振動的拉晶爐的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體致冷件生產(chǎn)技術領域的設備，特別是涉及拉晶爐。
【背景技術】
[0002]晶粒是制造半導體致冷件的部件，晶粒的主要成分是三碲化二鉍，作為制造致冷件的晶粒要求其分子排列整齊，晶粒里面的分子排列越整齊，致冷件的效率就越高。
[0003]晶粒是由晶棒切割而成的，這就要求晶棒里面的分子排列是整齊的。
[0004]制造晶棒時，對其里面的分子進行排列的過程就是拉晶，拉晶是在拉晶爐中進行的，原料盛裝在拉晶管中進行拉晶，現(xiàn)有技術中，拉晶爐中沒有振動裝置，這樣拉晶的過程就在靜止的狀態(tài)下進行，具有拉晶效果差、拉晶時間長、生產(chǎn)效率低的缺點。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的就是針對上述缺點，提供一種拉晶效果好、生產(chǎn)效率高的拉晶爐振動的拉晶爐。
[0006]本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的:振動的拉晶爐，包括爐體，爐體具有爐腔，在爐腔內(nèi)具有安裝拉晶管的卡座，所述的爐腔內(nèi)還有拉晶套，拉晶套是對產(chǎn)品進行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面設置有振動裝置。
[0007]進一步地講，所述的振動裝置的振幅是I一2毫米，頻率是20— 25赫茲。
[0008]進一步地講，所述的振動裝置連接控制裝置，所述的拉晶套連接控制裝置，在拉晶進行到三分之二時，控制裝置可以使振動裝置停止工作。
[0009]本實用新型的有益效果是:
[0010]1、這樣的振動的拉晶爐具有拉晶效果好、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點；
[0011]2、所述的振動裝置的振幅是I一2毫米，頻率是20— 25赫茲，具有效果更好的優(yōu)占.V，
[0012]3、所述的振動裝置連接控制裝置，所述的拉晶套連接控制裝置，在拉晶進行到三分之二時，控制裝置可以使振動裝置停止工作，具有自動化程度高的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]其中:1、爐體 2、爐腔 3、卡座4、拉晶套5、振動裝置 6、拉晶管 7、控制裝置。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0016]如圖1所示，振動的拉晶爐，包括爐體1，爐體具有爐腔2，在爐腔內(nèi)具有安裝拉晶管的卡座3，所述的爐腔內(nèi)還有拉晶套4，拉晶套是對產(chǎn)品進行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面設置有振動裝置5，這樣拉晶的過程中，拉晶管6就會處于振動狀態(tài)，有利于其里面分子的排列，具有本實用新型的優(yōu)點。
[0017]進一步地講，所述的振動裝置的振幅是I一2毫米，頻率是20— 25赫茲，這樣可以取得較好的拉晶效果。
[0018]進一步地講，所述的振動裝置連接控制裝置7，所述的拉晶套連接控制裝置，在拉晶進行到三分之二時，控制裝置可以使振動裝置停止工作。在拉晶的后期，拉晶管處于靜止狀態(tài)，其拉晶的效果更好。
[0019]以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的結(jié)構(gòu)特征并不限于此，任何本領域的技術人員在本實用新型的領域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新型的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.振動的拉晶爐，包括爐體，爐體具有爐腔，在爐腔內(nèi)具有安裝拉晶管的卡座，所述的爐腔內(nèi)還有拉晶套，拉晶套是對產(chǎn)品進行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面設置有振動裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拉晶爐，其特征是:所述的振動裝置的振幅是I一2毫米，頻率是20—25赫茲。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拉晶爐，其特征是:所述的振動裝置連接控制裝置，所述的拉晶套連接控制裝置，在拉晶進行到三分之二時，控制裝置可以使振動裝置停止工作。
【專利摘要】本實用新型涉及半導體致冷件生產(chǎn)技術領域的設備，名稱是振動的拉晶爐，包括爐體，爐體具有爐腔，在爐腔內(nèi)具有安裝拉晶管的卡座，所述的爐腔內(nèi)還有拉晶套，拉晶套是對產(chǎn)品進行拉晶的部件，所述的卡座下面設置有振動裝置，所述振動裝置的振幅是1—2毫米，頻率是20—25赫茲，所述的振動裝置連接控制裝置，所述的拉晶套連接控制裝置，在拉晶進行到三分之二時，控制裝置可以使振動裝置停止工作，這樣的振動的拉晶爐具有拉晶效果好、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點。
【IPC分類】C30B15/00
【公開號】CN204752898
【申請?zhí)枴緾N201520589703
【發(fā)明人】陳磊, 劉栓紅, 趙麗萍, 張文濤, 蔡水占, 郭晶晶, 張會超, 陳永平, 王東勝, 惠小青, 辛世明, 田紅麗
【申請人】河南鴻昌電子有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年8月4日