一種調(diào)控石墨烯帶隙方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，根據(jù)本發(fā)明提供的調(diào)控石墨烯帶隙方法制備的石墨烯條帶器件，能夠在較寬的寬度下能有效的打開石墨烯的帶隙；通過在石墨烯條帶上制備單排孔陣列結(jié)構(gòu)，且制備的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而增大了石墨烯條帶器件的承載的驅(qū)動電流能力；進(jìn)而使得其既可以有效的打開石墨烯帶隙，同時又可以增大石墨烯器件的驅(qū)動電流承載能力，且在特征尺寸較大時，也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的有效調(diào)控。
【專利說明】
一種調(diào)控石墨燦帶隙方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種調(diào)控石墨烯帶隙方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯由于其優(yōu)異的性能，如超高的載流子迀移率，單原子層的厚度和高的機(jī)械強(qiáng)度，在未來半導(dǎo)體領(lǐng)域有著很好的潛在應(yīng)用價值，引起了人們的廣泛關(guān)注。但是由于石墨烯本身沒有帶隙，所以要實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用首先要解決打開帶隙的問題。目前常用的方法是把石墨烯裁成納米帶或制備反點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的打開。將石墨烯裁成納米帶可以打開石墨烯的帶隙，而且寬度越窄打開的帶隙越大，但隨之而來會有寬度越窄，承載的驅(qū)動電流越小的問題，大大限制了石墨烯的實(shí)際應(yīng)用。另外一種有效調(diào)控石墨烯帶隙的方法是在石墨烯上刻蝕反點(diǎn)陣陣列的方法。由于石墨烯反點(diǎn)陣是由多個石墨烯納米帶并聯(lián)而成的，其承載電流要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單個石墨烯納米帶。
[0003]但是這兩種方法還有一個問題，即若要實(shí)現(xiàn)室溫可用，其特征寬度要在1nm以下，這在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)難度比較大。如何提供一種制備簡單的方法解決在較寬的寬度下能有效的打開石墨烯的帶隙，同時克服石墨烯納米帶承載驅(qū)動電流比較小的問題，對于石墨烯在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用意義重大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個目的是提供一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，能夠有效的打開石墨烯帶隙，同時又可以增大石墨烯器件的驅(qū)動電流承載能力，且在特征尺寸較大時，也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的有效調(diào)控。
[0005]特別地，本發(fā)明提供一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，包括以下步驟:
[0006]S1、在具有定標(biāo)標(biāo)記的襯底上制備石墨稀樣品；
[0007]S2、在所述石墨烯樣品上旋涂預(yù)定厚度的電子束抗蝕劑；
[0008]S3、采用電子束曝光技術(shù)，利用所述定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在所述旋涂的電子束抗蝕劑上得到搭在石墨烯上的電極圖形；
[0009]S4、在所述S3得到的樣品表面蒸鍍金屬，經(jīng)過溶脫，得到具有電極的石墨烯樣品；
[0010]S5、在所述具有電極的石墨烯樣品表面再涂覆一層電子束抗蝕劑，利用電子束曝光，經(jīng)過曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到石墨烯單排孔的圖案，并將多余部分曝光，形成石墨稀條帶；
[0011]S6、利用電子束抗蝕劑做為刻蝕掩模，采用氧等離子體刻蝕，刻蝕未被覆蓋的石墨烯，得到具有單排孔陣列圖形的石墨烯條帶；
[0012]S7、將刻蝕后的樣品放入丙酮溶液，去除剩余的電子束抗蝕劑；
[0013]S8、在所述襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯的轉(zhuǎn)移曲線，計算得到帶隙。
[0014]進(jìn)一步地，SI中所述石墨烯是直接生長在襯底上，或者是轉(zhuǎn)移到襯底上的。
[0015]進(jìn)一步地，所述電子束抗蝕劑為PMMA或者ZEP520。
[0016]進(jìn)一步地，S2中所述電子束抗蝕劑的旋涂厚度大于S4中所述電極厚度的兩倍。
[0017]進(jìn)一步地，S4中所述樣品表面蒸鍍金屬包括蒸鍍電極過渡層和電極;所述電極的厚度30-100nm;可選地，所述電極過渡層為Cr、N1、Ti中的一種，所述電極為Au或者Pd。
[0018]進(jìn)一步地，S5中所述電子束抗蝕劑厚度為50-300nm。
