一種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚及其制備方法，包括坯體和釉層，所述釉層包括底釉和面釉，所述底釉施予所述坯體的表面，所述面釉施予所述底釉的表面；所述底釉在1100～1250℃下的粘度值為300～400Pa.s，所述面釉在1100～1250℃下的粘度值為150～250Pa.s。所述底釉粘度大，有效地封存氣體，阻止氣體的穿透，從而避免釉面針孔和釉泡的產(chǎn)生；所述面釉粘度小，流動性好，易于形成均勻光滑的釉面，防止釉面開裂的發(fā)生。因此，所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的防污性能高，裝飾效果好，可應(yīng)用于房屋內(nèi)外墻的鋪貼，也可用于浴室地板的鋪貼。
【專利說明】
-種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及建筑陶瓷領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 輕質(zhì)陶瓷磚具有多孔的海綿體結(jié)構(gòu)，密度小、隔音、隔熱等特點(diǎn)，是新一代節(jié)能環(huán) 保型的建筑陶瓷磚，在滿足裝飾需求的同時(shí)又不會增加樓面負(fù)重，因此得到了廣泛使用。但 輕質(zhì)陶瓷磚在燒制過程中產(chǎn)生大量氣體而使所述釉層很容易產(chǎn)生釉面針孔和釉泡等缺陷， 嚴(yán)重影響了輕質(zhì)陶瓷磚的外觀和防污性能?，F(xiàn)有采取二次燒成的方法，先通過巧體的素?zé)?排出大部分氣體，再上釉進(jìn)行二次燒制，雖可降低釉面針孔和釉泡等缺陷的發(fā)生率，但雖在 現(xiàn)有的輕質(zhì)陶瓷磚生產(chǎn)工藝上增加額外的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，加大了生產(chǎn)難度;而且，由于兩次燒制 溫度不同，在升溫過程中巧體會產(chǎn)生大量氣體，出現(xiàn)釉面針孔和釉泡等缺陷的可能性較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提出一種可一次燒成，解決釉面針孔、釉泡等缺陷的高防污的 輕質(zhì)陶瓷磚及其制備方法。
[0004] 為達(dá)此目的，本發(fā)明采用W下技術(shù)方案：
[0005] -種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，包括巧體和釉層，所述釉層包括底釉和面釉，所述底釉 施予所述巧體的表面，所述面釉施予所述底釉的表面；
[0006] 所述底釉在1100~1250 °C下的粘度值為300~400Pa.s，所述面釉在1100~1250 °C 下的粘度值為150~250Pa. S。
[0007] 優(yōu)選地，所述底釉的燒成溫度為1200°C~1300°C，所述面釉的燒成溫度為1000°C ~115(TC。
[000引優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述底釉的配方包括粘±5~25份、石英砂5~40份、高 嶺±5~35份、鐘長石0~30份、滑石5~30份和氧化侶1~5份。
[0009] 優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述面釉的配方包括球±5~25份，高嶺±5~35份，滑 石5~30份，鐘長石0~30份和石英砂4~35份。
[0010] 優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，所述巧體的配方包括粘±5~45份，高嶺±5~60份，城市 污泥0~30份，砂5~40份，石粉5~30份，陶瓷拋光廢料0~90份，建筑廢棄物0~90份，礦渣0 ~30份和煤渣0~30份。
[0011] 優(yōu)選地，所述底釉的厚度為20~60皿，所述面釉的厚度為50~200皿。
[0012] 優(yōu)選地，所述面釉為啞光釉、半啞光釉或高光釉。
[0013] 優(yōu)選地，所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，包括W下步驟，
[0014] 步驟1，制備巧體漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取粘±5~45份、高嶺±5~60份、城市污 泥0~30份、砂5~40份、石粉5~30份、陶瓷拋光廢料0~90份、建筑廢棄物0~90份、礦渣0~ 30份和煤渣0~30份，混合得巧體基料;再稱取分散劑0~2份和增強(qiáng)劑0~5份，混合得巧體 輔料;將所述巧體基料和所述巧體輔料混合，球磨制成巧體漿料；
[0015]步驟2,制備釉層漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取粘±5~25份、石英砂5~40份、高嶺 ±5~35份、鐘長石0~30份、滑石5~30份和氧化侶1~5份，再稱取分散劑0~2份，混合，球 磨制成所述底釉；
