硅片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的硅片在安裝過(guò)程中，難免會(huì)與外物碰撞，導(dǎo)致硅片缺角或破裂，強(qiáng)度較差，降低了使用壽命，另一方面，硅片安裝于設(shè)備中，容易松動(dòng)，導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不正常。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種強(qiáng)度較強(qiáng)及能牢固的安裝于設(shè)備中的硅片。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種硅片，其特征在于:包括硅片本體，所述的硅片本體呈圓柱狀，所述的硅片本體上設(shè)有圓形凹槽，所述的圓形凹槽的直徑與硅片本體的直徑比值為0.8，所述的圓形凹槽的圓周面與硅片本體的圓周面之間的距離為0.3cm0
[0005]優(yōu)選為:所述的圓形凹槽的底部呈斜面。
[0006]優(yōu)選為:所述的圓形凹槽包括第一半圓凹槽和第二半圓凹槽，所述的第一半圓凹槽的槽深由一端沿著半圓周面往另一端逐漸變大，所述的第二半圓凹槽的槽深由一端沿著半圓周面往另一端逐漸變大。
[0007]優(yōu)選為:所述的第一半圓凹槽的一端與第二半圓凹槽的一端為同一側(cè)，所述的第一半圓凹槽的另一端與第二半圓凹槽的另一端為同一側(cè)。
[0008]優(yōu)選為:所述的圓形凹槽的槽深與硅片本體的厚度比值為0.1-0.25。
[0009]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保證了硅片在安裝過(guò)程中時(shí)，由于表面為圓形面，就算碰撞外物，也不會(huì)使硅片缺角或破裂現(xiàn)象發(fā)生，整體強(qiáng)度較強(qiáng)，保證了使用壽命；且在硅片本體上設(shè)置了圓形凹槽，該圓形凹槽的底部呈斜面，該圓形凹槽的槽深與硅片本體的厚度比值為0.1-0.25配合下，進(jìn)一步保證了硅片的整體強(qiáng)度，保證了使用壽命；同時(shí)，硅片能牢固的安裝于設(shè)備中，并且方便安裝，保證了穩(wěn)定性及可靠性，保證了設(shè)備能正常的運(yùn)行。
【附圖說(shuō)明】
[0010]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011 ]圖1為本實(shí)用新型【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型公開了一種硅片，在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，包括硅片本體I，所述的硅片本體I呈圓柱狀，所述的硅片本體I上設(shè)有圓形凹槽2，所述的圓形凹槽2的直徑與硅片本體的直徑比值為0.8，所述的圓形凹槽2的圓周面與硅片本體I的圓周面之間的距離為0.3cm O
[0014]在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，所述的圓形凹槽2的底部呈斜面。
[0015]在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，所述的圓形凹槽2包括第一半圓凹槽21和第二半圓凹槽22，所述的第一半圓凹槽21的槽深由一端211沿著半圓周面往另一端212逐漸變大，所述的第二半圓凹槽22的槽深由一端221沿著半圓周面往另一端222逐漸變大。
[0016]在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，所述的第一半圓凹槽21的一端211與第二半圓凹槽22的一端221為同一側(cè)，所述的第一半圓凹槽21的另一端212與第二半圓凹槽22的另一端222為同一側(cè)。
[0017]在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，所述的圓形凹槽2的槽深與硅片本體I的厚度比值為0.1-0.25 ο
[0018]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保證了硅片在安裝過(guò)程中時(shí)，由于表面為圓形面，就算碰撞外物，也不會(huì)使硅片缺角或破裂現(xiàn)象發(fā)生，整體強(qiáng)度較強(qiáng)，保證了使用壽命；且在硅片本體上設(shè)置了圓形凹槽，該圓形凹槽的底部呈斜面，該圓形凹槽的槽深與硅片本體的厚度比值為0.1-0.25配合下，進(jìn)一步保證了硅片的整體強(qiáng)度，保證了使用壽命；同時(shí)，硅片能牢固的安裝于設(shè)備中，并且方便安裝，保證了穩(wěn)定性及可靠性，保證了設(shè)備能正常的運(yùn)行。
[0019]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅片，其特征在于:包括硅片本體，所述的硅片本體呈圓柱狀，所述的硅片本體上設(shè)有圓形凹槽，所述的圓形凹槽的直徑與硅片本體的直徑比值為0.8，所述的圓形凹槽的圓周面與硅片本體的圓周面之間的距離為0.3cm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其特征在于:所述的圓形凹槽的底部呈斜面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片，其特征在于:所述的圓形凹槽包括第一半圓凹槽和第二半圓凹槽，所述的第一半圓凹槽的槽深由一端沿著半圓周面往另一端逐漸變大，所述的第二半圓凹槽的槽深由一端沿著半圓周面往另一端逐漸變大。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片，其特征在于:所述的第一半圓凹槽的一端與第二半圓凹槽的一端為同一側(cè)，所述的第一半圓凹槽的另一端與第二半圓凹槽的另一端為同一側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片，其特征在于:所述的圓形凹槽的槽深與硅片本體的厚度比值為0.1-0.25。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種硅片，其特征在于：包括硅片本體，所述的硅片本體呈圓柱狀，所述的硅片本體上設(shè)有圓形凹槽，所述的圓形凹槽的直徑與硅片本體的直徑比值為0.8，所述的圓形凹槽的圓周面與硅片本體的圓周面距離為0.3cm；本實(shí)用新型在于：此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保證了硅片在安裝過(guò)程中時(shí)，由于表面為圓形面，就算碰撞外物，也不會(huì)使硅片缺角或破裂現(xiàn)象發(fā)生，整體強(qiáng)度較強(qiáng)，保證了使用壽命。
【IPC分類】C30B29/64, C30B29/06
【公開號(hào)】CN205188483
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521010553
【發(fā)明人】江菊玲
【申請(qǐng)人】嘉興晶格電子科技有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年12月8日