一種低透低反雙銀low-e玻璃及其制備方法
【專利摘要】一種低透低反雙銀LOW?E玻璃及其制備方法，低透低反雙銀LOW?E玻璃包括玻璃基層，所述玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層。所述第一介質(zhì)層為Si3N4層，該第一介質(zhì)層的厚度為10nm～100nm。所述第二介質(zhì)層為TiO2層，該第二介質(zhì)層的厚度為10nm～100nm。所述第三介質(zhì)層為AZO層，該第三介質(zhì)層的厚度為5nm～30nm。所述第一功能層為Ag層，該第一功能層的厚度為5nm～15nm。本發(fā)明獲得的LOW?E玻璃具有較好的遮光性能，并且合成中空玻璃后，具有低透低反低遮陽系數(shù)和優(yōu)良的光學(xué)性能。
【專利說明】
一種低透低反雙銀LOW-E玻璃及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種低透低反雙銀L0W-E玻璃及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] L0W-E玻璃由于其良好的熱學(xué)性能被廣泛的應(yīng)用，隨著人們生活水平的逐步提高， 以及越來越嚴(yán)格的節(jié)能政策的頒布，普通的雙銀L0W-E玻璃已經(jīng)不能滿足許多地區(qū)對玻璃 節(jié)能方面的需求，特別是華東地區(qū)為了減少光污染，明確規(guī)定室外反射率不允許超過15%， 但同時(shí)又對遮陽系數(shù)有著極高的標(biāo)準(zhǔn)。然而，目前的L0W-E玻璃要想遮陽系數(shù)低，反射就會(huì) 很高，相反反射低，遮陽系數(shù)就會(huì)很高，對應(yīng)的玻璃的透光率也會(huì)很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的旨在提供一種低透光率、低反射率的低透低反雙銀L0W-E玻璃及其 制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。
[0004] 按此目的設(shè)計(jì)的一種低透低反雙銀L0W-E玻璃，包括玻璃基層，其結(jié)構(gòu)特征是所述 玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中 間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層。
[0005]進(jìn)一步，所述第一介質(zhì)層為Si3N4層，該第一介質(zhì)層的厚度為10nm~100nm〇 [0006]進(jìn)一步，所述第二介質(zhì)層為Ti〇2層，該第二介質(zhì)層的厚度為10nm~100nm〇 [0007]進(jìn)一步，所述第三介質(zhì)層為ΑΖ0層，該第三介質(zhì)層的厚度為5nm~30nm〇 [000 8]進(jìn)一步，所述第一功能層為Ag層，該第一功能層的厚度為5nm~15nm〇 [0009] 進(jìn)一步，所述第一阻擋層為NiCr層，該第一阻擋層的厚度為2nm~10nm。
[0010] 進(jìn)一步，所述中間干涉層為ZnSn層，該中間干涉層的厚度為10nm~100nm。
[0011] 所述平整層為ΑΖ0層，該平整層的厚度為5nm~30nm;第二功能層為Ag層，該第二功 能層的厚度為5nm~15nm;第二阻擋層為NiCr層，該第二阻擋層的厚度為2nm~10nm〇 [00 12]所述第四介質(zhì)層為Si3N4層，該第四介質(zhì)層的厚度為10nm~100nm。
[0013] -種低透低反雙銀L0W-E玻璃的制備方法，其特征是采用真空磁控濺射生產(chǎn)線制 備低透低反雙銀L0W-E玻璃，
[0014] 通過真空磁控濺射生產(chǎn)線在玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第 三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四 介質(zhì)層;制備時(shí)使用旋轉(zhuǎn)雙陰極十三個(gè)，平面單陰極四個(gè)，其中，
[0015] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的一號(hào)靶位和二號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第一介質(zhì) 層，一號(hào)靶位和二號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，祀材料為SiAl，派射工藝氣體為3*l(r 3mbar; 工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.5，成膜厚度為50nm;
[0016] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的三號(hào)靶位和四號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二介質(zhì) 層，三號(hào)靶位和四號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為TiO,濺射工藝氣體為3.1*10- 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1:1.2,成膜厚度為30nm;
[0017] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的五號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第三介質(zhì)層，五號(hào)靶位 采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為ΑΖ0,濺射工藝氣體為3.15*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例 為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm;
[0018] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的六號(hào)靶用于在玻璃基層上制備第一功能層，六號(hào)靶位采 用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成膜厚 度為3.5nm;
