一種石墨基座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及外延生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種石墨基座。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的6寸石墨基座只能用在生長6寸外延層的腔體，使用比較單一。由于在半導(dǎo)體領(lǐng)域涉及生產(chǎn)訂單更換比較頻繁，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，大尺寸的外延片需求是市場所需，考慮到以后5寸外延片逐步淘汰，所需的5寸石墨基座也可能逐步淘汰，所以在做石墨備品備件時，由于石墨基座價格比$父昂貴，為了減少5寸石墨基座的米購量，需要用6寸石墨基座來代替使用。
[0003]另外，為了應(yīng)對不同尺寸石墨晶片的生長，通常采用更換小盤基座的方式進行。如德國Aixtron公司的2400或2800系列石墨外延爐，采用單獨的3英寸小盤和4英寸小盤，即生長3英寸石墨晶片時使用對應(yīng)的3英寸小盤，生長4英寸石墨晶片時采用4英寸小盤。由于每次小盤更換之后，都要進行設(shè)備的烘烤以除去表面附著的水汽等雜質(zhì)，這給生產(chǎn)帶來了很大的不便，同時也增加的生產(chǎn)的成本。另外，多種規(guī)格的小盤基座同時使用，也給設(shè)備維護帶來很大的困難。
[0004]因此，若能在同一個小盤上實現(xiàn)多尺寸兼容生長，將會給石墨外延生長帶來極大的便利。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型提出一種石墨基座，解決了現(xiàn)有技術(shù)中多個尺寸的石墨晶片沒辦法在同一個基座上實現(xiàn)生長的缺陷。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，其實現(xiàn)了小尺寸的基座上同時生長多個不同尺寸的石墨晶片。
[0006]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0007]—種石墨基座，其包括石墨圓環(huán)和石墨襯底，所述石墨圓環(huán)設(shè)有內(nèi)徑和外徑；且所述石墨圓環(huán)的厚度與所述石墨襯底的厚度相同，且所述石墨襯底設(shè)于所述石墨圓環(huán)內(nèi)。
[0008]優(yōu)選的，所述內(nèi)徑為3英寸，所述外徑為4英寸。
[0009]優(yōu)選的，所述石墨襯底的直徑小于或等于所述內(nèi)徑。
[0010]優(yōu)選的，所述石墨圓環(huán)包括第一端面、第二端面和側(cè)面，所述第一端面、所述第二端面均設(shè)于所述側(cè)面兩端；且所述第一端面、第二端面上均設(shè)有至少一個凹痕。
[0011]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有一個。
[0012]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有兩個。
[0013]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有四個。
[0014]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有第一直徑，所述第一直徑大于所述內(nèi)徑，且所述第一直徑小于所述外徑。
[0015]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果:
[0016]本實用新型石墨圓環(huán)的設(shè)置，方便將不同尺寸的石墨襯底放置在石墨圓環(huán)內(nèi)，故實現(xiàn)了在小尺寸的基座上同時生長多個不同尺寸的石墨晶片；另外，本實用新型的使用方法簡單，簡化了生產(chǎn)的流程，效率快，且節(jié)省成本。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本實用新型石墨基座的分解不意圖；
[0019]圖2是本實用新型石墨圓環(huán)的俯視圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0021]參照圖1至圖2，一種石墨基座1，其包括石墨圓環(huán)2和石墨襯底3，所述石墨圓環(huán)2設(shè)有內(nèi)徑21和外徑22 ;且所述石墨圓環(huán)2的厚度與所述石墨襯底3的厚度相同，且所述石墨襯底3設(shè)于所述石墨圓環(huán)2內(nèi)。
[0022]優(yōu)選的，所述內(nèi)徑為3英寸，所述外徑為4英寸。本實用新型將內(nèi)徑設(shè)為3英寸，外徑設(shè)為4英寸，以配合3英寸以上的石墨晶片在本實用新型上進行生長，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇將內(nèi)徑和外徑設(shè)置成其它的尺寸，只需達到可以同時供不同尺寸的石墨晶片在本實用新型上生長即可。
[0023]優(yōu)選的，所述石墨襯底的直徑小于或等于所述內(nèi)徑。本實用新型石墨襯底的直徑小于或等于內(nèi)徑，故石墨襯底可以安裝在石墨圓環(huán)內(nèi)。
[0024]優(yōu)選的，所述石墨圓環(huán)2包括第一端面(未圖示)、第二端面(未圖示)和側(cè)面23，所述第一端面、所述第二端面均設(shè)于所述側(cè)面兩端；且所述第一端面、第二端面上均設(shè)有至少一個凹痕24。本實用新型凹痕的設(shè)置，方便將石墨晶片放置在石墨圓環(huán)上時，凹痕對石墨晶片起到定位作用，使其不易移動；本實用新型中凹痕的形狀可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)石墨晶片的形狀來設(shè)定，可以是圓形、方形或者其它形狀，只需達到配合石墨晶片的放置在石墨圓環(huán)上，且對其定位即可。
