一種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于無機(jī)非金屬鍍膜玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有良好的抗劃傷性能，可膜面接觸輥道進(jìn)行鋼化生產(chǎn)的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]離線Low-E玻璃的使用越來越廣泛，為了控制生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率，其加工方式也從原來的先鋼化后鍍膜慢慢地轉(zhuǎn)變?yōu)橄冗M(jìn)行整版鍍膜，然后再切、磨、鋼的加工方式。對于單銀產(chǎn)品來說這種加工方式已經(jīng)比較成熟，但是對于雙銀可鋼產(chǎn)品來說，還存在一些問題，突出表現(xiàn)為膜層比較軟，容易出現(xiàn)加工缺陷，更是無法進(jìn)行膜面向下的鋼化加工方式，同時(shí)，鋼后變色也比較大，生產(chǎn)穩(wěn)定性難以控制。
[0003]本實(shí)用新型對離線雙銀Low-E玻璃的上述問題進(jìn)行了一定的探索，通過優(yōu)化膜層結(jié)構(gòu)、引入新型膜層材料，從而提出了有效的解決方案，得到了一種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，尤其適用于先整版鍍膜后鋼化加工的生產(chǎn)方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型旨在提出一種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，以解決雙銀可鋼產(chǎn)品抗劃傷能力差，鋼后變色不穩(wěn)定的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，包括玻璃基板以及鍍制在該玻璃基板上且具有特定結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層包括由玻璃基板向外依次鍍制的第一復(fù)合電介質(zhì)層、第一銀層、第一阻擋層、第二復(fù)合電介質(zhì)層、第二銀層、第二阻擋層、第三復(fù)合電介質(zhì)層和第四電介質(zhì)層。
[0007]進(jìn)一步的，所述第一復(fù)合電介質(zhì)層厚度為15?45nm。
[0008]進(jìn)一步的，所述第二復(fù)合電介質(zhì)層厚度為40?120nm。
[0009]進(jìn)一步的，所述第三復(fù)合電介質(zhì)層厚度為18?50nm。
[0010]進(jìn)一步的，所述第四電介質(zhì)層厚度為5?25nm。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一復(fù)合電介質(zhì)層材料為SiAlNx層、SiAlOxNy層、T1x層、SnOx層、AlNx層、ZnAlOx層、ZnSnOx層中的至少兩層。
[0012]進(jìn)一步的，所述第二復(fù)合電介質(zhì)層和第三復(fù)合電介質(zhì)層為SiAlNx層、SiAlOxNy層、T1x層、SnOx層、AlNx層、ZnAlOx層、ZnSnOx層的一層或者幾層。
[0013]進(jìn)一步的，第四電介質(zhì)層為ZrAlOx 層、ZrYOx 層、ZrNbOx 層，ZrS1xNy 層、ZrOxNy
層的一層或者幾層。
[0014]進(jìn)一步的，所述第一銀層和第二銀層為純度不低于99.99%的金屬銀層，或者為銀的含氧膜層。
[0015]進(jìn)一步的，所述第一銀層和第二銀層厚度均為2?25nm。
[0016]進(jìn)一步的，所述第一阻擋層和第二阻擋層為Nb、N1、Cr、T1、Zr的純金屬層或者不完全氧化物層中的一層或者幾層。
[0017]進(jìn)一步的，所述第一阻擋層和第二阻擋層的厚度均為3?20nm。
[0018]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃具有以下優(yōu)勢:
[0019]本發(fā)明所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，膜面硬度和耐候性大大增強(qiáng)，可膜面接觸輥道進(jìn)行鋼化生產(chǎn)，鋼化前后顏色不變，產(chǎn)品穩(wěn)定性好，鋼化成品率高，并且可長時(shí)間保存。