[0019]進(jìn)一步地，S5中所述石墨稀條帶的寬度為0.05-1.5um，所述石墨稀單排孔的孔之間的距離為10-80nm。
[°02°] 進(jìn)一步地，S6中氧等離子體刻蝕采用的腔內(nèi)壓為10?10mTorr，氧氣流量為10?10sccm，所加射頻功率為10?200W。
[0021]進(jìn)一步地，S7中還可以加熱輔助或超聲輔助去除剩余的電子束抗蝕劑。
[0022]進(jìn)一步地，S8中測量帶隙采用的方法是在不同的溫度下測量轉(zhuǎn)移曲線，利用狄拉克點(diǎn)的電阻和溫度倒數(shù)的關(guān)系，推算得到帶隙。
[0023]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，通過在石墨烯條帶上制備單排孔陣列結(jié)構(gòu)，既可以有效的打開石墨烯帶隙，同時又可以增大石墨烯器件的驅(qū)動電流承載能力，且在特征尺寸較大時，也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的有效調(diào)控。
[0024]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，至少存在以下技術(shù)效果:
[0025]I)可以有效打開石墨烯的帶隙，且打開的帶隙比具有相同特征寬度的納米帶或反點(diǎn)陣陣列結(jié)構(gòu)的石墨烯樣品大。
[0026]2)該結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶并聯(lián)結(jié)構(gòu)，承載的驅(qū)動電流大，且特征尺寸較大，降低了制備的難度。
【附圖說明】
[0027]后文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細(xì)描述本發(fā)明的一些具體實(shí)施例。附圖中相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示了相同或類似的部件或部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，這些附圖未必是按比例繪制的。附圖中:
[0028]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法的流程示意圖；
[0029]圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的具有單排石墨孔的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖；
[0030]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的石墨烯條帶器件在不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線；
[0031]圖4是根據(jù)圖3的石墨烯條帶器件的狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系圖；
[0032]圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的石墨烯條帶器件在不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線；
[0033]圖6是根據(jù)圖5的石墨烯條帶器件的狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0035]實(shí)施例1
[0036]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法的流程示意圖。如圖1所示，一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，包括以下步驟:
[0037]S1、在具有定標(biāo)標(biāo)記的襯底上制備石墨烯樣品；
[0038]S2、在所述石墨烯樣品上旋涂預(yù)定厚度的電子束抗蝕劑；
[0039]S3、采用電子束曝光技術(shù)，利用所述定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在所述旋涂的電子束抗蝕劑上得到搭在石墨烯上的電極圖形；
[0040]S4、在所述S3得到的樣品表面蒸鍍金屬，經(jīng)過溶脫，得到具有電極的石墨烯樣品；
[0041]S5、在所述具有電極的石墨烯樣品表面再涂覆一層電子束抗蝕劑，利用電子束曝光，經(jīng)過曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到石墨烯單排孔的圖案，并將多余部分曝光，形成石墨稀條帶；
[0042]S6、利用電子束抗蝕劑做為刻蝕掩模，采用氧等離子體刻蝕，刻蝕未被覆蓋的石墨烯，得到具有單排孔陣列圖形的石墨烯條帶；
[0043]S7、將刻蝕后的樣品放入丙酮溶液，去除剩余的電子束抗蝕劑；
[0044]S8、在所述襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯的轉(zhuǎn)移曲線，計算得到帶隙。
