一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本專利涉及泡生法藍(lán)寶石晶體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，同時(shí)可適用于其他相似領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]由于藍(lán)寶石晶體的光學(xué)穿透帶很寬，從近紫外光(190nm)到中紅外線都具有很好的透光性，因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度激光鏡片材料及掩模材料上。目前超尚殼度白/藍(lán)光LED的品質(zhì)取決于氣化嫁外延(GaN)的材料品質(zhì)，而氣化嫁外延品質(zhì)則與所使用的藍(lán)寶石基板表面加工品質(zhì)息息相關(guān)，藍(lán)寶石(單晶Al2O3)C面II1- V和I1- VI族沉積薄膜之間的晶格常數(shù)失配率小，同時(shí)符合GaN外延工藝中耐高溫的要求，使得藍(lán)寶石晶片成為制作白/藍(lán)/綠光LED的關(guān)鍵材料。
[0003]目前最成熟的生長(zhǎng)大尺寸低應(yīng)力無缺陷藍(lán)寶石晶體的技術(shù)仍然還是泡生法。目前泡生法生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體的重量越來越大，從35kg級(jí)，發(fā)展到60kg級(jí)，80kg級(jí)，10kg級(jí)，甚至到120kg級(jí)。而晶體重量是體現(xiàn)晶體生長(zhǎng)狀況的重要參數(shù)，但是隨著晶體重量的增加，所采用的傳感器的重量等級(jí)也在不斷增加，同時(shí)稱重傳感器的可分辨最小重量也在不斷增加，最終導(dǎo)致這些低精度的稱重?cái)?shù)據(jù)失去參考價(jià)值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]為了能在大公斤級(jí)設(shè)備上繼續(xù)使用小量程的稱重傳感器，本專利提供一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，在引晶結(jié)束以后，卸除晶體重量，保護(hù)小量程的稱重傳感器不受損害。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，設(shè)置起到容納作用的容腔，所述的容腔頂部設(shè)置起到密封作用的頂蓋，所述的頂蓋的底面設(shè)置傳感器支架，所述的傳感器支架兩邊至少分別設(shè)置一個(gè)定位孔，設(shè)置光頭螺栓穿過所述的定位孔，與所述的頂蓋固定連接，并設(shè)置所述的傳感器支架與所述的頂蓋之間具有間隙，所述的傳感器支架下面設(shè)置稱重傳感器，所述的稱重傳感器連接籽晶桿支架，所述的籽晶桿支架設(shè)置在所述的容腔底部，所述的籽晶桿支架連接籽晶桿，所述的籽晶桿穿過所述的容腔底部的通孔，所述的容腔底部設(shè)置至少一個(gè)氣動(dòng)力舉裝置，所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置在所述的傳感器支架下方。
[0008]所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置氣缸和氣管，所述的氣管穿過所述的容腔底部的通孔。
[0009](三)有益效果
[0010]從上述技術(shù)方案可以看出，本專利具有以下有益效果:
[0011]1、引晶階段，讓晶體重量施加在稱重傳感器上，獲得高精度的稱重?cái)?shù)據(jù)；
[0012]2、引晶結(jié)束以后，將重量從稱重傳感器上卸載下來，避免藍(lán)寶石晶體長(zhǎng)大以后損害稱重傳感器。
【附圖說明】
[0013]圖1為泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的外形示意圖；
[0014]圖2為稱重自卸載氣動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體的實(shí)施實(shí)例對(duì)本專利作進(jìn)一步展開說明，但需要指出的是，本專利所要求保護(hù)的結(jié)構(gòu)并不限于實(shí)施例及說明書附圖中的具體結(jié)構(gòu)。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以推知的其他結(jié)構(gòu)形式，亦屬于本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
[0016]請(qǐng)參閱圖1、圖2，一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，設(shè)置在爐膛10的頂部，包括起到容納作用的容腔I，所述的容腔I頂部設(shè)置起到密封作用的頂蓋2，所述的頂蓋2上設(shè)置了帶密封圈的開孔，可以為所述的容腔I內(nèi)部的裝置提供連接線。