[0019] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的七號(hào)靶用于在玻璃基層上制備第一阻擋層，七號(hào)靶位采 用平面單陰極，靶材料為NiCr;濺射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成膜 厚度為6.2nm;
[0020] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位用于在玻 璃基層上制備中間干涉層，八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰 極，靶材料為ZnSn，濺射工藝氣體為3.5*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1: 1.2;成膜厚度為8511111;
[0021]真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十二號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備平整層，十二號(hào)靶位 采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZ0,濺射工藝氣體為3.18*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例 為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm;
[0022] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十三號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二功能層，十三號(hào) 靶位采用平面單陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛； 成膜厚度為8nm;
[0023] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十四號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二阻擋層，十四號(hào) 革巴位采用平面單陰極，祀材料為NiCr;派射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣 氛;成膜厚度為5 · 8nm;
[0024] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位用于在玻璃基層 上制備第四介質(zhì)層，十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為 SiAl，濺射工藝氣體為3.6*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.2，成膜厚度 為40nm。
[0025] 本發(fā)明中的玻璃基層上設(shè)置有鍍膜層，該鍍膜層包括玻璃基層上依次覆蓋有第一 介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能 層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層;其中，第一介質(zhì)層用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能； 第二介質(zhì)層用于提高膜層的致密性和折射率;第三介質(zhì)層用于阻擋玻璃表面的Na+對功能 層的破壞。平復(fù)銀層，鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率;第一功能層用于降低 輻射率;第一阻擋層用于提高耐磨性能；中間干涉層用于提高玻璃的折射率;平整層用于降 低輻射率;第二功能層用于降低輻射率;第二阻擋層用于提高膜層耐磨性、以及鋼化時(shí)抗高 溫氧化性;第四介質(zhì)層用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能;最終調(diào)試出的L0W-E玻璃的 顏色參數(shù)呈現(xiàn)低透低反淺藍(lán)灰色。
[0026] 本發(fā)明通過優(yōu)化材料以及氣體的配比，提供了一種新型膜系，公開了一種低透低 反雙銀L0W-E玻璃的制備方法，在降低透光率的同時(shí)將反射率作到很低，使得該產(chǎn)品既能滿 足反射率低、光污染低，又能夠使得玻璃具有較好的光學(xué)性能以及教低的遮陽系數(shù)。
[0027]綜上所述，本發(fā)明采用上述技術(shù)方案獲得的L0W-E玻璃具有較好的遮光性能，并且 合成中空玻璃后，具有低透低反低遮陽系數(shù)和優(yōu)良的光學(xué)性能。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的局部剖切不意圖。
[0029]圖2為本發(fā)明中的膜系結(jié)構(gòu)模擬圖表。
[0030]圖中：1為玻璃基層，2為第一介質(zhì)層，3為第二介質(zhì)層，4為第三介質(zhì)層，5為第一功 能層，6為第一阻擋層，7為中間干涉層，8為平整層，9為第二功能層，10為第二阻擋層，11為 第四介質(zhì)層。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
[0032] 參見圖1-圖2,本低透低反雙銀L0W-E玻璃，包括玻璃基層1，所述玻璃基層1上依次 覆蓋有第一介質(zhì)層2、第二介質(zhì)層3、第三介質(zhì)層4、第一功能層5、第一阻擋層6、中間干涉層 7、平整層8、第二功能層9、第二阻擋層10和第四介質(zhì)層11。
[0033] 膜系結(jié)構(gòu)為G las s-S i 3N4-T i 〇2-AZ〇-Ag-Ni Cr-ZnSn-AZ〇-Ag-Ni Cr-S i 3N4。
[0034] 在本實(shí)施例中，Glass為玻璃基層。玻璃輸送速度為3.5m/min。
[0035]所述第一介質(zhì)層2為Si3N4層，該第一介質(zhì)層2的厚度為10nm~100nm。第一介質(zhì)層2 通過交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl，其密度為96 %，其中，SiAl中的 Si:Al的質(zhì)量比為98:2。第一介質(zhì)層2用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能。
