一種多晶硅鑄錠爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，多晶硅鑄錠爐主要用于以鑄錠方式生產(chǎn)硅半導(dǎo)體材料，傳統(tǒng)的多晶硅鑄錠爐由爐體和爐蓋組成，通常爐蓋位于爐體上端，加熱裝置分布在爐膛的坩禍周圍，存在溫度分布不均，裝卸料不方便的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提出一種多晶硅鑄錠爐，該多晶硅鑄錠爐解決了爐體內(nèi)溫度分布不均，裝卸料不方便的技術(shù)問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種多晶硅鑄錠爐，包括爐體、坩禍、真空裝置、加熱裝置、支撐板、升降裝置；
[0006]所述爐體包括上爐體和下?tīng)t體；
[0007]所述下?tīng)t體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置有所述加熱裝置；
[0008]所述下?tīng)t體內(nèi)還設(shè)有2個(gè)以上的所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述支撐板，所述支撐板上設(shè)有所述坩禍；
[0009]所述真空裝置設(shè)于所述下?tīng)t體外，并與所述下?tīng)t體通過(guò)真空管路連接。
[0010]優(yōu)選地，所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。
[0011]優(yōu)選地，所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。
[0012]優(yōu)選地，所述加熱裝置為電極，所述電極對(duì)稱安裝在所述第二保溫層內(nèi)。
[0013]優(yōu)選地，所述加熱裝置為石墨電極。
[0014]優(yōu)選地，所述下?tīng)t體內(nèi)設(shè)置有5?50個(gè)升降裝置。
[0015]優(yōu)選地，所述上爐體上設(shè)置有頂蓋，所述頂蓋上設(shè)置有保護(hù)氣進(jìn)口。
[0016]優(yōu)選地，所述上爐體和所述下?tīng)t體之間連接有密封蓋。
[0017]優(yōu)選地，還包括控制機(jī)構(gòu)，所述控制機(jī)構(gòu)與所述密封蓋連接。
[0018]優(yōu)選地，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述上爐體內(nèi)。
[0019]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0020]本實(shí)用新型中升降裝置的設(shè)置便于坩禍上升、下降，使得在下?tīng)t體內(nèi)完成長(zhǎng)晶、退火階段后，進(jìn)入上爐體，再進(jìn)行冷卻，從而得到多晶硅鑄錠。本實(shí)用新型通過(guò)在保溫層安裝電極，使得下?tīng)t體內(nèi)溫度均勾，消除了盲區(qū)，避免了礦石資源的浪費(fèi)，同時(shí)降低了能耗。
【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本實(shí)用新型多晶硅鑄錠爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖中:
[0024]1、上爐體；2、下?tīng)t體；3、第一保溫層；4、第二保溫層；5、升降裝置；6、支撐板；7、坩禍；8、加熱裝置；9、密封蓋；10、真空裝置；101、真空管路；11、頂蓋。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0026]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠爐，包括爐體、坩禍7、加熱裝置8、支撐板6、升降裝置5和真空裝置10。
[0027]所述爐體包括上爐體I和下?tīng)t體2，所述上爐體I用于對(duì)多晶硅鑄錠進(jìn)行冷卻，具體實(shí)施時(shí)，所述上爐體I內(nèi)設(shè)有冷卻裝置。
[0028]所述下?tīng)t體2內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層設(shè)置于所述下?tīng)t體2內(nèi)，用于減少下?tīng)t體2內(nèi)熱量流失，從而保證多晶硅鑄錠爐的保溫性能。具體實(shí)施時(shí)，保溫層包括第一保溫層3和第二保溫層4，第一保溫層3為耐火保溫纖維層，第二保溫層4為石墨碳磚層，通過(guò)采用耐火材料層和石墨碳磚層逐層保溫，將其熱傳導(dǎo)逐漸降低，進(jìn)而保證了多晶硅鑄錠爐的保溫性能。
[0029]所述下?tīng)t體2內(nèi)還設(shè)有2個(gè)以上升降裝置，升降裝置5上設(shè)有支撐板6，支撐板6上設(shè)有坩禍7，所述坩禍7用于盛放金屬硅；所述支撐板6用于支撐坩禍7及其金屬硅，保證坩禍7的穩(wěn)定性；所述升降裝置5便于坩禍7上升、下降，使得金屬硅在下?tīng)t體2內(nèi)完成長(zhǎng)晶、退火結(jié)算后，進(jìn)入上爐體1，再進(jìn)行冷卻，從而得到多晶硅鑄錠。另外升降裝置5的設(shè)置方便放入或取出坩禍7，具體實(shí)施時(shí)，所述下?tīng)t體2內(nèi)設(shè)置有5?50個(gè)升降裝置5。
