一種直拉單晶導(dǎo)流筒的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[〇〇〇1]本實用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種直拉單晶導(dǎo)流筒。
【背景技術(shù)】
[0002]在利用直拉單晶爐生產(chǎn)單晶棒時，需要通入氬氣作為保護(hù)氣體，防止?fàn)t內(nèi)各類部件以及單晶硅棒的氧化，也能帶走固液界面處的雜質(zhì)，有利于無位錯單晶的生長，同時較低溫度的氬氣也能起到冷卻晶棒的作用，提高溫度梯度，增加晶棒生長速度。氬氣進(jìn)入單晶爐筒后，通過導(dǎo)流筒，經(jīng)過晶棒的表面，吹過液面，最終通過單晶爐的抽氣系統(tǒng)排到單晶爐的外部。其中，導(dǎo)流筒主要有上端口和下端口，在氣流進(jìn)入導(dǎo)流筒上端口后經(jīng)過導(dǎo)流進(jìn)入下端口并排出。
[0003]然而，現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)流筒的下端口的內(nèi)壁為直線狀，氣流經(jīng)過直線狀的內(nèi)壁后直接被抽氣系統(tǒng)抽走，導(dǎo)致對晶棒的冷卻和帶走雜質(zhì)效果不佳。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種直拉單晶導(dǎo)流筒，能夠更好的將雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，同時加強(qiáng)對晶棒的冷卻，提高溫度梯度，增加拉晶速度，提高產(chǎn)量。
[0005]本實用新型提供的直拉單晶導(dǎo)流筒設(shè)置于晶棒的外側(cè)，包括匯集氣流的上端口和流出氣流的下端口，所述導(dǎo)流筒的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，且所述下端口所處的位置高于固液界面所處的位置。
[0006]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的下部為弧形或平面。
[0007]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的下部為流線型形狀。
[0008]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述下端口與所述晶棒之間的距離的范圍為：10毫米至50毫米。
[0009]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述下端口的直徑的范圍為：100毫米至400毫米。
[〇〇1〇]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的整體為從上向下直徑漸縮的形狀。
[〇〇11]優(yōu)選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述上端口與所述晶棒之間的距離的范圍為：
300毫米至800毫米。
[〇〇12]從上述技術(shù)方案可以看出，本實用新型所提供的上述直拉單晶導(dǎo)流筒，由于所述導(dǎo)流筒的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，且所述下端口所處的位置高于固液界面所處的位置，使得氣流方向朝向內(nèi)側(cè)的晶棒，防止了被外側(cè)的抽氣系統(tǒng)直接抽走，使氣流吹向固液界面，從而能夠更好的將雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，同時加強(qiáng)對晶棒的冷卻，提高溫度梯度，增加拉晶速度，提高產(chǎn)量。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本申請實施例提供的直拉單晶導(dǎo)流筒的示意圖。
【具體實施方式】
[0015]本實用新型的核心思想在于提供一種直拉單晶導(dǎo)流筒，能夠更好的將雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，同時加強(qiáng)對晶棒的冷卻，提高溫度梯度，增加拉晶速度，
提尚廣量。
[0016]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0017]本申請實施例提供的直拉單晶導(dǎo)流筒如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的直拉單晶導(dǎo)流筒的示意圖。該直拉單晶導(dǎo)流筒102設(shè)置于晶棒101的外側(cè)，在生產(chǎn)直拉單晶棒時，需要通入氬氣作為保護(hù)氣體，防止?fàn)t內(nèi)各類部件以及單晶硅棒的氧化，也能帶走固液結(jié)晶界面處的雜質(zhì)，有利于無位錯單晶的生長，同時較低溫度的氬氣起到了冷卻晶棒的作用，提高溫度梯度，增加晶棒的生長速度，因此直拉單晶導(dǎo)流筒設(shè)置于晶棒的外側(cè)，氬氣進(jìn)入單晶爐筒后，通過導(dǎo)流筒，經(jīng)過晶棒的表面，吹過液面，最終通過單晶爐的抽氣系統(tǒng)排出單晶爐外；
[0018]該直拉單晶導(dǎo)流筒102包括匯集氣流的上端口和流出氣流的下端口，一般而言，上端口的直徑設(shè)置成一個較大的值，這樣就有利于匯入氣流，而下端口的直徑設(shè)置成一個較小的值，這樣就有利于聚集氣流；