[0045]具體地，在步驟SI中所述定標(biāo)標(biāo)記用于標(biāo)示所述石墨烯條帶的寬度或者孔的間距，所述石墨烯是直接生長在襯底上，或者是轉(zhuǎn)移到襯底上的。所述石墨烯生長或者轉(zhuǎn)移的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知所常用的方法，在此不作贅述。在步驟S2中所述電子束抗蝕劑為PMMA、ZEP520或者其他的電子束正性抗蝕劑或者電子束負(fù)性抗蝕劑，其中，所述電子束抗蝕劑的旋涂厚度大于步驟S4中所述電極厚度的兩倍，以保證在步驟S4中蒸鍍電極層后可以順利溶脫。在步驟S4中所述樣品表面蒸鍍金屬包括蒸鍍電極過渡層和電極;所述電極的厚度30-100nm;可選地，所述電極過渡層可以為Cr、N1、Ti中的一種，所述電極可以為Au或者Pd。在步驟S5中所述電子束抗蝕劑厚度為50-300nm，所述石墨烯條帶的寬度為0.05-1.5um，所述石墨烯單排孔的孔之間的距離為10-80nm。在步驟S6中氧等離子體刻蝕采用的腔內(nèi)壓為10?lOOmTorr，氧氣流量為10?lOOsccm，所加射頻功率為10?200W。在步驟S7中還可以加熱輔助或超聲輔助去除剩余的電子束抗蝕劑，以便更快的去除剩余的電子束抗蝕劑。在步驟S8中測量帶隙采用的方法是在不同的溫度下測量轉(zhuǎn)移曲線，利用狄拉克點(diǎn)的電阻和溫度倒數(shù)的關(guān)系，推算得到帶隙。在步驟S8中，測量儀器可以用綜合物性測量系統(tǒng)(英文全稱:Physical Property Measurement System，簡稱為PPMS)，稀釋制冷機(jī)等。
[0046]圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的具有單排石墨孔的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖。如圖2所示，石墨烯條帶結(jié)構(gòu)中具有單排的石墨孔，石墨烯單排孔的孔之間的距離在10-80]11]1之間，石墨稀條帶的寬度在0.05-1.5111]1之間。
[0047]在一個具體的實(shí)施例中，制備的具有單排石墨孔的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)的詳細(xì)步驟如下
[0048]步驟1:在洗干凈且具有定標(biāo)標(biāo)記的基底上機(jī)械剝離石墨烯，并在光學(xué)顯微鏡下找到單層石墨烯樣品。
[0049]步驟2:在上述石墨烯樣品上涂覆PMMA，厚度為200nm。
[0050]步驟3:采用電子束曝光技術(shù)，利用之前形成的定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到正好搭在石墨烯上的電極圖形
[0051 ] 步驟4:蒸鍍Ni/Au，厚度為7nm/85nm，溶脫后得到具有電極的石墨稀樣品。
[0052] 步驟5:再次旋涂PMMA電子束抗蝕劑，厚度50nm。
[0053]步驟6:利用電子束曝光，套刻單排孔，孔間距50nm，并將多余的石墨烯部分曝光，得到石墨烯條帶，寬度為500nm，顯影定影后，得到電子束抗蝕劑上的相應(yīng)的圖形。
[0054]步驟:7:利用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備，采用氧等離子體對石墨烯進(jìn)行刻蝕?？涛g條件:腔內(nèi)壓強(qiáng)為30mTorr，氧氣流量為30sccm，所加射頻功率為50W。
[0055]步驟8:在60攝氏度熱丙酮中加熱lOmin，去掉剩余的PMMA抗蝕劑。
[0056]步驟9:在背面Si襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移曲線，根據(jù)狄拉克點(diǎn)的電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系，計算得到帶隙。
[0057]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的石墨烯條帶器件在不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線。圖4是根據(jù)圖3的石墨烯條帶器件的狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系圖；其不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線如圖3所示。其狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系如圖4所示，計算得到的帶隙為24.77meV，與文獻(xiàn)上20nm的特征寬度的反點(diǎn)陣石墨稀器件得到的帶隙(28meV)相當(dāng)。其制備的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而增大了石墨烯條帶器件的承載的驅(qū)動電流能力。
[0058]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，通過在石墨烯條帶上制備單排孔陣列結(jié)構(gòu)，既可以有效的打開石墨烯帶隙，同時又可以增大石墨烯器件的驅(qū)動電流承載能力，且在特征尺寸較大時，也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的有效調(diào)控。