[0016] 按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取球±5~25份，高嶺±5~35份，滑石5~30份，鐘長石0~30 份和石英砂4~35份，再稱取分散劑0~2份，混合，球磨制成所述面釉；
[0017] 步驟3，巧體制備，將步驟1中的所述巧體漿料噴霧造粒，干壓成型而獲得所述巧 體;或者，將步驟1中的所述巧體漿料壓濾練泥，擠壓成型而獲得所述巧體；
[0018] 步驟4，干燥上釉，將步驟3中制的所述巧體在50~250°C下干燥1~化;然后在干燥 的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~30min;最后再在已施予所述底釉 的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min;
[0019] 步驟5，燒制步驟，將步驟4中已上釉的所述巧體在1100~1250°C下燒制30~ ISOmin，即可制得所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚。
[0020] 優(yōu)選地，所述步驟4還包括印花裝飾的步驟：
[0021] 首先，在干燥的所述巧體的表面印花;然后，再施予步驟2制得的所述底釉，干燥10 ~30min;最后施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min;
[0022] 或者，首先，在干燥的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~ 30min;然后，在已施予所述底釉的所述巧體的表面印花;最后施予步驟2制得的所述面釉， 干燥10~30min。
[0023] 優(yōu)選地，步驟1中所述巧體漿料的球磨時(shí)間為1~lOh，步驟2中所述底釉的球磨時(shí) 間為5~10化，步驟2中所述面釉的球磨時(shí)間為5~10化。
[0024] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚具有W下有益效果：
[0025] 1.高溫粘度大的所述底釉有效地封存氣體，阻止氣體的穿透和所述釉層上鼓，從 而避免釉面針孔和釉泡的產(chǎn)生。
[0026] 2 .低溫粘度小的所述面釉延展性好，讓所述釉層更加平整光滑，防止釉面開裂的 發(fā)生。
[0027] 3.所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚具有多孔的海綿體結(jié)構(gòu)，空隙多，運(yùn)是因?yàn)樗銮审w 配方中加入了發(fā)泡物質(zhì)，所述發(fā)泡物質(zhì)為含有大量碳化娃的陶瓷拋光廢料。所述高防污的 輕質(zhì)陶瓷磚的密度為0.8~1.8g/cm3,添加的陶瓷拋光廢料越多，所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚 的密度越小。所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚采用陶瓷拋光廢料為發(fā)泡物質(zhì)，實(shí)現(xiàn)廢棄物的資源 化綜合利用;而且，所述巧體的原料還包括各種建筑廢棄物、礦山尾礦、煤渣、城市污泥等無 機(jī)物料，實(shí)現(xiàn)廢棄資源的再生利用，具有重大的社會經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保效益。
[0028] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法具有W下有益效果：
[0029] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法為直接在所述巧體上釉，一次燒制完成，無 需對所述巧體進(jìn)行素?zé)?。運(yùn)是由于所述底釉的粘度和表面張力都較大，而且所述巧體的發(fā) 泡膨脹是均勻的，氣體無法沖破所述釉層，因此無需對所述巧體進(jìn)行素?zé)齺磉M(jìn)行早期排氣。 實(shí)現(xiàn)一次燒成，簡化所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備工藝，并直接沿用現(xiàn)有的建筑陶瓷生 產(chǎn)工藝進(jìn)行生產(chǎn)，無需增加額外的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，降低制備難度。
【附圖說明】
[0030] 附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明，但附圖中的內(nèi)容不構(gòu)成對本發(fā)明的任何限制。