[0019]所述導(dǎo)流筒102的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，在氣流進(jìn)入導(dǎo)流筒102上端口后經(jīng)過導(dǎo)流，進(jìn)入下端口，在這種情況下，導(dǎo)流筒102下部為彎向晶棒的弧形面，氣流經(jīng)過時會被改變方向，吹向晶棒表面，且能增加氣流的流速，可以加大冷卻晶棒，相對于現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)流筒的下部內(nèi)壁為直線狀、氣流經(jīng)過直線面后直接被抽氣系統(tǒng)抽走，不能很好的起到冷卻晶棒作用的情況相比，本申請實施例提供的直拉單晶導(dǎo)流筒能夠提高溫度梯度，增加拉晶速度，提高產(chǎn)量；
[0020]為了將雜質(zhì)盡可能多的帶走，將所述下端口所處的位置設(shè)置成高于固液界面所處的位置，在這種情況下，氣流經(jīng)過晶棒表面后，在慣性作用下，再順流而下經(jīng)過固液結(jié)晶界面被抽氣系統(tǒng)抽走，此導(dǎo)流筒可更好的將固液界面處的雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，提高直拉單晶一次整棒率。
[0021]從上述技術(shù)方案可以看出，本申請實施例所提供的上述直拉單晶導(dǎo)流筒，由于所述導(dǎo)流筒的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，且所述下端口的位置設(shè)置成高于固液界面所處的位置，使得氣流方向朝向內(nèi)側(cè)的晶棒，防止了被外側(cè)的抽氣系統(tǒng)直接抽走，使氣流吹向固液界面，從而能夠更好的將雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，提高直拉單晶一次整棒率，同時加強(qiáng)對晶棒的冷卻，提高溫度梯度，增加拉晶速度，提高產(chǎn)量。
[0022]進(jìn)一步的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的下部可以為弧形或平面，當(dāng)導(dǎo)流筒的下部為弧形時，形成一個較為平緩的氣流通道，利用氣流的流動，當(dāng)導(dǎo)流筒的下部為平面時，氣流無阻礙的直接流到下端口，流動也較為容易。
[0023]進(jìn)一步的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的下部為流線型形狀，這種流線型的形狀更符合工程學(xué)原理，使氣流的流通更容易。
[0024]可選的，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述下端口與所述晶棒之間的距離的范圍為：10毫米至50毫米，所述下端口的直徑的范圍為：100毫米至400毫米，所述距離和所述直徑相互配合，能夠使得氣流更好的流向固液界面處，從而更好的帶走固液界面處的雜質(zhì)，利于生長的晶棒的質(zhì)量的提高。
[0025]作為一個優(yōu)選方案，在上述直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述導(dǎo)流筒的整體為從上向下直徑漸縮的形狀，這樣導(dǎo)流筒的上端口可以設(shè)置成更大的直徑，更好的導(dǎo)入氣流，而導(dǎo)流筒的下端口可以設(shè)置成更小的直徑，從而提高氣流速度，更好的帶走雜質(zhì)，并取得更好的晶棒冷卻效果。
[0026]另外，在上述實施例提供的直拉單晶導(dǎo)流筒中，所述上端口與所述晶棒之間的距離的范圍可選為：300毫米至800毫米。需要說明的是，這是建立在上端口的直徑大于下端口的直徑基礎(chǔ)上的，根據(jù)實際情況選擇上端口和下端口的直徑，這里提供的300毫米至800毫米的直徑范圍均可以作為上端口直徑，取得優(yōu)良的晶棒冷卻效果和雜質(zhì)去除效果。
[0027]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種直拉單晶導(dǎo)流筒，設(shè)置于晶棒的外側(cè)，包括匯集氣流的上端口和流出氣流的下端口，其特征在于，所述導(dǎo)流筒的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，且所述下端口所處的位置高于所述晶棒的固液界面所處的位置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述導(dǎo)流筒的下部為弧形或平面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述導(dǎo)流筒的下部為流線型形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述下端口與所述晶棒之間的距離的范圍為10毫米至50毫米。5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述下端口的直徑的范圍為100毫米至400毫米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述導(dǎo)流筒的整體為從上向下直徑漸縮的形狀。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶導(dǎo)流筒，其特征在于，所述上端口與所述晶棒之間的距離的范圍為300毫米至800毫米。
【專利摘要】本申請公開了一種直拉單晶導(dǎo)流筒，設(shè)置于晶棒的外側(cè)，包括匯集氣流的上端口和流出氣流的下端口，所述導(dǎo)流筒的下部為從上向下直徑漸縮的形狀，且所述下端口所處的位置高于所述晶棒的固液界面所處的位置。本申請?zhí)峁┑纳鲜鲋崩瓎尉?dǎo)流筒，能夠更好的將雜質(zhì)帶走，促進(jìn)單晶棒的無斷棱無位錯生長，同時加強(qiáng)對晶棒的冷卻，提高溫度梯度，增加拉晶速度，提高產(chǎn)量。
【IPC分類】C30B15/00
【公開號】CN205062228
【申請?zhí)枴緾N201520739066
【發(fā)明人】陳偉, 李林東, 羅才軍, 陳林軍, 肖貴云, 金浩
【申請人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年9月22日