【附圖說明】
[0020]構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0021 ] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明:
[0023]1-第一復(fù)合電介質(zhì)層，2-第一銀層，3-第一阻擋層，4-第二復(fù)合電介質(zhì)層，5-第二銀層，6-第二阻擋層，7-第三復(fù)合電介質(zhì)層，8-第四電介質(zhì)層，9-玻璃基板。
【具體實(shí)施方式】
[0024]需要說明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0025]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。
[0026]如圖1所示，本實(shí)用新型包括玻璃基板9以及鍍制在該玻璃基板9上且具有特定結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜層，復(fù)合膜層包括由玻璃基板9向外依次鍍制的第一復(fù)合電介質(zhì)層1、第一銀層2、第一阻擋層3、第二復(fù)合電介質(zhì)層4、第二銀層5、第二阻擋層6、第三復(fù)合電介質(zhì)層7和第四電介質(zhì)層8。
[0027]玻璃基板9為6mm普通鈉鈣硅浮法玻璃。
[0028]第一復(fù)合電介質(zhì)層I材料為SiAlOxNy層和ZnAlOx層緊貼，起到玻璃與膜層的粘結(jié)過渡作用，并具有減反射作用。第一復(fù)合電介質(zhì)層I厚度為15?45nm。
[0029]第二復(fù)合電介質(zhì)層4為SiAlNx層、T1x層、SnOx層、ZnSnOx層的一層或者幾層，第二復(fù)合電介質(zhì)層4厚度為40?120nmo
[0030]第三復(fù)合電介質(zhì)層7為SiAlNx層、T1x層、AlNx層的一層或者幾層。第三復(fù)合電介質(zhì)層7厚度為18?50nmo
[0031]第四電介質(zhì)層8 為 ZrAlOx 層、ZrYOx 層、ZrNbOx 層，ZrS1xNy 層、ZrOxNy 層的一層或者幾層，起到保護(hù)膜層的作用，提高膜層的加工性能。第四電介質(zhì)層8厚度為5?25nm。
[0032]第一銀層2和第二銀層5為純度不低于99.99 %的金屬銀層，或者為銀的含氧膜層，第一銀層2，第二銀層5厚度均為2?25nm。
[0033]第一阻擋層3和第二阻擋層6為Nb、N1、Cr、T1、Zr中一種或者幾種的純金屬層或者不完全氧化物層，第一阻擋層3和第二阻擋層6的厚度均為3?20nm。
[0034]本實(shí)用新型的制備順序如下:
[0035](I)玻璃基片清洗，(2)預(yù)抽真空，(3)鍍制第一復(fù)合電介質(zhì)層1，⑷鍍制第一銀層2，(5)鍍制第一阻擋層3，(6)鍍制第二復(fù)合電介質(zhì)層4，(7)鍍制第二銀層5，⑶鍍制第二阻擋層6，(9)鍍制第三復(fù)合電介質(zhì)層7，(10)鍍制第四電介質(zhì)層8。
[0036]在上述制備過程中，鍍制第一復(fù)合電介質(zhì)層1、第二復(fù)合電介質(zhì)層4、第三復(fù)合電介質(zhì)層7時(shí)，SiAlNx層、SiAlOxNy層、ZnAlOx層、ZnSnOx層優(yōu)選合金圓革El，SiAl合金中Si含量不低于80%，ZnAl合金中Zn含量不低于90%、ZnSn中Zn含量不低于50%。T1x層、SnOx層、AlNx層可優(yōu)選金屬圓革E。中頻交流電源模式，工藝氣氛為純氮?dú)?、純氧氣或者氮?dú)夂脱鯕饣旌蠚怏w。
[0037]在上述制備過程中，鍍制第四電介質(zhì)層8時(shí)，ZrAlOx層、ZrYOx層、ZrNbOx層、ZrS1xNy層、ZrOxNy層優(yōu)選摻雜型Zr金屬合金圓靶，其中摻雜元素含量為3% wt?28%Wt0中頻交流電源模式，工藝氣氛為純氮?dú)?、純氧氣或者氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w。
[0038]在上述制備過程中，鍍制第一銀層2和第二銀層5時(shí)采用純度為99.99 %的金屬平靶，直流電源模式，工藝氣體為純氬氣或者氬氧體積比為10:1的混合氣體。
[0039]在上述制備過程中，鍍制第一阻擋層3和第二阻擋層6為Nb、N1、Cr、T1、Zr中一種或者幾種的純金屬平靶，直流電源模式，工藝氣體為純氬氣或者氬氧體積比為10:1的混合氣體。
