布線基板I。
[0071]以下，基于具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明，但是，本發(fā)明并不受以下的實(shí)施例的任何限定，可以在不改變其主旨的范圍進(jìn)行適當(dāng)變更后實(shí)施。
[0072](實(shí)施例1)
[0073]按照以質(zhì)量百分率表示計(jì)成為S12 70%,B2O3 28%,K2O 2%的方式調(diào)配玻璃原料，將玻璃原料投入鉑金坩禍中，使其在1600°C熔融，由此得到熔融玻璃。將熔融玻璃供給至經(jīng)水冷的2個(gè)旋轉(zhuǎn)輥間，將熔融玻璃延伸，由此得到膜狀的玻璃。
[0074]利用球磨機(jī)將如此得到的玻璃粉碎，得到平均粒徑2.2μπι的玻璃粉末。
[0075]在按照玻璃粉末45質(zhì)量份、平均粒徑為2.Ομπι的氧化鋁粉末30質(zhì)量份、平均粒徑為0.8μπι的硅鋅礦粉末25質(zhì)量份制備的混合粉末100質(zhì)量份中，混合聚乙烯丁縮醛(PVB) 15質(zhì)量份、鄰苯二甲酸芐基丁酯3質(zhì)量份、甲苯50質(zhì)量份，進(jìn)行混煉后，利用刮板法得到厚度150μm的生還片。
[0076]對(duì)生坯片進(jìn)行沖裁加工，得到直徑20.32cm(8英寸)的圓形生坯片成形體。接著，利用激光打孔機(jī)在該生坯片成形體中形成直徑ΙΟΟμπι、間隔500μπι的貫通孔，通過(guò)印刷埋入通孔導(dǎo)體。另外，通過(guò)印刷導(dǎo)電性糊劑來(lái)形成層間電極及電極墊。之后，將生坯片成形體層疊，再作為制約構(gòu)件，將由氧化鋁填料形成的氧化鋁生坯片層疊，制作層疊體。
[0077]接著，使層疊體在90°C、30MPa下熱壓接。之后，將層疊體在450°C進(jìn)行熱處理而脫脂后，使其在850°C燒結(jié)，得到燒結(jié)體。對(duì)所得的燒結(jié)體進(jìn)行研磨，從而除去制約構(gòu)件，制作厚度3.0mm的陶瓷布線基板。
[0078]所得到的陶瓷布線基板在-40?125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)為3.9ppm/°C，其為與半導(dǎo)體晶片的熱膨脹系數(shù)大致相同的值。
[0079]利用基于JISR1601 (2008)的方法測(cè)定得到的陶瓷布線基板的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為300MPa，具有充分的強(qiáng)度。
[0080]而且，將該陶瓷布線基板用于探針卡，利用該探針卡對(duì)半導(dǎo)體晶片在-40?+125°C的溫度范圍下進(jìn)行檢查，結(jié)果可以毫無(wú)問(wèn)題地檢查半導(dǎo)體晶片。
[0081 ](實(shí)施例2)
[0082]除以下幾點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制作陶瓷布線基板。
[0083]玻璃原料的組成以質(zhì)量百分率表示為S12 65%,B2O3 15%,CaO 16%,K2O 4%。
[0084]玻璃粉末的平均粒徑為2.Ομπι。
[0085]在按照玻璃粉末40質(zhì)量％、氧化鋁填料粉末25質(zhì)量％、硅鋅礦填料粉末35質(zhì)量％制備的混合粉末100質(zhì)量份中，混合甲基丙烯酸樹(shù)脂15質(zhì)量份、鄰苯二甲酸芐基丁酯3質(zhì)量份、甲苯50質(zhì)量份，進(jìn)行混煉后，利用刮板法得到厚度150μπι的生坯片。
[0086]所得到的陶瓷布線基板在-40?125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)為3.4ppm/°C，其為與半導(dǎo)體晶片的熱膨脹系數(shù)大致相同的值。
[0087]利用基于JISR1601(2008)的方法測(cè)定的陶瓷布線基板的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為280MPa，具有充分的強(qiáng)度。
[0088]而且，將該陶瓷布線基板用于探針卡，利用該探針卡對(duì)半導(dǎo)體晶片在-40?+125°C的溫度范圍下進(jìn)行檢查，結(jié)果可以毫無(wú)問(wèn)題地檢查半導(dǎo)體晶片。
[0089](比較例)
[0090]除以下幾點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制作陶瓷布線基板。
[0091 ]在按照玻璃粉末60質(zhì)量份、氧化招粉末40質(zhì)量份制備的混合粉末100質(zhì)量份中，混合聚乙烯丁縮醛(PVB) 15質(zhì)量份、鄰苯二甲酸芐基丁酯3質(zhì)量份、甲苯50質(zhì)量份，進(jìn)行混煉后，利用刮板法得到厚度150μπι的生坯片。
[0092]在-40?125°C的溫度范圍得到的陶瓷布線基板的熱膨脹系數(shù)為6.2ppm/°C，其為與半導(dǎo)體晶片的熱膨脹系數(shù)大致相同的值。
[0093]利用基于JISR1601 (2008)的方法測(cè)定得到的陶瓷布線基板的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為280MPa。
[0094]而且，將該陶瓷布線基板用于探針卡，利用該探針卡對(duì)半導(dǎo)體晶片在-40?+125°C的溫度范圍進(jìn)行檢查，結(jié)果因陶瓷布線基板的膨脹而無(wú)法正確地檢查半導(dǎo)體晶片。
[0095]符號(hào)說(shuō)明
[0096]1:陶瓷布線基板
[0097]10:陶瓷基板
[0098]1a:第一主面
[0099]1b:第二主面
[0100]11:陶瓷層
[0101]20:內(nèi)部導(dǎo)體
[0102]21:層間電極
[0103]22:通孔電極
[0104]31、32:電極墊