[0036] 在本實(shí)施例中，第一介質(zhì)層2厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、 40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、lOOnm 中的一種。 [0037]所述第二介質(zhì)層3為Ti〇2層，該第二介質(zhì)層3的厚度為lOnm~100nm。第二介質(zhì)層3 通過交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶后形成。第二介質(zhì)層3用于阻擋玻璃表面的Na+對功能層的 破壞、平復(fù)銀層以及提高玻璃的折射率。
[0038] 在本實(shí)施例中，第二介質(zhì)層3厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、 40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm 中的一種。 [0039]所述第三介質(zhì)層4為ΑΖ0層，該第三介質(zhì)層4的厚度為5nm~30nm。第三介質(zhì)層4通過 交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶后形成。第三介質(zhì)層4用于阻擋玻璃表面的Na+對功能層的破 壞、以及平復(fù)銀層，在鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率。
[0040] 在本實(shí)施例中，第三介質(zhì)層4厚度的優(yōu)選為5nm、10nm、15]1111、2〇11111、2511111、3〇111]1中的 一種。
[0041 ]所述第一功能層5為Ag層，該第一功能層5的厚度為5nm~15nm。第一功能層5通過 交流電源濺射形成，用于降低輻射率和提高玻璃的光學(xué)性能。
[0042]在本實(shí)施例中，第一功能層5厚度的優(yōu)選為5應(yīng)、611111、711111、811111、911111、1〇11111、1111111、 12nm、13nm、14nm、15nm 中的一種。
[0043] 所述第一阻擋層6為NiCr層，該第一阻擋層6的厚度為2nm~10nm。第一阻擋層6用 直流電源濺射、用氬氣濺射，相對以往的產(chǎn)品，提高本產(chǎn)品的耐磨性能。
[0044] 在本實(shí)施例中，第一阻擋層6厚度的優(yōu)選為2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、 10nm中的一種。
[0045]所述中間干涉層7為ZnSn層，該中間干涉層7的厚度為10nm~lOOnm。中間干涉層7 用于提高玻璃的折射率。
[0046] 在本實(shí)施例中，中間干涉層7厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、 40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、lOOnm 中的一種。
[0047] 所述平整層8為AZO層，該平整層8的厚度為5nm~30nm;平整層8采用中頻交流電源 濺射陶瓷Zn(或AZO)靶，為Ag層作鋪墊，用于降低輻射率。
[0048] 在本實(shí)施例中，平整層8厚度的優(yōu)選為5nm、10nm、15]1111、2〇11111、2511111、3〇111]1中的一種。
[0049] 第二功能層9為Ag層，該第二功能層9的厚度為5nm~15nm;第二功能層9通過交流 電源濺射形成，用于降低輻射率。
[0050]在本實(shí)施例中，第二功能層9厚度的優(yōu)選為5]1111、611111、711111、811111、911111、1〇11111、1111111、 12nm、13nm、14nm、15nm 中的一種。
[0051 ] 第二阻擋層10為NiCr層，該第二阻擋層10的厚度為2nm~10nm。第二阻擋層10采用 直流電源濺射、氬氣濺射氣體。第二阻擋層10用于提高膜層耐磨性、以及鋼化時(shí)抗高溫氧化 性。
[0052] 在本實(shí)施例中，第二阻擋層10厚度的優(yōu)選為2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、 10nm中的一種。
[0053]所述第四介質(zhì)層11為Si3N4層，該第四介質(zhì)層11的厚度為10nm~lOOnm。第四介質(zhì)層 11采用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl，密度96%，提高膜層的物理性 能和抗氧化性能，其中，SiAl中的Si :A1的質(zhì)量比為98:2。
[0054] 在本實(shí)施例中，第四介質(zhì)層11厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、 40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、lOOnm 中的一種。
[0055] 制備上述的產(chǎn)品時(shí)，可以采用下面的制備方法。
[0056] -種低透低反雙銀LOW-E玻璃的制備方法，是采用真空磁控濺射生產(chǎn)線制備低透 低反雙銀L0W-E玻璃，通過真空磁控濺射生產(chǎn)線在玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層2、第 二介質(zhì)層3、第三介質(zhì)層4、第一功能層5、第一阻擋層6、中間干涉層7、平整層8、第二功能層 9、第二阻擋層10和第四介質(zhì)層11;制備時(shí)使用旋轉(zhuǎn)雙陰極十三個(gè)，平面單陰極四個(gè)，
[0057]其中，真空磁控濺射生產(chǎn)線上的一號(hào)靶位和二號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第 一介質(zhì)層，一號(hào)靶位和二號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3* l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.5，成膜厚度為50nm;
[0058] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的三號(hào)靶位和四號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二介質(zhì) 層，三號(hào)靶位和四號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為TiO,濺射工藝氣體為3.1*10- 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1:1.2,成膜厚度為30nm;