[0025]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有一個。本實用新型將凹痕設(shè)置一個，以配合其中一個石墨晶片放置在石墨圓環(huán)上，且對該石墨晶片進行定位。
[0026]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有兩個。本實用新型將凹痕設(shè)置兩個，以配合其中兩個不同尺寸的石墨晶片放置在石墨圓環(huán)上，且對該兩個石墨晶片進行定位。
[0027]優(yōu)選的，所述凹痕設(shè)有四個。本實用新型將凹痕設(shè)置四個，以配合其中四個不同尺寸的石墨晶片放置在石墨圓環(huán)上，且對該四個石墨晶片進行定位。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實際需要，或者根據(jù)石墨晶片的數(shù)量，來設(shè)定凹痕的數(shù)量，使其更好的對石墨晶片進行定位。
[0028]優(yōu)選的，所述凹痕24設(shè)有第一直徑241，所述第一直徑241大于所述內(nèi)徑21，且所述第一直徑小于所述外徑22。本實用新型凹痕的第一直徑與石墨晶片的直接保持一致，使得石墨晶片剛好放置在凹痕內(nèi)，不易移動。
[0029]以采用4英寸石墨外延爐的小盤基座，同時兼容生長3英寸和4英寸石墨晶片為例。
[0030]為了在4英寸小盤基座上生長3英寸石墨晶片，設(shè)計加工石墨圓環(huán)，圓環(huán)的外徑為4英寸，內(nèi)徑為3英寸，圓環(huán)的厚度與石墨襯底的厚度相當(dāng)。這樣當(dāng)生長3英寸石墨晶片時，就只需將石墨圓環(huán)放置在3英寸石墨晶片的外圍，使其在尺寸上等效于4英寸石墨晶片，從而可當(dāng)作4英寸晶片放置于4英寸小盤基座上進行外延生長，如圖1所示。生長3英寸石墨晶片的使用方法為:
[0031]第一步:選取4英寸的小盤基座放置于大盤基座上；
[0032]第二步:將石墨圓環(huán)放置在4英寸小盤基座上；
[0033]第三步:將3英寸的石墨襯底放置于石墨圓環(huán)內(nèi)。
[0034]生長4英寸石墨晶片的使用方法為:
[0035]第一步:選取上述4英寸的小盤基座放置于大盤基座上；
[0036]第二步:直接將4英寸的石墨襯底放置在小盤基座上。
[0037]同時生長3英寸和4英寸石墨晶片的使用方法為:
[0038]第一步:選取4英寸的小盤基座放置于大盤基座上；
[0039]第二步:對于4英寸的石墨襯底，直接放置在小盤基座上；
[0040]第三步:對于3英寸的石墨襯底，連同石墨圓環(huán)一起放置于小盤基座上。
[0041]由于石墨外延爐可實現(xiàn)多晶片的同時外延生長，采用本實用新型可實現(xiàn)多尺寸晶片的混合生長。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果:本實用新型石墨圓環(huán)的設(shè)置，方便將不同尺寸的石墨襯底放置在石墨圓環(huán)內(nèi)，故實現(xiàn)了在小尺寸的基座上同時生長多個不同尺寸的石墨晶片；另外，本實用新型的使用方法簡單，簡化了生產(chǎn)的流程，效率快，且節(jié)省成本。
[0042]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種石墨基座，包括石墨圓環(huán)和石墨襯底，所述石墨圓環(huán)設(shè)有內(nèi)徑和外徑；且所述石墨圓環(huán)的厚度與所述石墨襯底的厚度相同，且所述石墨襯底設(shè)于所述石墨圓環(huán)內(nèi)，所述內(nèi)徑為3英寸，所述外徑為4英寸，所述石墨襯底的直徑小于或等于所述內(nèi)徑，其特征在于，所述石墨圓環(huán)包括第一端面、第二端面和側(cè)面，所述第一端面、所述第二端面均設(shè)于所述側(cè)面兩端；且所述第一端面、第二端面上均設(shè)有至少一個凹痕。2.如權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述凹痕設(shè)有一個。3.如權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述凹痕設(shè)有兩個。4.如權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述凹痕設(shè)有四個。5.如權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述凹痕設(shè)有第一直徑，所述第一直徑大于所述內(nèi)徑，且所述第一直徑小于所述外徑。
【專利摘要】本實用新型提出了一種石墨基座，解決了現(xiàn)有技術(shù)中多個尺寸的石墨晶片沒辦法在同一個基座上實現(xiàn)生長的缺陷。其包括石墨圓環(huán)和石墨襯底，所述石墨圓環(huán)設(shè)有內(nèi)徑和外徑；且所述石墨圓環(huán)的厚度與所述石墨襯底的厚度相同，且所述石墨襯底設(shè)于所述石墨圓環(huán)內(nèi)。本實用新型石墨圓環(huán)的設(shè)置，方便將不同尺寸的石墨襯底放置在石墨圓環(huán)內(nèi)，故實現(xiàn)了在小尺寸的基座上同時生長多個不同尺寸的石墨晶片；另外，本實用新型的使用方法簡單，簡化了生產(chǎn)的流程，效率快，且節(jié)省成本。
【IPC分類】C30B25/12
【公開號】CN204825125
【申請?zhí)枴緾N201520148793
【發(fā)明人】林前鋒
【申請人】林前鋒
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年3月16日