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陶瓷布線基板，其具備陶瓷基板和配置于所述陶瓷基板內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體， 所述陶瓷基板包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料， 所述第一陶瓷填料在-40°c?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)低于所述第二陶瓷填料在-40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)， 所述第二陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度高于所述第一陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，其中，所述第一陶瓷填料在_40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)為-8?+5ppm/°C， 所述第二陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為400?800MPa。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板包含3種以上的陶瓷填料， 在所述3種以上的陶瓷填料中，所述第一陶瓷填料在_40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)最低， 在所述3種以上的陶瓷填料中，各個(gè)陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度最高。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板由玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的陶瓷布線基板，其中，所述第一陶瓷填料為硅鋅礦填料，所述第二陶瓷填料為氧化鋁填料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷布線基板，其中，所述玻璃與所述氧化鋁填料及所述硅鋅礦填料的質(zhì)量比即所述玻璃:所述氧化鋁填料及所述硅鋅礦填料在30: 70?65: 35的范圍內(nèi)，所述氧化鋁填料與所述硅鋅礦填料的質(zhì)量比即所述氧化鋁填料:所述硅鋅礦填料在20:80?60:40的范圍內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陶瓷布線基板，其中，所述硅鋅礦填料的平均粒徑小于所述氧化鋁填料的平均粒徑。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的陶瓷布線基板，其中，所述玻璃為硼硅酸玻璃。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷布線基板，其中，所述玻璃以質(zhì)量％計(jì)包含S1260?80% ^B2O3 10 ?30 %、Li2ONa2OK2O I ?5% 及MgO+CaO+SrO+BaO O ?20%作為玻璃組成。10.根據(jù)權(quán)利要求1?9中任一項(xiàng)所述的陶瓷布線基板，其中，所述陶瓷基板在-40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以下。11.一種陶瓷布線基板用陶瓷生片，其包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料， 所述第一陶瓷填料在_40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)低于所述第二陶瓷填料在-40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)， 所述第二陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度高于所述第一陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。12.—種陶瓷布線基板用玻璃陶瓷粉末，其包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料，所述第一陶瓷填料在_40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)低于所述第二陶瓷填料在-40°C?+125°C的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)， 所述第二陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度高于所述第一陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。
【專利摘要】本發(fā)明的陶瓷布線基板(1)具備陶瓷基板(10)和內(nèi)部導(dǎo)體(20)。內(nèi)部導(dǎo)體(20)配置于陶瓷基板(10)內(nèi)。陶瓷基板(10)包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的溫度范圍下的熱膨脹系數(shù)。第二陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度高于第一陶瓷填料的3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。
【IPC分類】C04B35/16, C04B35/18, H05K1/03, C03C8/16, C03C3/089
【公開(kāi)號(hào)】CN105579418
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480051062
【發(fā)明人】馬屋原芳夫
【申請(qǐng)人】日本電氣硝子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2014年9月5日
【公告號(hào)】WO2015045815A1