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      一種多晶硅鑄錠爐用坩堝的制作方法

      文檔序號(hào):8974247閱讀:249來(lái)源:國(guó)知局
      一種多晶硅鑄錠爐用坩堝的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域,尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐用坩禍。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前坩禍中的硅料的化料基本上是通過(guò)將玻璃棒伸入坩禍底部的中間位置來(lái)測(cè)量剩余硅料高度,從而來(lái)準(zhǔn)確控制坩禍底部有一層淺淺的硅料覆蓋,來(lái)保證后續(xù)的鑄錠質(zhì)量。
      [0003]現(xiàn)有坩禍設(shè)計(jì)中,大部分的坩禍內(nèi)壁的底部基本上都是在同一個(gè)水平面上,這樣存在很大的問(wèn)題,在多晶鑄錠中,鑄錠爐大部分在其頂部和側(cè)部分別設(shè)置頂部加熱器和側(cè)部加熱器,使得置于鑄錠爐中的坩禍內(nèi)壁的底部的中間位置溫度較低,而坩禍內(nèi)壁的底部的邊緣位置溫度較高,底部都在同一個(gè)水平面上的坩禍的化料的剩余程度由坩禍的熱場(chǎng)決定,這就使得當(dāng)坩禍底部的中間位置的硅料還有剩余時(shí),坩禍底部的邊緣位置的硅料已化完,進(jìn)而無(wú)法準(zhǔn)確控制坩禍底部有一層淺淺的硅料覆蓋,來(lái)保證后續(xù)的鑄錠質(zhì)量。還有,多晶鑄錠成核階段,可在坩禍底部任意位置成核并橫向長(zhǎng)大,晶粒大小不受控制,不利于抑制枝晶生長(zhǎng),且晶粒大小不一,均勻性不好。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]本實(shí)用新型所要解決的問(wèn)題在于:提供一種多晶硅鑄錠爐用坩禍,其不僅能保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量,還能抑制枝晶生長(zhǎng)。
      [0005]本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題采用如下技術(shù)方案:
      [0006]一種多晶硅鑄錠爐用坩禍,包括坩禍本體,所述坩禍本體包括坩禍側(cè)板和坩禍底板,所述坩禍底板中部的高度低于端部的高度,且所述坩禍底板中部和端部的厚度相等,所述坩禍底板內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)。
      [0007]優(yōu)選的,所述凸點(diǎn)與坩禍底板一體成型。
      [0008]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上,將坩禍底板設(shè)計(jì)成中部的高度低于端部的高度,且坩禍底板中部和端部的厚度相等,坩禍底板內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn),通過(guò)增大坩禍底板中部的受熱面積來(lái)保證坩禍底部中間和邊緣的溫度差,從而保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量,還能抑制枝晶生長(zhǎng)。
      【附圖說(shuō)明】
      [0009]圖1為本實(shí)用新型截面示意圖。
      [0010]圖中標(biāo)號(hào)為坩禍本體,11為坩禍側(cè)板,12為坩禍底板,13為凸點(diǎn)。
      【具體實(shí)施方式】
      [0011]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
      [0012]如圖1所示,一種多晶硅鑄錠爐用坩禍,包括坩禍本體1,所述坩禍本體I包括坩禍側(cè)板11和坩禍底板12,所述坩禍底板12中部的高度低于端部的高度,且所述坩禍底板12中部和端部的厚度相等,所述坩禍底板12內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)13。
      [0013]具體設(shè)計(jì)時(shí),所述凸點(diǎn)13與坩禍底板12 —體成型。
      [0014]本實(shí)用新型提出一種多晶硅鑄錠爐用坩禍。本實(shí)用新型將坩禍底板12設(shè)計(jì)成中部的高度低于端部的高度,且坩禍底板12中部和端部的厚度相等,坩禍底板12內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)13,通過(guò)增大坩禍底板12中部的受熱面積來(lái)減小坩禍底板12中部與端部的溫度差,使得坩禍底板12硅料的化料速度相近,甚至相同,同時(shí)本實(shí)用新型的坩禍底板12是不平的,且坩禍底板12內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)13,這兩點(diǎn)改進(jìn)都有助于抑制枝晶生長(zhǎng)。
      [0015]以上所述,僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種多晶硅鑄錠爐用坩禍,其特征在于,包括坩禍本體,所述坩禍本體包括坩禍側(cè)板和坩禍底板,所述坩禍底板中部的高度低于端部的高度,且所述坩禍底板中部和端部的厚度相等,所述坩禍底板內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐用坩禍,其特征在于,所述凸點(diǎn)與坩禍底板一體成型。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅鑄錠爐用坩堝,屬于光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域。它包括坩堝本體,所述坩堝本體包括坩堝側(cè)板和坩堝底板,所述坩堝底板中部的高度低于端部的高度,且所述坩堝底板中部和端部的厚度相等,所述坩堝底板內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn)。凸點(diǎn)與坩堝底板一體成型。本實(shí)用新型在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上,將坩堝底板設(shè)計(jì)成中部的高度低于端部的高度,且坩堝底板中部和端部的厚度相等,坩堝底板內(nèi)表面上均勻設(shè)有若干凸點(diǎn),通過(guò)增大坩堝底板中部的受熱面積來(lái)保證坩堝底部中間和邊緣的溫度差,從而保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量,還能抑制枝晶生長(zhǎng)。
      【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
      【公開(kāi)號(hào)】CN204625835
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520354317
      【發(fā)明人】楊波, 王娜, 李偉業(yè), 楊道祥
      【申請(qǐng)人】安徽旭能光伏電力有限公司
      【公開(kāi)日】2015年9月9日
      【申請(qǐng)日】2015年5月28日
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