[0059]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，至少存在以下技術(shù)效果:
[0060]I)可以有效打開石墨烯的帶隙，且打開的帶隙比具有相同特征寬度的納米帶或反點(diǎn)陣陣列結(jié)構(gòu)的石墨烯樣品大。
[0061]2)該結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶并聯(lián)結(jié)構(gòu)，承載的驅(qū)動電流大，且特征尺寸較大，降低了制備的難度。
[0062]實(shí)施例2
[0063]在另一個具體的實(shí)施方式中，其與實(shí)施例1相同的地方在此不做贅述，僅以不同的地方加以說明。制備的具有單排石墨孔的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)的詳細(xì)步驟如下:
[0064]步驟1:在洗干凈且具有定標(biāo)標(biāo)記的基底上機(jī)械剝離石墨烯，并在光學(xué)顯微鏡下找到單層石墨烯樣品。
[0065]步驟2:在上述石墨烯樣品上涂覆ZEP520，厚度為200nm。
[0066]步驟3:采用電子束曝光技術(shù)，利用之前形成的定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到正好搭在石墨烯上的電極圖形
[0067 ]步驟4:蒸鍍Ti/Au，厚度為7 nm/85nm，溶脫后得到具有電極的石墨稀樣品。
[0068]步驟5:再次旋涂ZEP520，厚度lOOnm。
[0069]步驟6:利用電子束曝光，套刻單排孔陣列，孔間距80nm，并將多余的石墨烯部分曝光，得到石墨烯帶，寬度Ιμπι，顯影、定影后，得到電子束抗蝕劑上的相應(yīng)的圖形。
[0070]步驟7:利用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備，采用氧等離子體對石墨烯進(jìn)行刻蝕?？涛g條件:腔內(nèi)壓強(qiáng)為1001111'0!'!'，氧氣流量為508(3011，所加射頻功率為1001
[0071]步驟8:在60攝氏度熱丙酮中加熱lOmin，同時采用超聲輔助去除剩余的ΖΕΡ520抗蝕劑。
[0072]步驟9:在背面Si襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移曲線，根據(jù)狄拉克點(diǎn)的電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系，計算得到帶隙。
[0073]圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制備的石墨烯條帶器件在不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線。圖6是根據(jù)圖5的石墨烯條帶器件的狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系圖。其不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線如圖5所示。其狄拉克點(diǎn)電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系如圖6所示，計算得到的帶隙為17.65meV0
[0074]實(shí)施例3
[0075]在另一個具體的實(shí)施方式中，其與實(shí)施例1相同的地方在此不做贅述，僅以不同的地方加以說明。制備的具有單排石墨孔的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)的詳細(xì)步驟如下:
[0076]步驟1:在具有定標(biāo)標(biāo)記的襯底上轉(zhuǎn)移或直接生長石墨烯，獲得石墨烯樣品。
[0077]步驟2:在上述石墨烯樣品上涂覆電子束抗蝕劑，抗蝕劑的厚度大于目標(biāo)電極厚度的兩倍。
[0078]步驟3:采用電子束曝光技術(shù)，利用之前形成的定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到正好搭在石墨烯上的電極圖形。
[0079]步驟4:蒸鍍金屬，過渡層可以采用Cr、N1、Ti其中的一種，電極可以用Au或者Pd。電極厚度可以為30-100nm之間，溶脫后得到具有電極的石墨烯樣品。
[0080]步驟5:在上述樣品表面再涂覆一層電子束抗蝕劑，厚度50nm-300nm之間。
[0081]步驟6:利用電子束曝光，經(jīng)過曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到石墨烯單排孔的圖案，并將多余部分曝光，形成石墨烯條帶?？组g距可在1-SOnm之間，石墨烯條帶的寬度可在0.05-1.5μπι之間。
[0082]步驟7:利用反應(yīng)離子束刻蝕，采用氧等離子體，對石墨烯進(jìn)行刻蝕?？涛g條件:腔內(nèi)壓強(qiáng)可以為10?10mTorr之間任選，氧氣流量可以為10?10sccm之間任選，所加射頻功率可以為50?200W之間任選。
[0083]步驟8:樣品放在丙酮溶液中，去除殘留的電子束抗蝕劑，得到的石墨烯器件的掃描電子顯微鏡圖如圖2所示。
[0084]步驟9:在背面Si襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移曲線，根據(jù)狄拉克點(diǎn)的電阻與溫度倒數(shù)的關(guān)系，計算得到帶隙。
