一種多晶硅鑄錠爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅鑄錠的制備過程包括長晶、退火和冷卻三個階段，目前，長晶和退火階段需要對整個爐體加熱，進行長晶及退火，但是長晶及退火過程一般需要非常高的溫度，并且時長約為29?30h，因此對整個爐體加熱需要消耗非常的能量。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實用新型提出一種多晶硅鑄錠爐，該多晶硅鑄錠爐解決了多晶硅鑄錠生長過程中能耗高的技術(shù)問題。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]—種多晶硅鑄錠爐，包括爐體、坩禍、真空裝置、加熱裝置、保溫套筒、升降裝置；
[0006]所述爐體內(nèi)所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述隔熱板；所述隔熱板上設(shè)有所述坩禍；
[0007]所述坩禍外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置和保溫套筒；
[0008]所述真空裝置設(shè)于所述爐體外，并與所述爐體通過真空管路連接。
[0009]優(yōu)選地，所述爐體內(nèi)設(shè)有保溫層。
[0010]優(yōu)選地，所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。
[0011]優(yōu)選地，所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。
[0012]優(yōu)選地，所述保溫套筒下部沿環(huán)形方向上等距開有側(cè)部通氣口。
[0013]優(yōu)選地，所述保溫套筒下部均勻設(shè)置有3?10組沿環(huán)形方向上等距的側(cè)部通氣
□ O
[0014]優(yōu)選地，所述爐體上設(shè)置有頂蓋，所述頂蓋上設(shè)置有保護氣進口。
[0015]優(yōu)選地，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述爐體內(nèi)。本實用新型的有益效果為:
[0016]本實用新型中坩禍外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置和保溫套筒，使得加熱裝置用于對坩禍直接加熱，避免了大面積加熱造成的能源浪費，保溫套筒的使用使得加熱裝置發(fā)出的熱量只用于坩禍加熱，從而保證了加熱的有效性及溫度場的均勻性。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本實用新型多晶娃鑄徒爐的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0019]圖中:
[0020]1、爐體；2、第一保溫層；3、第二保溫層；4、升降裝置；5、隔熱板；6、加熱裝置；7、保溫套筒；8、頂蓋；801、進氣口 ；9、真空裝置；901、真空管路。
【具體實施方式】
[0021]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0022]如圖1所示，本實用新型提供的多晶硅鑄錠爐，包括爐體1、坩禍、加熱裝置6、保溫套筒7、升降裝置4和真空裝置9。
[0023]所述坩禍用于盛放金屬硅，坩禍外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置6和保溫套筒7，所述加熱裝置6用于對坩禍直接加熱，避免了大面積加熱造成的能源浪費；所述保溫套筒7用于減少熱量流失，從而保證加熱裝置6發(fā)出的熱量只用于坩禍加熱，同時也保證了加熱的有效性及溫度場的均勻性。具體實施時，所述保溫套筒7下部沿環(huán)形方向上等距開有側(cè)部通氣口，便于惰性氣體的進入，另外，側(cè)部通氣口的設(shè)置，能夠合理選擇降溫點，有針對的控制降溫速率，優(yōu)選3?10組的側(cè)部通氣口 ；在具體制備多晶硅鑄錠過程中，長晶及退火階段，保證側(cè)部通氣口都關(guān)閉，最大限度的減少熱量的損失。
[0024]所述升降裝置4設(shè)于爐體I內(nèi)，升降裝置4上設(shè)有隔熱板5，隔熱板5上設(shè)有坩禍；所述隔熱板5設(shè)于坩禍下端面，用于避免對流引起的熱損失；所述升降裝置4便于坩禍上升、下降，方便放入或取出坩禍。
[0025]所述真空裝置9用于保證爐體I的真空狀態(tài)，該真空裝置9設(shè)于爐體I 一側(cè)，通過真空管路901與爐體I連接。
[0026]具體實施時，所述保溫層設(shè)置于所述爐體I內(nèi)，用于避免爐體I的熱量與外界進行熱交換，利于多晶硅鑄錠的制備。具體實施時，保溫層包括第一保溫層2和第二保溫層3，第一保溫層2為耐火保溫纖維層，第二保溫層3為石墨碳磚層，通過采用耐火材料層和石墨碳磚層逐層保溫，將其熱傳導(dǎo)逐漸降低，進而保證了多晶硅鑄錠爐的保溫性能。
[0027]具體實施時，所述爐體I頂蓋8上設(shè)置有保護氣進口 801，利于保護氣體的進入，在具體制備多晶硅鑄錠過程中，長晶、退火及冷卻階段，保證保護氣進口 801關(guān)閉，最大限度的減少保護氣及熱量的損失。
[0028]具體實施時，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述爐體I內(nèi)，用于冷卻階段對多晶硅鑄錠進行冷卻。
[0029]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種多晶硅鑄錠爐，其特征在于:包括爐體、坩禍、真空裝置、加熱裝置、保溫套筒、升降裝置； 所述爐體內(nèi)設(shè)有所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述隔熱板；所述隔熱板上設(shè)有所述坩禍； 所述坩禍外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置和保溫套筒； 所述真空裝置設(shè)于所述爐體外，并與所述爐體通過真空管路連接。2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述爐體內(nèi)設(shè)有保溫層。3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述保溫套筒下部沿環(huán)形方向上等距開有側(cè)部通氣口。6.如權(quán)利要求5所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述通氣口為3?10組。7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述爐體上設(shè)置有頂蓋，所述頂蓋上設(shè)置有保護氣進口。8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述爐體內(nèi)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種多晶硅鑄錠爐，包括爐體、坩堝、真空裝置、加熱裝置、保溫套筒、升降裝置；所述爐體內(nèi)所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述隔熱板；所述隔熱板上設(shè)有所述坩堝；所述坩堝外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置和保溫套筒；所述真空裝置設(shè)于所述爐體外，并與所述爐體通過真空管路連接。本實用新型中坩堝外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞著加熱裝置和保溫套筒使得加熱裝置用于對坩堝直接加熱，避免了大面積加熱造成的能源浪費，保溫套筒用于使得加熱裝置發(fā)出的熱量只用于坩堝加熱，從而保證了加熱的有效性及溫度場的均勻性。
【IPC分類】C30B29/06, C30B28/06
【公開號】CN204874823
【申請?zhí)枴緾N201520654372
【發(fā)明人】王增林
【申請人】寧夏金海金晶光電產(chǎn)業(yè)有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月27日