[0059] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的五號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第三介質(zhì)層，五號(hào)靶 位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為ΑΖ0,濺射工藝氣體為3.15*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比 例為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm;
[0060] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的六號(hào)靶用于在玻璃基層1上制備第一功能層，六號(hào)靶位 采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成膜 厚度為3.5nm;
[0061] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的七號(hào)靶用于在玻璃基層1上制備第一阻擋層，七號(hào)靶位 采用平面單陰極，靶材料為NiCr;濺射工藝氣體為3*l(T3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成 膜厚度為6.2nm;
[0062]真空磁控濺射生產(chǎn)線上的八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位用于在玻 璃基層1上制備中間干涉層，八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙 陰極，靶材料為ZnSn，濺射工藝氣體為3.5*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1: 1.2;成膜厚度為8511111;
[0063]真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十二號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備平整層，十二號(hào)靶 位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為ΑΖ0,濺射工藝氣體為3.18*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比 例為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm;
[0064] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十三號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二功能層，十三 號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬氣 氛;成膜厚度為8nm;
[0065] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十四號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二阻擋層，十四 號(hào)靶位采用平面單陰極，祀材料為NiCr;派射工藝氣體為3*l(T 3mbar;工藝氣體成分為全氬 氣氛;成膜厚度為5 · 8nm;
[0066] 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位用于在玻璃基層 1上制備第四介質(zhì)層，十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料 為SiAl，濺射工藝氣體為3.6*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.2，成膜厚 度為40nm。
[0067] 至于真空磁控濺射生產(chǎn)線上其余部分，則與現(xiàn)有技術(shù)一樣，不再贅述。
[0068] 采用上述工藝參數(shù)設(shè)計(jì)出的玻璃顏色性能如下表1。
[0069] 表1
[0072] 最終調(diào)試出的玻璃顏色參數(shù)呈現(xiàn)低透低反淺藍(lán)灰色。
[0073] 從上述數(shù)據(jù)分析，該種顏色對應(yīng)的產(chǎn)品具有較好的遮光性能，并且合成中空玻璃 后，具有低透低反低遮陽系數(shù)，具有優(yōu)良的光學(xué)性能。
[0074]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變 化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其 等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種低透低反雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基層（1)，其特征是所述玻璃基層（1)上依次 覆蓋有第一介質(zhì)層(2)、第二介質(zhì)層(3)、第三介質(zhì)層(4)、第一功能層(5)、第一阻擋層(6)、 中間干涉層(7)、平整層(8)、第二功能層(9)、第二阻擋層(10)和第四介質(zhì)層(11)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第一介質(zhì)層（2)為 Si3N4層，該第一介質(zhì)層(2)的厚度為10nm~100nm。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第二介質(zhì)層(3)為Ti02 層，該第二介質(zhì)層(3)的厚度為10nm~100nm〇4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第三介質(zhì)層(4)為AZ0 層，該第三介質(zhì)層(4)的厚度為5nm~30nm〇5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第一功能層(5)為Ag 層，該第一功能層(5)的厚度為5nm~15nm〇6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第一阻擋層（6)為 NiCr層，該第一阻擋層(6)的厚度為2nm~10nm〇7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述中間干涉層（7)為 ZnSn層，該中間干涉層（7)的厚度為10nm~100nm〇8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述平整層(8)為AZ0層， 該平整層(8)的厚度為5nm~30nm;第二功能層(9)為Ag層，該第二功能層(9)的厚度為5nm~ 15nm;第二阻擋層（10)為NiCr層，該第二阻擋層（10)的厚度為2nm~10nm〇9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃，其特征是所述第四介質(zhì)層 (11)為Si3N4層，該第四介質(zhì)層（11)的厚度為10nm~100nm。