[0085]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，通過在石墨烯條帶上制備單排孔陣列結(jié)構(gòu)，能夠在較寬的寬度下能有效的打開石墨烯的帶隙，制備的石墨烯條帶結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而增大了石墨烯條帶器件的承載的驅(qū)動電流能力;從而使得其既可以有效的打開石墨烯帶隙，同時又可以增大石墨烯器件的驅(qū)動電流承載能力，且在特征尺寸較大時，也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯帶隙的有效調(diào)控。
[0086]本發(fā)明提供的一種調(diào)控石墨烯帶隙方法，至少存在以下技術(shù)效果:
[0087]I)可以有效打開石墨烯的帶隙，且打開的帶隙比具有相同特征寬度的納米帶或反點(diǎn)陣陣列結(jié)構(gòu)的石墨烯樣品大。
[0088]2)該結(jié)構(gòu)為多條石墨烯納米帶并聯(lián)結(jié)構(gòu)，承載的驅(qū)動電流大，且特征尺寸較大，降低了制備的難度。
[0089]至此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，雖然本文已詳盡示出和描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，仍可根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容直接確定或推導(dǎo)出符合本發(fā)明原理的許多其他變型或修改。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)被理解和認(rèn)定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、在具有定標(biāo)標(biāo)記的襯底上制備石墨稀樣品； 52、在所述石墨烯樣品上旋涂預(yù)定厚度的電子束抗蝕劑； 53、采用電子束曝光技術(shù)，利用所述定標(biāo)標(biāo)記，套刻電極，經(jīng)曝光、顯影、定影，在所述旋涂的電子束抗蝕劑上得到搭在石墨烯上的電極圖形； 54、在所述S3得到的樣品表面蒸鍍金屬，經(jīng)過溶脫，得到具有電極的石墨烯樣品； 55、在所述具有電極的石墨烯樣品表面再涂覆一層電子束抗蝕劑，利用電子束曝光，經(jīng)過曝光、顯影、定影，在電子束抗蝕劑上得到石墨烯單排孔的圖案，并將多余部分曝光，形成石墨稀條帶； 56、利用電子束抗蝕劑做為刻蝕掩模，采用氧等離子體刻蝕，刻蝕未被覆蓋的石墨烯，得到具有單排孔陣列圖形的石墨烯條帶； 57、將刻蝕后的樣品放入丙酮溶液，去除剩余的電子束抗蝕劑； 58、在所述襯底上引出背柵，在不同溫度下測量石墨烯的轉(zhuǎn)移曲線，計算得到帶隙。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，SI中所述石墨烯是直接生長在襯底上，或者是轉(zhuǎn)移到襯底上的。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，所述電子束抗蝕劑為PMMA 或者 ZEP520。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S2中所述電子束抗蝕劑的旋涂厚度大于S4中所述電極厚度的兩倍。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S4中所述樣品表面蒸鍍金屬包括蒸鍍電極過渡層和電極;所述電極的厚度30-100nm;可選地，所述電極過渡層為Cr、N1、Ti中的一種，所述電極為Au或者Pd。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S5中所述電子束抗蝕劑厚度為50_300nmo7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S5中所述石墨烯條帶的寬度為0.05-1.5um，所述石墨稀單排孔的孔之間的距離為10-80nmo8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S6中氧等離子體刻蝕采用的腔內(nèi)壓為10?lOOmTorr，氧氣流量為10?lOOsccm，所加射頻功率為10?200W。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S7中還可以加熱輔助或超聲輔助去除剩余的電子束抗蝕劑。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控石墨烯帶隙的方法，其特征在于，S8中測量帶隙采用的方法是在不同的溫度下測量轉(zhuǎn)移曲線，利用狄拉克點(diǎn)的電阻和溫度倒數(shù)的關(guān)系，推算得到帶隙。
【文檔編號】C01B31/04GK106044759SQ201610453718
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月21日
【發(fā)明人】顧長志, 張慧珍, 楊海方, 唐成春, 李俊杰
【申請人】中國科學(xué)院物理研究所