度變化的實(shí)施例5(ZnO= 17.Omol% )、實(shí)施例 6(ZnO= 18.Omol% )、實(shí)施例 7(ZnO= 18. 5mol% )，可以發(fā)現(xiàn)在使ZnO 的濃度降低的情況下，在頻率為400MHz條件下具有反射衰減量增加并且吸收特性提高的 傾向。
[0087] 另外，如表1所示對于鐵氧體組合物來說在以規(guī)定范圍添加Nb205的情況下（實(shí) 施例14~16)，100~400MHz中的反射衰減量比不添加Nb205的情況（實(shí)施例6)相對有 所提高。另外，通過以規(guī)定范圍添加Nb205從而就能夠?qū)⑵ヅ浜穸日{(diào)整到5. 0mm~5. 5_。 在以規(guī)定范圍添加V205的情況下（實(shí)施例17~19)，磨耗值比不添加V205的情況（實(shí)施例 6)相對有所提高。另外，通過以規(guī)定范圍添加V205從而就能夠?qū)⑵ヅ浜穸日{(diào)整到5.0_~ 5. 5mm。添加Nb205和V205雙方的情況（實(shí)施例20)與不添加Nb205和V205的情況（實(shí)施例 6)相比較，100~400MHz中的反射衰減量成為同等以上并且磨耗值提高。
[0088] 實(shí)驗(yàn)例2
[0089] 對于具有實(shí)施例 6(Fe203= 43.0mol%，ZnO= 18.0mol% )、實(shí)施例 8(Fe203 = 43. 5mol%，ZnO= 19.Omol% )、以及比較例 3 (Fe203= 45. 5mol%，ZnO= 20. 5mol% )的 組成和匹配厚度的燒結(jié)體試樣，一邊在10~1000MHz之間使頻率變化一邊測定反射衰減量 并且觀察反射衰減量的變化。除了頻率之外其余均以與實(shí)驗(yàn)例1相同的條件實(shí)行測定。測 定結(jié)果被表不于圖1中。
[0090] 根據(jù)圖1就可了解到如果使主成分Fe203以及ZnO的濃度降低，則表示反射衰減量 變化的曲線向高頻率側(cè)移動。于是，由于表示反射衰減量變化曲線向高頻率側(cè)移動而在頻 率400MHz上的反射衰減量會有所增加，并且吸收特性提高。
[0091] 實(shí)驗(yàn)例3
[0092] 從實(shí)驗(yàn)例1的實(shí)施例8以在1kHz上的初始磁導(dǎo)率變高的形式變更副成分量等來 獲得作為燒結(jié)體的環(huán)形磁芯樣品以及圓柱狀樣品Ref(dB)，測定匹配厚度以及磨耗值。將測 定結(jié)果表不于表2中。
[0093] [表 2]
[0094]
[0095] 比較例11所涉及的鐵氧體組合物其在頻率100MHz以及400MHz上的吸收特性遠(yuǎn) 低于20dB，磨耗值遠(yuǎn)大于0. 5%。因此，比較例11所涉及的鐵氧體組合物作為電波吸收體 用的鐵氧體組合物是不令人滿意的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電波吸收體用的鐵氧體組合物，其特征在于： 具有包含換算成Fe203為39. 0~45. Omol%的氧化鐵、換算成ZnO為16. 0~20.0 mol% 的氧化鋅并且剩余部分由氧化錳構(gòu)成的主成分， 相對于所述主成分100重量％，作為副成分至少含有換算成Si02S 50~200重量ppm的氧化硅、換算成CaO為200~2500重量ppm的氧化鈣。2. 如權(quán)利要求1所述的電波吸收體用的鐵氧體組合物，其特征在于： 作為副成分，含有換算成v205為50~500重量ppm的氧化釩。3.如權(quán)利要求1或者2所述的電波吸收體用的鐵氧體組合物，其特征在于： 作為副成分，含有換算成Nb205為50~500重量ppm的氧化鈮。4. 一種電波吸收體，其特征在于： 由權(quán)利要求1~3中任意一項(xiàng)所述的鐵氧體組合物構(gòu)成。5.如權(quán)利要求4所述的電波吸收體，其特征在于： 相對于100MHz電波的反射衰減量、相對于200MHz電波的反射衰減量以及相對于400MHz電波的反射衰減量全部都在20dB以上。6. 如權(quán)利要求4或5所述的電波吸收體，其特征在于： 匹配厚度為5. 5mm以下。7.如權(quán)利要求4或5所述的電波吸收體，其特征在于： 形成板狀的磚片形狀。
【專利摘要】本發(fā)明所涉及的電波吸收體用的鐵氧體組合物的特征為：具有包含換算成Fe2O3為39.0～45.0mol％的氧化鐵、換算成ZnO為16.0～20.0mol％的氧化鋅并且剩余部分由氧化錳構(gòu)成的主成分，相對于所述主成分100重量％作為副成分至少含有換算成SiO2為50～200重量ppm的氧化硅、換算成CaO為200～2500重量ppm的氧化鈣。
【IPC分類】C04B35/38
【公開號】CN105418061
【申請?zhí)枴緾N201510594334
【發(fā)明人】久保好弘, 渡邊雅彥, 高川建彌
【申請人】Tdk株式會社
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年9月17日