[0040]本實(shí)用新型解決了雙銀可鋼產(chǎn)品抗劃傷能力差，鋼后變色不穩(wěn)定的問題，所得產(chǎn)品膜面硬度和耐候性大大增強(qiáng)，可膜面接觸輥道進(jìn)行鋼化生產(chǎn)，鋼化前后顏色不變，產(chǎn)品穩(wěn)定性好，鋼化成品率高，并且可長時(shí)間保存。
[0041]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:包括玻璃基板(9)以及鍍制在該玻璃基板(9)上且具有特定結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層包括由玻璃基板(9)向外依次鍍制的第一復(fù)合電介質(zhì)層(I)、第一銀層(2)、第一阻擋層(3)、第二復(fù)合電介質(zhì)層(4)、第二銀層(5)、第二阻擋層￠)、第三復(fù)合電介質(zhì)層(7)和第四電介質(zhì)層(8)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第一復(fù)合電介質(zhì)層(I)為 SiAlNx 層、SiAlOxNy 層、T1x 層、SnOx 層、AlNx 層、ZnAlOx 層、ZnSnOx層中的至少兩層，所述第一復(fù)合電介質(zhì)層(I)厚度為15?45nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第二復(fù)合電介質(zhì)層(4)和第三復(fù)合電介質(zhì)層(7)為SiAlNx層、SiAlOxNy層、T1x層、SnOx層、AlNx層、ZnAlOx層、ZnSnOx層的一層或者幾層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第二復(fù)合電介質(zhì)層⑷厚度為40?120nmo5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第三復(fù)合電介質(zhì)層⑵厚度為18?50nmo6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:第四電介質(zhì)層(8)為ZrAlOx層、ZrYOx層、ZrNbOx層，ZrS1xNy層、ZrOxNy層的一層或者幾層，所述第四電介質(zhì)層⑶厚度為5?25nm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第一銀層(2)和第二銀層(5)為純度不低于99.99%的金屬銀層，或者為銀的含氧膜層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第一銀層⑵和第二銀層(5)厚度為2?25nm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第一阻擋層(3)和第二阻擋層(6)為Nb、N1、Cr、T1、Zr的純金屬層或者不完全氧化物層中的一層或者幾層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，其特征在于:所述第一阻擋層(3)和第二阻擋層(6)的厚度為3?20nm。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E玻璃，包括玻璃基板以及鍍制在該玻璃基板上且具有特定結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層包括由玻璃基板向外依次鍍制的第一復(fù)合電介質(zhì)層、第一銀層、第一阻擋層、第二復(fù)合電介質(zhì)層、第二銀層、第二阻擋層、第三復(fù)合電介質(zhì)層和第四電介質(zhì)層。本實(shí)用新型所述的硬質(zhì)可鋼化離線雙銀Low-E鍍膜玻璃與傳統(tǒng)離線鍍膜玻璃相比，膜面硬度和耐候性大大增強(qiáng)，可膜面接觸輥道進(jìn)行鋼化生產(chǎn)，鋼化前后顏色不變，產(chǎn)品穩(wěn)定性好，鋼化成品率高，并且可長時(shí)間保存。
【IPC分類】C03C17/36
【公開號】CN204939285
【申請?zhí)枴緾N201520362672
【發(fā)明人】付亞東, 方志堅(jiān), 楊桂祥, 耿振搏, 李亞娟, 張得全, 柴媛, 王煥鈞
【申請人】天津耀皮工程玻璃有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年5月29日