10. -種如權(quán)利要求1所述的低透低反雙銀L0W-E玻璃的制備方法，其特征是采用真空 磁控濺射生產(chǎn)線制備低透低反雙銀L0W-E玻璃，通過真空磁控濺射生產(chǎn)線在玻璃基層（1)上 依次覆蓋有第一介質(zhì)層(2)、第二介質(zhì)層(3)、第三介質(zhì)層(4)、第一功能層(5)、第一阻擋層 (6)、中間干涉層(7)、平整層(8)、第二功能層(9)、第二阻擋層（10)和第四介質(zhì)層（11);制備 時(shí)使用旋轉(zhuǎn)雙陰極十三個(gè)，平面單陰極四個(gè)， 其中，真空磁控濺射生產(chǎn)線上的一號(hào)靶位和二號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備第一 介質(zhì)層，一號(hào)靶位和二號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3*10- 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.5，成膜厚度為50nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的三號(hào)靶位和四號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備第二介質(zhì) 層，三號(hào)靶位和四號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為TiO,濺射工藝氣體為3.1*10- 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1:1.2,成膜厚度為30nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的五號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備第三介質(zhì)層，五號(hào)靶位 采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZ0,濺射工藝氣體為3.15*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例 為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的六號(hào)靶用于在玻璃基層（1)上制備第一功能層，六號(hào)靶位采 用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成膜厚 度為3.5nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的七號(hào)靶用于在玻璃基層（1)上制備第一阻擋層，七號(hào)靶位采 用平面單陰極，靶材料為NiCr;濺射工藝氣體為3*l(T3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛;成膜 厚度為6.2nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位用于在玻璃基 層（1)上制備中間干涉層，八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰 極，靶材料為ZnSn，濺射工藝氣體為3.5*l(T 3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氧=1: 1.2;成膜厚度為8511111; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十二號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備平整層，十二號(hào)靶位 采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZO,濺射工藝氣體為3.18*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例 為氬:氧= 10:1;成膜厚度為l〇nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十三號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備第二功能層，十三號(hào) 靶位采用平面單陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*l(T3mbar;工藝氣體成分為全氬氣氛； 成膜厚度為8nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十四號(hào)靶位用于在玻璃基層（1)上制備第二阻擋層，十四號(hào) 革巴位采用平面單陰極，祀材料為NiCr;派射工藝氣體為3*l(T3mbar;工藝氣體成分為全氬氣 氛;成膜厚度為5 · 8nm; 真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位用于在玻璃基層（1) 上制備第四介質(zhì)層，十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為 SiAl，濺射工藝氣體為3.6*l(T3mbar;工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬:氮=1:1.2，成膜厚度 為40nm。
【文檔編號(hào)】C03C17/36GK105936590SQ201610529459
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年7月6日
【發(fā)明人】范亞軍, 周永文, 王印
【申請人】中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司