[0031] 圖1是本發(fā)明其中一個實(shí)施例的斷面顯微結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[003引實(shí)施例一：
[0034] 本實(shí)施例的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，包括巧體和釉層，所述釉層包括底釉和面釉，所 述底釉施予所述巧體的表面，所述面釉施予所述底釉的表面;在1100~1250°C下，優(yōu)選為在 1200°C下，所述底釉的粘度值為300~400Pa. S，優(yōu)選為360Pa. S;在1100~1250°C下，優(yōu)選為 在1200°C下，所述面釉的粘度值為150~250Pa. S，優(yōu)選為210Pa. S。
[0035] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的所述釉層包括所述底釉和所述面釉，所述底釉為粘度 值大，有效地封存氣體，阻止氣體的穿透，從而避免釉面針孔和釉泡的產(chǎn)生;所述面釉粘度 值小，流動性好，易于形成均勻光滑的釉面，防止釉面開裂的發(fā)生。因此，所述高防污的輕質(zhì) 陶瓷磚的防污性能高，裝飾效果好，可應(yīng)用于房屋內(nèi)外墻的鋪貼，也可用于浴室地板的鋪 貼。
[0036] 優(yōu)選地，所述底釉的燒成溫度為1200°C~1300°C，優(yōu)選為1250°C，所述面釉的燒成 溫度為l〇〇〇°C~1150°C，優(yōu)選為1100°C。所述燒成溫度為釉料充分烙化并在巧體上鋪展成 具有要求性能的平滑優(yōu)質(zhì)釉面時(shí)的溫度。所述底釉高溫粘度大，表面張力大，可阻止所述釉 層上鼓；而所述面釉低溫粘度小，延展性好，讓所述釉層更加平整光滑。如圖1所示，所述底 釉將所述巧體表面的氣孔封住，由于高溫粘度大的所述底釉作用，沒有形成釉面針孔或釉 泡，釉面較為平整，從而使所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚具有優(yōu)良的防污性能。
[0037] 優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述底釉的配方包括粘±5~25份、石英砂5~40份、高 嶺±5~35份、鐘長石0~30份、滑石5~30份和氧化侶1~5份。所述底釉的侶娃、儀和鐘的含 量均較高而鋼的含量較少，大大增加了底釉的粘稠度，更好地封存氣體，阻止氣體的穿透， 避免釉面針孔和釉泡的產(chǎn)生，從而大大地提高所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的防污性能。
[0038] 優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述面釉的配方包括球±5~25份，高嶺±5~35份，滑 石5~30份，鐘長石0~30份和石英砂4~35份。
[0039] 優(yōu)選地，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，所述巧體的配方包括粘±5~45份，高嶺±5~60份，城市 污泥0~30份，砂5~40份，石粉5~30份，陶瓷拋光廢料0~90份，建筑廢棄物0~90份，礦渣0 ~30份和煤渣0~30份。所述巧體中的發(fā)泡物質(zhì)為含有大量碳化娃的陶瓷拋光廢料，實(shí)現(xiàn)廢 棄物的資源化綜合利用;而且，所述巧體的原料還包括各種建筑廢棄物、礦山尾礦、煤渣、城 市污泥等無機(jī)物料，實(shí)現(xiàn)廢棄資源的再生利用，具有重大的社會經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保效益。
[0040] 優(yōu)選地，所述底釉的厚度為20~60μπι，優(yōu)選為40μπι;所述面釉的厚度為50~200μπι， 優(yōu)選為130μπι。所述底釉為高溫粘度大的釉料，若厚度大的話燒制時(shí)容易使所述高防污的輕 質(zhì)陶瓷磚上翅，影響質(zhì)量。而所述面釉為低溫粘度小的釉料，厚度較大可使釉面更加平滑， 釉面針孔更少，防止釉面開裂的發(fā)生。而且，由于所述底釉的粘度高，可有效封存氣體，阻止 釉面上鼓，從而保證即使所述面釉的厚度僅為50~200μπι，也不會產(chǎn)生釉面缺陷，因此所述 高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的所述釉層薄，既降低了生產(chǎn)成本，又不會因所述釉層薄而產(chǎn)生釉面 缺陷，或平滑度降低的發(fā)生。
[0041] 優(yōu)選地，所述面釉為啞光釉、半啞光釉或高光釉，使所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的適 用范圍更為寬廣，滿足不同裝飾使用要求。