[0017]所述的傳感器支架3兩邊至少分別設(shè)置一個(gè)定位孔，設(shè)置光頭螺栓9穿過所述的定位孔，與所述的頂蓋2固定連接，并設(shè)置所述的傳感器支架3與所述的頂蓋2之間具有間隙。因此，所述的傳感器支架3可以上下移動(dòng)，左右及前后位置由所述的定位孔和光頭螺栓9確定。
[0018]所述的傳感器支架3下面設(shè)置稱重傳感器4，所述的稱重傳感器4連接籽晶桿支架5，而所述的籽晶桿支架5設(shè)置在所述的容腔I底部。所述的籽晶桿支架5連接籽晶桿6，所述的籽晶桿6穿過所述的容腔I底部的通孔，所述的籽晶桿6末端設(shè)置籽晶夾頭，所述的籽晶夾頭設(shè)置籽晶，所述的籽晶進(jìn)行藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)。因此，所述的容腔I的底部支撐了所述的籽晶桿6及以下的重量，此時(shí)所述的稱重傳感器4是沒有負(fù)載的。
[0019]所述的容腔I底部設(shè)置至少一個(gè)氣動(dòng)力舉裝置，所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置氣缸7和氣管8，所述的氣管8穿過所述的容腔I底部的通孔，這個(gè)通孔需要進(jìn)行橡膠圈真空密封。
[0020]所述氣缸7設(shè)置最大行程為將所述的傳感器支架3移動(dòng)到所述的頂蓋2的底部。
[0021]工作過程如下:
[0022]I)在引晶過程中，所述的氣動(dòng)力舉裝置開始工作，推動(dòng)所述的傳感器支架3向上運(yùn)動(dòng)達(dá)到最大行程，藍(lán)寶石晶體通過所述的籽晶桿6承重到所述的稱重傳感器4上；
[0023]這個(gè)階段，藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)重量小，需要精確的稱重?cái)?shù)據(jù)來判斷晶體生長(zhǎng)階段，并且沒有超出所述的稱重傳感器4的量程范圍。
[0024]2)引晶結(jié)束以后，所述的氣動(dòng)力舉裝置卸除其中的氣壓，所述的傳感器支架5到達(dá)在所述的容腔I底部上，所述的稱重傳感器4無負(fù)載。
[0025]這個(gè)階段，藍(lán)寶石晶體已經(jīng)生長(zhǎng)到一定階段，不需要高精確的稱重?cái)?shù)據(jù)，并且會(huì)超出所述的稱重傳感器4的量程范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，設(shè)置起到容納作用的容腔，所述的容腔頂部設(shè)置起到密封作用的頂蓋，其特征在于:所述的頂蓋的底面設(shè)置傳感器支架，所述的傳感器支架兩邊至少分別設(shè)置一個(gè)定位孔，設(shè)置光頭螺栓穿過所述的定位孔，與所述的頂蓋固定連接，并設(shè)置所述的傳感器支架與所述的頂蓋之間具有間隙，所述的傳感器支架下面設(shè)置稱重傳感器，所述的稱重傳感器連接籽晶桿支架，所述的籽晶桿支架設(shè)置在所述的容腔底部，所述的籽晶桿支架連接籽晶桿，所述的籽晶桿穿過所述的容腔底部的通孔，所述的容腔底部設(shè)置至少一個(gè)氣動(dòng)力舉裝置，所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置在所述的傳感器支架下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，其特征在于:所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置氣缸和氣管，所述的氣管穿過所述的容腔底部的通孔。
【專利摘要】公開一種泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶設(shè)備的稱重自卸載氣動(dòng)裝置，設(shè)置起到容納作用的容腔和起密封作用的頂蓋，所述的頂蓋的底面設(shè)置傳感器支架，所述的傳感器支架兩邊至少分別設(shè)置一個(gè)定位孔，設(shè)置光頭螺栓穿過所述的定位孔，與所述的頂蓋固定連接，并設(shè)置所述的傳感器支架與所述的頂蓋之間具有間隙，所述的傳感器支架下面設(shè)置稱重傳感器，所述的稱重傳感器連接籽晶桿支架，所述的籽晶桿支架設(shè)置在所述的容腔底部，所述的籽晶桿支架連接籽晶桿，所述的籽晶桿穿過所述的容腔底部的通孔，所述的容腔底部設(shè)置至少一個(gè)氣動(dòng)力舉裝置，所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置在所述的傳感器支架下方。所述的氣動(dòng)力舉裝置設(shè)置氣缸和氣管，所述的氣管穿過所述的容腔底部的通孔。
【IPC分類】C30B17-00, C30B29-20
【公開號(hào)】CN204434767
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520067426
【發(fā)明人】劉瑜, 胡軒, 邢明
【申請(qǐng)人】杭州晶一智能科技有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2015年1月31日