真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝，其特征在于：由一種加工絕緣套筒的材料制成，該真空斷路器絕緣套筒材料配方由以下成分組成，按重量百分比計(jì)算：4%?5%的K2O、3%?3.5%的Na2O、65%?70%的SiO2、15%?30%的Al2O3、0.05%?0.1%的Fe2O3、0.05%?0.1%的TiO2；其加工工藝流程從頭到尾為：配料研磨—放漿過篩—塑型干燥—上釉燒制—出窯。本發(fā)明的產(chǎn)品能夠提高絕緣套筒的絕緣性能，且燒制的合格品率更高。
【專利說明】
真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種配方及其制作工藝，特別是一種真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的真空斷路器絕緣套筒多為陶瓷制品，其絕緣性能是決定一個(gè)真空斷路器好壞的關(guān)鍵因素，較好的絕緣性能能夠有效的提升真空斷路器的安全性能和使用壽命，由于需要適應(yīng)越來越嚴(yán)苛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，絕緣套筒需要在材料以及工藝上不斷的進(jìn)行創(chuàng)新，才能使其絕緣性能更好，而且現(xiàn)有絕緣套筒的合格品的燒制成功率還是較低，廢品較多。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于【背景技術(shù)】的不足，本發(fā)明所要解決的問題是要提供一種能夠提高絕緣套筒的絕緣性能，且燒制的合格品率更高的真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝。
[0004]為此，本發(fā)明是采用如下方案來實(shí)現(xiàn)的:
一種真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝，其特征在于:由一種加工絕緣套筒的材料制成，該真空斷路器絕緣套筒材料配方由以下成分組成，按重量百分比計(jì)算:4%_5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%_0.1%的Ti02;其加工工藝流程從頭到尾為:配料研磨一放漿過篩一塑型干燥一上釉燒制一出窯。
[0005]作為優(yōu)選，具體的加工工藝流程為:
a)將所需比例的材料進(jìn)行稱重配制，放入研磨機(jī)中進(jìn)行研磨；
b)將研磨好的材料粉末過篩，過篩時(shí)其材料顆粒細(xì)度要小于200目/吋篩，其殘余率應(yīng)在1.5%以內(nèi)；
c)塑型成功后應(yīng)放置在陰涼通風(fēng)處十二個(gè)小時(shí)使其干燥；
d)上釉燒制時(shí)，釉還涂抹需均勾，釉還厚度控制在0.3mm一0.4mm；
e)出窯后需檢查釉面是否平整光潔，有無釉滴、真空和氣泡。最后靜置，直到完全冷卻。
[0006]本方案的有益效果為:1、能夠有效的提升絕緣套筒的絕緣性能，從而提升真空斷路器的安全性能和使用壽命;2、燒制出來的絕緣套筒的合格品率更高，有效的降低成本。
【具體實(shí)施方式】
[0007]本發(fā)明提供的一種真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝，由一種加工絕緣套筒的材料制成，該真空斷路器絕緣套筒材料配方由以下成分組成，按重量百分比計(jì)算:4%-5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%-
0.1%的Ti02;其加工工藝流程從頭到尾為:配料研磨一放漿過篩一塑型干燥一上釉燒制一出窯。具體的加工工藝流程為:a)將所需比例的材料進(jìn)行稱重配制，放入研磨機(jī)中進(jìn)行研磨;b)將研磨好的材料粉末過篩，過篩時(shí)其材料顆粒細(xì)度要小于200目/吋篩，其殘余率應(yīng)在1.5%以內(nèi)；c)塑型成功后應(yīng)放置在陰涼通風(fēng)處十二個(gè)小時(shí)使其干燥;d)上釉燒制時(shí)，釉坯涂抹需均勾，釉還厚度控制在0.3mm—0.4mm;e)出窖后需檢查釉面是否平整光潔，有無釉滴、真空和氣泡。最后靜置，直到完全冷卻。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝，其特征在于:由一種加工絕緣套筒的材料制成，該真空斷路器絕緣套筒材料配方由以下成分組成，按重量百分比計(jì)算: 4%-5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%-0.1%的Ti02;其加工工藝流程從頭到尾為:配料研磨一放漿過篩一塑型干燥一上釉燒制一出窯。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空斷路器絕緣套筒的配方及其制作工藝，其特征在于:具體的加工工藝流程為: a)將所需比例的材料進(jìn)行稱重配制，放入研磨機(jī)中進(jìn)行研磨； b)將研磨好的材料粉末過篩，過篩時(shí)其材料顆粒細(xì)度要小于200目/吋篩，其殘余率應(yīng)在1.5%以內(nèi)； c)塑型成功后應(yīng)放置在陰涼通風(fēng)處十二個(gè)小時(shí)使其干燥； d)上釉燒制時(shí)，釉還涂抹需均勾，釉還厚度控制在0.3mm一0.4mm； e)出窯后需檢查釉面是否平整光潔，有無釉滴、真空和氣泡，最后靜置，直到完全冷卻。
【文檔編號(hào)】H01H33/662GK106083016SQ201610418101
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月15日 公開號(hào)201610418101.X, CN 106083016 A, CN 106083016A, CN 201610418101, CN-A-106083016, CN106083016 A, CN106083016A, CN201610418101, CN201610418101.X
【發(fā)明人】施成達(dá), 蔡榮, 郭雷
【申請(qǐng)人】西一電氣有限公司