[0042] 優(yōu)選地，所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，其特征在于:包括W下步驟， [0043 ]步驟1，制備巧體漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取粘±5~45份、高嶺±5~60份、城市污 泥0~30份、砂5~40份、石粉5~30份、陶瓷拋光廢料0~90份、建筑廢棄物0~90份、礦渣0~ 30份和煤渣0~30份，混合得巧體基料;再稱取分散劑0~2份和增強(qiáng)劑0~5份，混合得巧體 輔料;將所述巧體基料和所述巧體輔料混合，球磨制成巧體漿料；
[0044] 步驟2,制備釉層漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取粘±5~25份、石英砂5~40份、高嶺 ±5~35份、鐘長石0~30份、滑石5~30份和氧化侶1~5份，再稱取分散劑0~2份，混合，球 磨制成所述底釉；
[0045] 按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取球±5~25份，高嶺±5~35份，滑石5~30份，鐘長石0~30 份和石英砂4~35份，再稱取分散劑0~2份，混合，球磨制成所述面釉；
[0046] 步驟3，巧體制備，將步驟1中的所述巧體漿料噴霧造粒，干壓成型而獲得所述巧 體;或者，將步驟1中的所述巧體漿料壓濾練泥，擠壓成型而獲得所述巧體；
[0047] 步驟4，干燥上釉，將步驟3中制的所述巧體在50~250°C下干燥1~化;然后在干燥 的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~30min;最后再在已施予所述底釉 的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min;
[004引步驟5，燒制步驟，將步驟4中已上釉的所述巧體在1100~1250°C下燒制30~ ISOmin，即可制得所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚。
[0049] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法為直接在所述巧體上釉，一次燒制完成，無 需對所述巧體進(jìn)行素?zé)?。運(yùn)是由于所述底釉的粘度和表面張力都較大，而且所述巧體的發(fā) 泡膨脹是均勻的，氣體無法沖破所述釉層，因此無需對所述巧體進(jìn)行素?zé)齺磉M(jìn)行早期排氣。 所述增強(qiáng)劑可為簇甲基纖維素，所述分散劑可為Ξ聚憐酸鋼。步驟4中采用噴釉方式給所述 巧體上釉，向所述巧體連續(xù)噴所述底釉2~3次，然后向所述巧體連續(xù)噴所述面釉6~8次，由 于所述釉層的厚度要求達(dá)到微米級，使用噴釉方式上釉可滿足此要求，保證所述底釉和所 述面釉的厚度僅有幾十微米。所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法實(shí)現(xiàn)一次燒成，簡化輕 質(zhì)陶瓷磚的制備工藝，并直接沿用現(xiàn)有的建筑陶瓷生產(chǎn)工藝進(jìn)行生產(chǎn)，無需增加額外的生 產(chǎn)環(huán)節(jié)，降低制備難度。
[0050] 優(yōu)選地，所述步驟4還包括印花裝飾的步驟：
[0051] 首先，在干燥的所述巧體的表面印花;然后，再施予步驟2制得的所述底釉，干燥10 ~30min;最后施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min;
[0052] 或者，首先，在干燥的所述巧體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~ 30min;然后，在已施予所述底釉的所述巧體的表面印花;最后施予步驟2制得的所述面釉， 干燥10~30min。
[0053] 由于所述底釉和所述面釉均為透明釉料，因此可根據(jù)不同的生產(chǎn)要求選擇在所述 巧體表面或所述底釉表面進(jìn)行印花，所述印花方式為噴墨打印、絲網(wǎng)印刷或滾筒印刷中的 一種，印花靈活性強(qiáng)。
[0054] 優(yōu)選地，步驟1中所述巧體漿料的球磨時(shí)間為1~lOh，步驟2中所述底釉的球磨時(shí) 間為5~10化，步驟2中所述面釉的球磨時(shí)間為5~10化。
[0055] 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚具有雙層釉結(jié)構(gòu)，分別為高溫、不透氣、粘度大的所述底 釉和低溫粘度小的所述面釉，可一次燒成，釉面平整，沒有釉面針孔和釉泡，防污性能高、裝 飾效果好、表面硬度高、抗折強(qiáng)度高，可應(yīng)用于房屋內(nèi)外墻的鋪貼，也可用于浴室地板的鋪 貼。
[0056] 實(shí)施例二：
[0057] 本實(shí)施例的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，包括W下步驟：
