一種坩堝托盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及直拉單晶爐技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]直拉單晶爐是太陽(yáng)能級(jí)單晶硅生產(chǎn)中的常用設(shè)備，該設(shè)備主要包含以下幾部分:
[0003](I)提拉頭:主要由安裝盤、減速機(jī)、籽晶腔、劃線環(huán)、電機(jī)、磁流體、籽晶稱重頭和波紋管等部件組成；
[0004](2)副室:主要由副室筒以及上下法蘭組成；
[0005](3)爐蓋:主要由副室連接法蘭、翻板閥、觀察窗和抽真空管道組成；
[0006](4)爐筒:包括取光孔；
[0007](5)下?tīng)t筒:包括抽真空管道；
[0008](6)底座機(jī)架:包括全鑄鐵機(jī)架和底座；
[0009](7)坩禍下傳動(dòng)裝置:主要由磁流體、電機(jī)、坩禍支撐軸、減速機(jī)、波紋管、立柱、上下傳動(dòng)支撐架和導(dǎo)軌等部件組成；
[0010](8)分水器水路布置:包括分水器、進(jìn)水水管、若干膠管和水管卡套等；
[0011](9)氬氣管道布置:包括質(zhì)量流量計(jì)、柔性管、不銹鋼管、壓力探測(cè)器和高密封性卡套等部件；
[0012](10)真空泵以及真空除塵裝置:包括油壓真空泵、水環(huán)真空泵、過(guò)濾器、真空管道和波紋管等；
[0013](11)電源以及電控柜:包括電源柜、濾波柜、控制柜以及各種連接線。
[0014]直拉單晶爐在使用中，隨著單晶爐投料量的增加，石英坩禍承受的壓力增大，容易出現(xiàn)石英坩禍開(kāi)裂的現(xiàn)象，從而發(fā)生漏硅問(wèn)題，當(dāng)漏硅發(fā)生后，硅液會(huì)沿著石墨坩禍、坩禍托盤以及石墨禍桿流下，引起各石墨部件粘住或直接斷裂，導(dǎo)致無(wú)法繼續(xù)使用，造成部件的損壞和報(bào)廢，此外，金屬波紋管被燙壞還會(huì)造成爐內(nèi)進(jìn)入空氣，從而引發(fā)嚴(yán)重事故。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0015]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種坩禍托盤，該坩禍托盤的底部設(shè)有用于阻止硅液流到坩禍托桿及爐內(nèi)其他重要部件上，從而保護(hù)爐內(nèi)的貴重部件免受損壞，并能夠保護(hù)金屬波紋管，防止因爐內(nèi)進(jìn)氣而引發(fā)的危險(xiǎn)事故。
[0016]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種坩禍托盤，其包括托盤主體，托盤主體在使用中置于坩禍托桿之上，托盤主體的底部設(shè)有環(huán)形凸起，該環(huán)形凸起的內(nèi)徑大于坩禍托桿的直徑，環(huán)形凸起的幾何中心位于托盤主體的中軸線上。
[0017]作為優(yōu)選，環(huán)形凸起的內(nèi)徑為230毫米。
[0018]作為優(yōu)選，環(huán)形凸起的內(nèi)徑為250毫米。
[0019]以上所說(shuō)內(nèi)徑均為內(nèi)圓的直徑。
[0020]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本實(shí)用新型對(duì)現(xiàn)有坩禍托盤的結(jié)構(gòu)做出改進(jìn)，在現(xiàn)有坩禍托盤的底部設(shè)置了環(huán)形凸起，該環(huán)形凸起可以阻止硅液流過(guò)，起到保護(hù)爐內(nèi)貴重部件的作用，為企業(yè)節(jié)省大量資金，此外，本裝置還可對(duì)金屬波紋管起到保護(hù)作用，防止因金屬波紋管被硅液燙壞，單晶爐內(nèi)進(jìn)入空氣而引發(fā)的危險(xiǎn)事故。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1的側(cè)視圖；
[0023]圖3是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)圖。
[0024]圖中:1、托盤主體；2、環(huán)形凸起；3、坩禍托桿；4、石英坩禍；5、石墨坩禍。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0026]如圖1、2和3所示，一種坩禍托盤，其包括托盤主體1，托盤主體I的底部設(shè)有環(huán)形凸起2，環(huán)形凸起2的幾何中心位于托盤主體I的中軸線上，該環(huán)形凸起2的內(nèi)徑為230毫米，該內(nèi)徑大于坩禍托桿3的直徑，因此將該坩禍托盤放在坩禍托桿3上后環(huán)形凸起2正好環(huán)繞在坩禍托桿3的四周，從而防止硅液流到坩禍托桿3及其他部件處。
[0027]本實(shí)用新型能夠有效防止硅液流到石墨禍桿與金屬波紋管處，起到保護(hù)貴重部件的作用，同時(shí)，能夠防止因金屬波紋管被硅液燙壞，單晶爐內(nèi)進(jìn)入空氣而引發(fā)的危險(xiǎn)事故。
[0028]目前，新石墨禍桿的價(jià)格為1824.65元，新金屬波紋管的價(jià)格為8034.19元，因此，使用本實(shí)用新型后可以節(jié)省(1824.65 + 8034.19 = ) 9858.84元，可見(jiàn)本實(shí)用新型確實(shí)能夠?yàn)槠髽I(yè)節(jié)省大量資金，非常實(shí)用。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種坩禍托盤，其包括托盤主體(I )，所述托盤主體(I)在使用中置于坩禍托桿(3)之上，其特征在于:所述托盤主體(I)的底部設(shè)有環(huán)形凸起(2)，該環(huán)形凸起(2)的內(nèi)徑大于坩禍托桿(3)的直徑，環(huán)形凸起(2)的幾何中心位于托盤主體(I)的中軸線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種坩禍托盤，其特征在于所述環(huán)形凸起(2)的內(nèi)徑為230毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種坩禍托盤，其特征在于所述環(huán)形凸起(2)的內(nèi)徑為250毫米。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種坩堝托盤，屬于直拉單晶爐技術(shù)領(lǐng)域，它包括托盤主體，托盤主體在使用中置于坩堝托桿之上，托盤主體的底部設(shè)有環(huán)形凸起，該環(huán)形凸起的內(nèi)徑大于坩堝托桿的直徑，環(huán)形凸起的幾何中心位于托盤主體的中軸線上，本裝置能夠阻止硅液流到坩堝托桿及爐內(nèi)其他重要部件上，從而保護(hù)爐內(nèi)的貴重部件免受損壞，并能夠保護(hù)金屬波紋管，防止因爐內(nèi)進(jìn)氣而引發(fā)的危險(xiǎn)事故，非常實(shí)用。
【IPC分類】C30B29-06, C30B15-10
【公開(kāi)號(hào)】CN204281886
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420699626
【發(fā)明人】劉彬國(guó), 何京輝, 曹祥瑞, 顏超, 陳二星
【申請(qǐng)人】邢臺(tái)晶龍電子材料有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年11月20日