[0030]所述加熱裝置8設(shè)于保溫層內(nèi)，使得下?tīng)t體2內(nèi)溫度分布均勻，并且節(jié)省下?tīng)t體2空間，提高爐體空間利用率，具體實(shí)施時(shí)，所述加熱裝置8為電極，所述電極對(duì)稱安裝在所述第二保溫層4內(nèi)，其中電極的數(shù)量為5?25，相鄰電極之間的距離相等，上述電極的設(shè)置使得爐體內(nèi)溫度均勻，消除了盲區(qū)，避免了礦石資源的浪費(fèi)，同時(shí)降低了能耗。
[0031]所述真空裝置10用于保證下?tīng)t體2的真空狀態(tài)，該真空裝置10設(shè)于下?tīng)t體2外，通過(guò)真空管路101與下?tīng)t體2連接。
[0032]具體實(shí)施時(shí)，所述上爐體I上設(shè)置有頂蓋11，所述頂蓋11上設(shè)置有保護(hù)氣進(jìn)口，利于在保護(hù)氣體的進(jìn)入，在具體制備多晶硅鑄錠過(guò)程中，長(zhǎng)晶、退火及冷卻階段，保證保護(hù)氣進(jìn)口關(guān)閉，最大限度的減少保護(hù)氣及熱量的損失。
[0033]具體實(shí)施時(shí)，所述上爐體I和所述下?tīng)t體2之間連接有密封蓋9，本實(shí)用新型中密封蓋9的設(shè)置將爐體分為上爐體I和下?tīng)t體2，并且在制備多晶硅鑄錠的過(guò)程中，避免了上爐體1、下?tīng)t體2的熱量交換，從而導(dǎo)致上爐體1、下?tīng)t體2內(nèi)溫度分布不均，優(yōu)選密封蓋9與控制機(jī)構(gòu)連接，便于密封蓋9的自動(dòng)開(kāi)啟。
[0034]具體實(shí)施時(shí)，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述上爐體11內(nèi)，用于完成退火階段。
[0035]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅鑄錠爐，其特征在于:包括爐體、坩禍、真空裝置、加熱裝置、支撐板、升降裝置； 所述爐體包括上爐體和下?tīng)t體； 所述下?tīng)t體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置有所述加熱裝置； 所述下?tīng)t體內(nèi)還設(shè)有2個(gè)以上的所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述支撐板，所述支撐板上設(shè)有所述坩禍； 所述真空裝置設(shè)于所述下?tīng)t體外，并與所述下?tīng)t體通過(guò)真空管路連接。2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述加熱裝置為電極，所述電極對(duì)稱安裝在所述第二保溫層內(nèi)。5.如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述加熱裝置為石墨電極。6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述下?tīng)t體內(nèi)設(shè)置有5?50個(gè)升降裝置。7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述上爐體上設(shè)置有頂蓋，所述頂蓋上設(shè)置有保護(hù)氣進(jìn)口。8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:所述上爐體和所述下?tīng)t體之間連接有密封蓋。9.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:還包括控制機(jī)構(gòu)，所述控制機(jī)構(gòu)與所述密封蓋連接。10.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于:還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設(shè)置于所述上爐體內(nèi)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅鑄錠爐，包括爐體、坩堝、真空裝置、加熱裝置、支撐板、升降裝置；所述爐體包括上爐體和下?tīng)t體；所述下?tīng)t體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置有所述加熱裝置；所述下?tīng)t體內(nèi)還設(shè)有2個(gè)以上的所述升降裝置，所述升降裝置上設(shè)有所述支撐板，所述支撐板上設(shè)有所述坩堝；所述真空裝置設(shè)于所述下?tīng)t體一側(cè)，并與所述下?tīng)t體通過(guò)真空管路連接。本實(shí)用新型中升降裝置的設(shè)置便于坩堝上升、下降，使得在下?tīng)t體內(nèi)完成長(zhǎng)晶、退火階段后，進(jìn)入上爐體，再進(jìn)行冷卻，從而得到多晶硅鑄錠。本實(shí)用新型通過(guò)在保溫層安裝電極，使得下?tīng)t體內(nèi)溫度均勻，消除了盲區(qū)，避免了礦石資源的浪費(fèi)，同時(shí)降低了能耗。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開(kāi)號(hào)】CN204898122
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520654653
【發(fā)明人】王增林
【申請(qǐng)人】寧夏金海金晶光電產(chǎn)業(yè)有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日