[005引步驟1，制備巧體漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取粘± 15份、砂10份、高嶺± 12份、石粉6 份、建筑廢棄物20份，拋光廢料30份、礦渣15份、煤渣20份和簇甲基纖維素2份，混合，按料： 球:水=1: 2:0.5，球磨化制備出泥漿，噴霧造粒，壓制成型，在200°C下干燥1.化，制得所述 巧體。
[0059 ]步驟2，制備底釉，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取粘± 15份、石英砂15份、高嶺±27份、鐘長 石18份、滑石24.5份、氧化侶0.5份和Ξ聚憐酸鋼0.5份，混合，按料:球:水=1:2:1，球磨4她 制備出所述底釉。
[0060] 步驟3,制備面釉，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取球±15份，高嶺±13份，滑石20份，鐘長石 22份，石英砂30份和Ξ聚憐酸鋼0.5份，混合，按料:球：水=1: 2:1，球磨4她制備出所述面 釉。
[0061] 步驟4,印花上釉，首先，在干燥的所述巧體的表面噴墨印花;然后，采用噴釉方式 給所述巧體上釉，向所述巧體連續(xù)噴所述底釉2次，干燥15min;最后向所述巧體連續(xù)噴所述 面釉7次，干燥15min。
[0062] 步驟5，燒制步驟，將步驟4中已上釉的所述巧體在1200°C下燒制lOOmin，即可制得 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚。
[0063] 測試實(shí)驗(yàn)及數(shù)據(jù)：
[0064] -、防污及磚體基本性能：
[0065] 制得的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚經(jīng)滴墨處理后無明顯痕跡，防污性能好，體積密 度0.94g/cm3,抗折強(qiáng)度8.5MPa，導(dǎo)熱系數(shù)0.24W/m · K，空氣隔音量45化。
[0066] 二、耐酸堿性能：
[0067] 對制得的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚按GB/T4100-2006國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行耐酸耐堿測 試，測試結(jié)果如表1所示：
[006引
[0069] 表 1
[0070] Ξ、酸堿腐蝕后的防污性能及磚體基本性能：
[0071] 對上述經(jīng)過耐酸堿性能測試的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，經(jīng)滴墨處理后仍然無明 顯痕跡，酸堿腐蝕后的防污性能未見下降，體積密度〇.93g/cm3,抗折強(qiáng)度8.2MPa，導(dǎo)熱系數(shù) 0.25W/m · K，空氣隔音量44化。
[0072] 測試結(jié)果表明，本實(shí)施例的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的耐酸耐堿性能好，具有較 好的抗腐蝕性能。
[0073] 實(shí)施例
[0074] 本實(shí)施例的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，包括W下步驟：
[0075] 步驟1，制備巧體漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取粘±15份、砂15份、城市污泥22份、石粉 21份、建筑廢棄物20份、礦渣12份、煤渣20份、陶瓷拋光廢料60份和簇甲基纖維素2份，混合， 按料:球:水=1:2:0.5，球磨化制備出泥漿，噴霧造粒，壓制成型，在200°C下干燥1.化，制得 所述巧體。
[0076] 步驟2，制備底釉，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取粘± 15份、石英砂15份、高嶺±27份、鐘長 石18份、滑石24.5份、氧化侶0.5份和Ξ聚憐酸鋼0.5份，混合，按料:球:水=1:2:1，球磨4她 制備出所述底釉。
[0077] 步驟3,制備面釉，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取球±15份，高嶺±13份，滑石20份，鐘長石 22份，石英砂30份和Ξ聚憐酸鋼0.5份，混合，按料:球：水=1: 2:1，球磨4她制備出所述面 釉。
[0078] 步驟4,印花上釉，首先，在干燥的所述巧體的表面噴墨印花;然后，采用噴釉方式 給所述巧體上釉，向所述巧體連續(xù)噴所述底釉2次，干燥15min;最后向所述巧體連續(xù)噴所述 面釉7次，干燥15min。
[0079] 步驟5，燒制步驟，將步驟4中已上釉的所述巧體在1200°C下燒制lOOmin，即可制得 所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚。
[0080] 測試實(shí)驗(yàn)及數(shù)據(jù)：
[0081 ] -、防污及磚體基本性能：
[0082] 制得的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚經(jīng)滴墨處理后無明顯痕跡，防污性能好，體積密 度0.88g/cm3,抗折強(qiáng)度7.2MPa，導(dǎo)熱系數(shù)0.21W/m · K，空氣隔音量49化。
[0083] 二、耐酸堿性能：
[0084] 對制得的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚按GB/T4100-2006國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行耐酸耐堿測 試，測試結(jié)果如表2所示：
[0085]
[0087]表 2
[0088] Ξ、酸堿腐蝕后的防污性能及磚體基本性能：
[0089] 對上述經(jīng)過耐酸堿性能測試的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，經(jīng)滴墨處理后仍然無明 顯痕跡，酸堿腐蝕后的防污性能未見下降，體積密度0.90g/cm3,抗折強(qiáng)度7.1MPa，導(dǎo)熱系數(shù) 0.22W/m · K，空氣隔音量47化。
[0090] 測試結(jié)果表明，本實(shí)施例的所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的耐酸耐堿性能好，具有較 好的抗腐蝕性能。
[0091] 對比實(shí)施例一：
[0092] 本對比實(shí)施例的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，包括W下步驟：
[0093] 步驟1，制備巧體漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取瓷砂34份、粘±25份、石灰石粒8份、娃 灰石粒10份、釉面磚污泥渣7份、陶瓷拋光廢渣35份和水玻璃1份，混合，按料:球:水=1:2: 0.5,球磨化制備出泥漿，噴霧造粒，壓制成型，在200°C下干燥1.化，制得所述巧體。
[0094] 步驟2，制備釉料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取鋼長石9份，滑石6份，氧化鋒2份，石英粉 12份，氧化侶1份，龍巖±7份，高嶺±15份，簇甲基纖維素鋼0.5份和Ξ聚憐酸鋼0.25份，混 合，按料:球:水=1:2:1，球磨48h制備出所述釉料。
[00M] 步驟3，向所述巧體的表面施予所述釉料，干燥15min，在1200°C下燒制lOOmin，即 可制得所述輕質(zhì)陶瓷磚。
[0096] 測試實(shí)驗(yàn)及數(shù)據(jù)：
[0097] 一、防污：
[0098] 所述輕質(zhì)陶瓷磚出現(xiàn)釉面針孔和釉泡等缺陷，經(jīng)滴墨處理后有明顯痕跡，防污性 能差。
[0099] 二、耐酸堿性能：
[0100] 對制得的輕質(zhì)陶瓷磚按GB/T4100-2006國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行耐酸耐堿測試，測試結(jié)果如 表3所示：
[0101]
[0102] 表3
[0103] Ξ、酸堿腐蝕后的防污性能：
[0104] 對上述經(jīng)過耐酸堿性能測試的所述輕質(zhì)陶瓷磚，經(jīng)滴墨處理后痕跡更加明顯，酸 堿腐蝕后的防污性能進(jìn)一步減弱。
[0105] 測試結(jié)果表明，本實(shí)施例的所述輕質(zhì)陶瓷磚的耐酸耐堿性能較差。
[0106] W上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。運(yùn)些描述只是為了解釋本發(fā)明的 原理，而不能W任何方式解釋為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它【具體實(shí)施方式】，運(yùn)些方式都將落入 本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，包括坯體和釉層，其特征在于：所述釉層包括底釉和面 釉，所述底釉施予所述坯體的表面，所述面釉施予所述底釉的表面； 所述底釉在1100~1250°c下的粘度值為300~400Pa.s，所述面釉在1100~1250°C下的 粘度值為150~250Pa.s。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于：所述底釉的燒成溫度為 1200 °C~1300 °C，所述面釉的燒成溫度為1000 °C~1150 °C。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于：按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述底 釉的配方包括粘土 5~25份、石英砂5~40份、高嶺土 5~35份、鉀長石0~30份、滑石5~30份 和氧化鋁1~5份。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于：按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，所述面 釉的配方包括球土 5~25份，高嶺土 5~35份，滑石5~30份，鉀長石0~30份和石英砂4~35 份。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于：按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，所述坯體 的配方包括粘土5~45份，高嶺土 5~60份，城市污泥0~30份，砂5~40份，石粉5~30份，陶 瓷拋光廢料〇~90份，建筑廢棄物0~90份，礦渣0~30份和煤渣0~30份。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于:所述底釉的厚度為20~60 Mi，所述面釉的厚度為50~200μηι。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚，其特征在于:所述面釉為啞光釉、半啞 光釉或高光釉。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，其特征在于： 包括以下步驟， 步驟1，制備還體衆(zhòng)料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，稱取粘土5~45份、高嶺土5~60份、城市污泥0~ 30份、砂5~40份、石粉5~30份、陶瓷拋光廢料0~90份、建筑廢棄物0~90份、礦渣0~30份 和煤渣0~30份，混合得坯體基料;再稱取分散劑0~2份和增強(qiáng)劑0~5份，混合得坯體輔料； 將所述坯體基料和所述坯體輔料混合，球磨制成坯體漿料； 步驟2,制備釉層楽;料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取粘土 5~25份、石英砂5~40份、高嶺土 5~ 35份、鉀長石0~30份、滑石5~30份和氧化鋁0.1~5份，再稱取分散劑0~2份，混合，球磨制 成所述底釉； 按質(zhì)量份數(shù)計(jì)算，稱取球土5~25份，高嶺土5~35份，滑石5~30份，鉀長石0~30份和 石英砂4~35份，再稱取分散劑0~2份，混合，球磨制成所述面釉； 步驟3，坯體制備，將步驟1中的所述坯體漿料噴霧造粒，干壓成型而獲得所述坯體;或 者，將步驟1中的所述坯體漿料壓濾練泥，擠壓成型而獲得所述坯體； 步驟4，干燥上釉，將步驟3中制的所述坯體在50~250 °C下干燥1~3h;然后在干燥的所 述坯體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~30min;最后再在已施予所述底釉的所 述坯體的表面施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min; 步驟5，燒制步驟，將步驟4中已上釉的所述坯體在1100~1250 °C下燒制30~180min，即 可制得所述高防污的輕質(zhì)陶瓷磚。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，其特征在于:所述步驟4還 包括印花裝飾的步驟： 首先，在干燥的所述坯體的表面印花;然后，再施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~ 30min;最后施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~30min; 或者，首先，在干燥的所述坯體的表面施予步驟2制得的所述底釉，干燥10~30min;然 后，在已施予所述底釉的所述坯體的表面印花;最后施予步驟2制得的所述面釉，干燥10~ 30min〇10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高防污的輕質(zhì)陶瓷磚的制備方法，其特征在于:步驟1中所述 坯體漿料的球磨時(shí)間為1~IOh，步驟2中所述底釉的球磨時(shí)間為5~IOOh，步驟2中所述面釉 的球磨時(shí)間為5~IOOh。
【文檔編號】C03C8/02GK105948498SQ201610255833
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年4月21日
【發(fā)明人】許林峰
【申請人】佛山市東鵬陶瓷有限公司, 廣東東鵬控股股份有限公司, 佛山華盛昌陶瓷有限公司, 清遠(yuǎn)納福娜陶瓷有限公司, 廣東東鵬陶瓷股份有限公司